23. LCD液晶显示实验

一。 硬件连接

二。 LCD&lcddev结构体

LCD结构体在LCD.h中定义

访问LCD_REG，地址就是0x6C000000|0x000007FE，此时RS= 0，发送命令

访问完LCD_REG后，结构体指针自动加1，访问LCD_RAM，内部地址相应加2，此时RS= 1，发送数据

lcd_dev结构体介绍：

width和height为LCD的宽度和高度。

id为LCD的ID，比如9341等。

dir为LCD是竖屏还是横屏的标志，0为竖屏，1为横屏。

wramcmd为开始写gram指令。

setxcm为设置x坐标指令。

setycmd为设置y坐标指令。

例：对于id = 0x9341的LCD

//设置LCD显示方向函数这个函数会在LCD初始化的最后进行调用。

//dir = 0,竖屏,dir = 1,横屏

void LCD_Display_Dir(u8 dir)

{

if (dir == 0) //竖屏

{

lcddev.dir = 0; //竖屏

lcddev.width = 240;

lcddev.height = 320;

lcddev.wramcmd = 0x2C;

lcddev.setxcmd = 0x2A;

lcddev.setycmd = 0x2B;

}

else //横屏

{

lcddev.dir = 1; //横屏

lcddev.width = 320;

lcddev.height = 240;

lcddev.wramcmd = 0x2C;

lcddev.setxcmd = 0x2A;

lcddev.setycmd = 0x2B;

}

}

三。 底层接口函数

写寄存器内容函数是写寄存器值函数+写数据函数

//写寄存器函数

//regval:寄存器值 RS= 0

void LCD_WR_REG(u16 regval)

{

LCD->LCD_REG=regval; //写入要写的寄存器序号

}

//写 LCD 数据函数 RS= 1

//data:要写入的值

void LCD_WR_DATA(u16 data)

{

LCD->LCD_RAM=data;

}

//读 LCD 数据函数

//返回值:读到的值

u16 LCD_RD_DATA(void)

{

return LCD->LCD_RAM;

}

//写寄存器函数

//LCD_Reg:寄存器地址

//LCD_RegValue:要写入的数据

void LCD_WriteReg(u8 LCD_Reg, u16 LCD_RegValue)

{ LCD->LCD_REG = LCD_Reg; //写入要写的寄存器序号

LCD->LCD_RAM = LCD_RegValue; //写入数据

}

//读寄存器函数

//LCD_Reg:寄存器地址

//返回值:读到的数据

u16 LCD_ReadReg(u8 LCD_Reg)

{ LCD_WR_REG(LCD_Reg); //写入要读的寄存器序号

delay_us(5);

return LCD_RD_DATA(); //返回读到的值

}

//开始写 GRAM函数

void LCD_WriteRAM_Prepare(void)

{

LCD->LCD_REG=lcddev.wramcmd;

}

//LCD写GRAM

//RGB_Code:颜色值

void LCD_WriteRAM(u16 RGB_Code)

{

LCD->LCD_RAM = RGB_Code;//写十六位GRAM

}

四。 初始化函数

FSMC设置：

readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x01; //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns

readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到

readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x0f; // 数据保存时间为16个HCLK,因为液晶驱动IC的 读数据的时候，速度不能太快，尤其对1289这个IC。

readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;

readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A

writeTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK

writeTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间（A

writeTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; ////数据保存时间为4个HCLK

writeTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

writeTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

writeTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;

writeTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM4;// 这里我们使用NE4 ，也就对应 BTCR[6],[7]。

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; // 不复用数 据地址

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据 宽度为16bit

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; // 存储器写 使能