由JFET和少量元件构建成的LC振荡器

　　将JFET 用于不寻常的电路结构中，就可以设计出无源元件很少的简单高频 LC 振荡器。实现放大器级的结构包括一只以共漏方连接的JFET 晶体管（图 1）。
　　当JFET工作在饱和区时，漏极电流I_D为：

　　式中，IDSS为最大饱和电流，VP为夹断电压。你可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅-源电压控制的电流源来构建这只在小信号状态下工作在饱和区的JFET的模型。下列公式确定JFET的小信号跨导：

　　栅极电阻 R_G提供栅极到地的必要连接。R_G的典型值在几兆欧姆范围内，以提供放大器结构所需的高阻抗。电阻 R_S可使晶体管偏置，其阻值由下述公式确定：

　　要完成整个振荡电路，还要在放大级增加一个 LC 谐振回路（图 2），最终形成一个考毕兹振荡器。由于 LC 谐振回路的电感，栅极与地之间存在直流连接，消除了放大器的栅极电阻。

　　用巴克豪森准则对这一电路进行分析，电路的振荡频率 f₀为：

　　电路起振所需电容器条件为：

　　或，放大器级的电压增益A_V，即V_OUT(t)/V_G(t)为：

　　式中共漏级电压增益为：