国产光刻胶迎来首条生产线，对7nm芯片制造产生重大影响

光刻胶是集成电路生产制造的核心材料，也是微电子技术的微细图形加工的关键材料之一。光刻胶的质量与性能对芯片的成品、性能具有至关重要的影响，更是集成电路生产制造中产业链中技术门槛最高的微电子化学品之一，也是当前电子领域中重要的基础应用材料之一。

多年来，光刻胶研发被列入我国高新技术计划、重大科技项目。今年9月28日，国家发展改革委、科技部、工业和信息化部以及财政部联合印发的《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》中明确提出，要加快在光刻胶、高强高导耐热材料、耐腐蚀材料等领域实现突破。

自美国接二连三在半导体领域发起出口限制，我国半导体国产化进程也备受关注。而事实上，当前我国在半导体的设计、封测以及制造三大关键程序已有了初步的发展。近日，芯片生产的关键材料——光刻胶领域迎来了一则好消息，预计将对我国7nm芯片生产带来重大突破。

早期油墨感光产品所用的配方均依赖进口，一旦供给端出现问题，生产就会陷入被动。但自主创新走起来又非常难，特别是国内起步晚，很多技术都被外国垄断。在实现从“0到1”的突破中，我国企业面对重大阻力，一方面来自外部环境，当时业内领先企业大多向海外购买成熟配方直接投产，以便迅速抢占市场;另一方面来自企业内部，不仅关键技术研发遭遇瓶颈，而且研发出的产品屡屡遭受市场质疑。

幸运的是，近年来国家生态文明建设力度不断加大，为公司带了发展机遇。面对日益严格的环保核查，国产产品以优异的性价比打开了市场销路，逐步占据了一定市场份额。

而我国宁波南大光电材料有限公司(以下简称“南大光电”)公开宣布，该司首条ArF光刻胶生产线已正式投产，估计项目完全达产后年销售额将达10亿元。目前南大光电已将这款ArF(193nm)光刻胶的样品已经送到客户手上进行测试，预计将会收到更多订单。

光刻胶是生产制造集成电路的核心材料，主要起到将作用“将设计的图像从模板中转移到晶圆表面合适的位置”的作用。因此，光刻胶的质量和性能对芯片最终的成品、性能等具有重要影响。要知道，虽然我国不乏光刻胶生产企业，但是主要都集中于G线(436nm)、I线(365nm)等低端品种，ArF光刻胶等高端种类几乎100%依赖进口。

2019年，我国光刻胶市场本土企业的销售规模达到70亿元，在全球占据了约10%的市场份额。然而，若进一步划分到高端市场，就会发现，当前全球高端光刻胶制造有95%集中在美国和日本企业手上，日本信越化学、东京日化等企业在这其中尤为突出，垄断了将近90%高端光刻胶市场。

意识到我国在高端半导体材料领域的不足，近年来我国企业晶瑞股份、上海新阳以及上文提及的南大光电也在积极钻研，试图打破美日企业的垄断。其中，早在2017年，南大光电就将“ArF193nm光刻胶项目”的开发提上日程。另外，晶锐股份则选择了借用“外力”发展高端光刻胶。

今年9月下旬，晶瑞股份发布了一则令业界“为之沸腾”的消息，该司将通过代理商(Singtest Technology PTE.LTD.)从韩国半导体生产商SK海力士(SK Hynix)手上购买一台ASML光刻机设备。业内人士指出，这台光刻机的总价值约为1102.5万美元(折合约7523万元人民币)，是一台“二手货”。按照计划，晶瑞股份将此工具用于高端光刻胶的生产。

要知道，ArF光刻胶对28nm到7nm工艺的芯片生产具有关键作用。而截至目前，我国最大的芯片代工商——中芯国际最先进的芯片制程也才达到了14nm。考虑到美国自9月中旬就颁布了芯片配件的出口新规，再加上荷兰巨头ASML的EUV光刻机迟迟未到货，中芯国际的芯片制程发展也受到一定束缚。

如今，凭借多年自主研发和实践积累，我国企业已逐步掌握了树脂合成、光敏剂合成、配方设计及制造工艺控制等电子感光化学品核心技术，陆续推出了多种处于行业领先地位的PCB感光油墨产品，可有效提高电子线路图形精确度，降低产品次品率，同时可适应PCB技术向高密度、高精度、多层化发展的趋势。而我国供应商在光刻胶领域取得重大突破，意味着中芯国际在半导体材料供应商又多了一层保障。