中电压MOSFET可以减少优异图

功率密度和轻负载效率的提高是关键问题，服务器，电信和AC-DC电源设计师。此外，在这些开关模式电源的同步整流（SMPS）设计要求符合成本效益的电源解决方案，最大限度地减少电路板空间，同时提高效率和降低功耗。仙童半导体公司（NYSE：FCS的）帮助设计者满足这些电源设计挑战与扩大了的PowerTrench?MOSFET的家庭。

中期电压电源的MOSFET组合的一部分，这些设备进行了优化相结合的一个小门电荷（QG），一个小的反向恢复电荷（QRR）和软反向恢复体二极管，允许快速开关速度的电源开关。可在40V，60V和80V的评级，这些设备需要较少的缓冲电路的功耗，由于减少了竞争对手的解决方案，以15％的电压尖峰优化软体二极管。

设备采用屏蔽栅硅技术，提供了电荷平衡，实现更高的功率密度，低振铃和更好的光负载效率。通过使用这种技术，设备的同时减少驾驶的损失，增加电源效率，实现较低的优点（QG型x图的RDS）。

第一个可用的设备包括40V FDMS015N04B在Power56封装提供80V FDMS039N08B，和60V FDP020N06B和80V FDP027N08B在TO-220 3引线封装。

特点和优点：

• 小封装尺寸（Power56和TO-220 3铅）系统规模最大的热性能
• 降低QG型降低栅极驱动损耗
• 低QGD / Qgs比防止反过来提高了系统的可靠性的不良
• 低动态的寄生电容，以减少高频应用的大门驾驶亏损
• 100％UIL的测试
• 符合RoHS

除了这些新的PowerTrench MOSFET的小号，增强新时代的中电压MOSFET产品。该设备是全面的PowerTrench技术组合的一部分，是实现更高的能源效率，以满足当今电子电气和热性能要求。