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[导读]其中台积电表示,他们将会在2022年量产3nm工艺,不过,他们仍会选择FinFET晶体管技术,而三星则已经选择GAA技术,并且还成功流片,这也意味着他们离量产又近了一步。

其中台积电表示,他们将会在2022年量产3nm工艺,不过,他们仍会选择FinFET晶体管技术,而三星则已经选择GAA技术,并且还成功流片,这也意味着他们离量产又近了一步。

据外媒报道,三星电子装置解决方案事业部技术长Jeong Eun-seung在此前的一场技术论坛中透露,三星能够抢先在台积电之前完成GAA技术的商业化。他表示:“我们开发中的 GAA 技术,领先主要竞争对手台积电。一旦巩固这项技术,我们的晶圆代工事业将可更加更进一步。”

据了解,GAA技术是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET,该技术可以显着增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。三星表示,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积将会提高35%以上,在性能提升30%的同时,功耗降低50%。有消息称,三星GAA技术的3nm工艺有可能2024年才能量产,这将会与台积电2nm工艺竞争。

8月27日消息,据国外媒体报道,上周曾有报道称,研究机构预计三星电子的3nm制程工艺,不太可能在2023年之前量产,量产的时间可能会晚于台积电的3nm工艺。

而英文媒体最新的报道显示,采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术的三星3nm制程工艺,目前在研发方面仍有挑战,还有关键技术问题尚未解决。

英文媒体是援引产业链人士的透露,报道三星3nm工艺的研发仍面临挑战的。

这名产业链的消息人士还透露,就成本和芯片的性能来看,采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术的三星3nm制程工艺,竞争力可能低于采用鳍式场效应晶体管技术(FinFET)的台积电3nm工艺。

在芯片制程工艺方面,三星电子虽然实力强劲,但他们已有多代制程工艺的量产时间晚于台积电,7nm和5nm就是如此,他们也已连续多年未能获得苹果A系列处理器的代工订单,在芯片代工市场的份额,也远不及台积电,他们对3nm工艺也寄予厚望。

三星此前宣布最早将于2022年量产3nm,这个3nm制程是3GAE版本,也就是3nm gate-all-around early,三星把这个版本称为先行试错版。

至于可能在2023年正式量产的3nm版本则是3GAP,即3nm gate-all-around plus,也就是3nm工艺的强化版本,二者在量产率和性能上有所差别。关于两种3nm版本,三星则表示一直在与客户进行沟通,保证3nm工艺能在2022年如期量产,希望就此赢得更多的客户。

3GAE和3GAP两个3nm版本,最早是三星在2019年5月份提出,当时三星表示与7nm LPP工艺相比,3GAE的性能提高35%,功耗降低50%,面积减少45%。

对于三星3nm的真正实力,国外Digitimes网站也给出了详细的数据分析,结合台积电和英特尔发布的标准参数可知,台积电的3纳米工艺可以做到2.9亿颗/平方毫米,三星的3纳米工艺只有1.7 亿颗/平方毫米,参数上甚至连英特尔的7nm工艺都比不上。

今年6月底,三星宣布旗下采用全环绕栅极架构(Gate-All-Around FET,GAA)的3纳米制程技术已正式流片,本次流片是与新思科技合作完成的,目的在于加速为 GAA 架构的生产流程提供高度优化的参考方法,使其在功率和性能上均实现最大化。

三星在旗下3nm制程的宣传上,一直把GAA架构作为主要优势和卖点,三星表示,采用全环绕栅极架构(Gate-All-Around FET,GAA)的3纳米制程技术性能要优于台积电,后者3nm采用的是鳍式场效应架构(FinFET)。GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。

据韩媒Business Korea最新报道,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。

他直言:“我们开发中的GAA技术,领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术,我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

据悉,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准,当时三星预计3nm GAA工艺会在2020年底试产,2021年量产,但现在显然不能实现这个计划了。

需要注意的是,有消息称三星3nm GAA工艺如果拖到2024年量产,将会直接与台积电2nm竞争,到时候鹿死谁手还犹未可知。

台积电计划在今年下半年开始试产3nm工艺芯片,预计2022年量产。三星如果想要赶上台积电的步伐,估计需要在2022年或2023年推出3nm GAA技术。一旦推迟到2024年,那会直接撞上台积电2nm工艺,那时候就没有任何优势可言。

很多人对三星3nm GAA技术报以怀疑态度,因为三星的制程工艺一直都落后于台积电,即便是同一代产品,其性能和功耗表现也相差甚远,从去年的5nm工艺上就能看出差距。所以,很多人觉得即便三星3nm GAA技术真的成了,估计也就相当于台积电5nm工艺水平,甚至还不如。

目前,三星3nm GAA工艺尚未量产,实际表现如何也没办法判断。即便只能达到台积电5nm工艺的水准,只要价格上有优势,应该也会很受欢迎。隔壁台积电昨天刚宣布芯片代工报价上涨20%,如果三星报价更便宜,估计订单也不会少。

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