第三代半导体氮化镓功率芯片研发成功

据昨日报道，我国成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，该芯片实验室来自重庆邮电大学。

据重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义表示，第三代半导体氮化镓功率芯片主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面，其具备体积小、效率高、用电量少等特点。

并且这款功率半导体芯片电量能节省10%以上，面积是硅芯片的1/5左右，开关速度提升10倍以上。

目前，该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

值得注意的是，由重庆邮电大学规划的重庆集成电路设计创新孵化中心已入驻西部(重庆)科学城。

该中心将着力建设重庆市集成电路公共设计、测试分析、半导体工艺等为一体集成电路中试平台，结合重庆市新兴产业需求，提供低成本、高效率的集成电路公共服务与专业技术支持;孵化一批人工智能芯片、公共安全专用芯片、化合物半导体芯片等方向的高端科技成果及高科技企业。