当前位置:首页 > 单片机 > 单片机
[导读]//头文件名称:DS18B2驱动程序//晶振: 8.000000//参考资料 :OURAVR.NET, 伟纳中文手册#ifndef _DS18B20_H_#define _DS18B20_H_#include #include \"delay.h\"#define WIRE_DDR_OUT DDRC |= ( 1

//头文件名称:DS18B2驱动程序

//晶振: 8.000000
//参考资料 :OURAVR.NET, 伟纳中文手册

#ifndef _DS18B20_H_
#define _DS18B20_H_

#include
#include "delay.h"


#define WIRE_DDR_OUT DDRC |= ( 1 << 3 ) //使用PD.2口
#define WIRE_DDR_IN DDRC &=~ ( 1 << 3 ) //
#define WIRE_PORT_SET PORTC |= ( 1 << 3 ) //
#define WIRE_PORT_CLR PORTC &=~ ( 1 << 3 ) //
#define check_ack PINC & ( 1 << 3 ) //pind & 0b0000 0010

#define TRUE 1
#define FALSE 0

#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int

//函数声明
uchar init_1820( void );
void write_1820( uchar command );
uchar read_1820( void );
float get_temp( void );

#endif


#define _DS18B20_C_
#include "DS18B20.H"

//定义变量
float temperature = 0.0; //定义温度

/*
DS18B20的初始化
(1) 先将数据线置高电平"1"。
(2) 延时(该时间要求的不是很严格,但是尽可能的短一点)
(3) 数据线拉到低电平"0"。
(4) 延时750微秒(该时间的时间范围可以从480到960微秒)。
(5) 数据线拉到高电平"1"。上拉, 等待器件回应
(6) 延时等待(如果初始化成功则在15到60毫秒时间之内产生一个由DS18B20所返回的低电平"0"。据该状态可以来确定它的存在,但是应注意不能无限的进行等待,不然会使程序进入死循环,所以要进行超时控制)。
(7) 若CPU读到了数据线上的低电平"0"后,还要做延时,其延时的时间从发出的高电平算起(第(5)步的时间算起)最少要480微秒。
(8) 将数据线再次拉高到高电平"1"后结束。
*/
uchar init_1820( void )
{
uchar ACK;
WIRE_DDR_OUT;
WIRE_PORT_SET; //

delay_1us(); //稍做延时

WIRE_PORT_CLR; //发送复位脉冲(最短为480us的低电平信号)
delay_nus(480); //480us以上

WIRE_DDR_IN;
WIRE_PORT_SET; //释放总线并进入接收状态, 上拉

delay_nus(50);//变为低电平后,延时15到60us, 用以确定电平, DS18B20对1总线进行输入采样, 如果返回为0, 刚存在器件

if(check_ack)
return TRUE;
else
return FALSE;

}

//写时间隙
//主机总线t o时刻从高拉至低电平时就产生写时间隙,
//从to时刻开始15us之内应将所需写的位送到总线上DSl820在t后15-60us间对总线采样,
//若低电平写入的位是0,若高电平写入的位是1,连续写2位间的间隙应大于1us
/*
DS18B20的写操作
(1) 数据线先置低电平"0"。
(2) 按从低位到高位的顺序发送字节(一次只发送一位)。
(3) 延时确定的时间为15微秒。
(5) 将数据线拉到高电平。
(6) 重复上(1)到(6)的操作直到所有的字节全部发送完为止。
(7) 最后将数据线拉高。
*/

void write_1820( uchar command )
{
uchar i;
for( i = 8; i > 0; i--)
{
WIRE_DDR_OUT;
WIRE_PORT_CLR; //置为低电平 , 写时间隙开始

if( ( command & 0x01 ) == 0x01 ) //写数据,从低位开始
WIRE_PORT_SET; //写入1
else
WIRE_PORT_CLR; //写入0

delay_nus(15); //15~60us
WIRE_PORT_SET;
command >>= 1; //向右移1位,即高位向底位移动
}
WIRE_PORT_SET;
}

/*
DS18B20的读操作
(3)将数据线拉低"0"。
(5)将数据线拉高"1"? 上拉, 等待读入
(7)读数据线的状态得到1个状态位,并进行数据处理。
(8)延时480以上微秒
*/
//读时间隙
uchar read_1820( void )
{
uchar temp = 0, i;

for( i = 0; i < 8; i++ )
{
WIRE_DDR_OUT;
WIRE_PORT_CLR; //拉低 , 读时间隙开始

WIRE_DDR_IN; //上拉, 等待读入
WIRE_PORT_SET; //

delay_1us();

if( check_ack )
{
temp |= 1 << i;
}

delay_nus(480); //480us以上
}
return temp;
}

float get_temp( void )
{
uchar temh;
uchar teml;

init_1820(); //复位18b20
write_1820(0xCC); // 发出转换命令
write_1820(0x44);
delay_nus(10);

init_1820();
write_1820(0xCC); //发出读命令
write_1820(0xBE);

teml=read_1820(); //读数据
temh=read_1820();
temperature = ( ( temh << 8 ) + teml ) * 0.0625; //计算具体温度
return temperature;
}


本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除( 邮箱:macysun@21ic.com )。
换一批
延伸阅读
关闭