• 全球MEMS厂商TOP10企业歌尔新增代理商,全面布局智能移动终端

    MEMS传感器作为手机、电脑、智能穿戴、无人机、机器人等各类智能产品必备的核心零部件,是电子信息行业众多制造企业生存和发展的根本。作为全球最大的MEMS市场,国内市场将会保持高速增长。据悉,全球MEMS厂商TOP10的中国企业歌尔已与世强硬创电商签订授权代理协议,授权其全线代理旗下产品,全面布局智能移动终端。 歌尔股份有限公司成立于2001年6月,主要从事声学、传感器、光电、3D封装模组、微显示光机模组等精密零组件,以及虚拟/增强现实、智能穿戴、智能音频、智能家居等智能硬件的研发、制造和销售。歌尔自创立伊始开始探索MEMS麦克风技术开发与合作,截至目前已具备“芯片+器件+模组+系统+封装“的一站式整体解决方案,在MEMS领域已拥有专利超过1600项,其中发明专利近550项、国外专利近210项,研究成果及产品已广泛应用于智能穿戴、航模无人机、物联网、人工智能等多个领域的产品中。 目前,歌尔已将其全线产品介绍、应用方案、选型指南、数据手册、测试报告等资料发布至世强硬创电商平台上供工程师查阅、下载,工程师也可在平台上申请歌尔全线产品的免费样品。世强数百位技术专家将帮助工程师快速完成产品选型,免费提供服务,48小时内响应。 用户可前往官网,快速获取更多歌尔最新最全面的技术、产品和资讯。

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  • 国产工业级DSP、蓝牙5.2 SoC、MCU新品即将发布!缓解缺芯之急

    目前,由芯片产能不足带来的各种缺货涨价已成市场常态,尤其是主控、存储等核心器件的缺货,影响领域已由汽车产业扩大到消费电子、工业自动化、通信设备等领域。 缺芯态势愈发严峻,国产芯片正当时。全球领先的研发服务平台「世强硬创电商」,集结了主控器件及存储芯片领域的国产“黑马”厂商,将在4月27号举行新产品研讨会,与会供应商将在线发布MCU(最新ARM Cortex M23内核)、DSP(国内自主产权,供货稳定不涨价)、蓝牙5.2 SoC、存储等多种新产品,分享行业领先技术及热门应用解决方案。 这些新产品性能如何?哪些产品可以替代欧美品牌?哪些产品有现货?小编为您带来新品前瞻—— Ø 进芯电子:国产32bit工业级DSP,拥有自主知识产权,主要应用于工业智能、物联网、电源管理、智能家居等电子信息领域,可PIN TO PIN完美替代欧美品牌。 Ø 中科芯:软硬件全兼容STM32 MCU,产品覆盖M0到M4内核8大系列,主要应用于移动通讯、工业控制、云计算、物联网等新兴产业。 Ø 瑞纳捷:内置国密算法的超低功耗MCU,功耗低至5uA,应用于智能门锁、答题器、电子价签、物联网智能终端等领域;百万现货库存,缓解缺芯之急。 Ø 中微半导体:国内首款高度集成2CH比较器、2CH可编程增益放大器的32位MCU,功耗低至0.45uA。 Ø 博雅科技:高性价比SPI Nor Flash,容量从512Kb~256Mb,性能参数完全兼容,广泛应用于各类嵌入式系统,包括消费电子、数码产品、电脑相关以及网络通信等。 Ø 聚辰半导体:国产1K~1024k全容量全封装系列,低功耗、车规级EEPROM存储器,应用于车身控制模块、驾驶辅助系统以及信息娱乐与车联网系统等模块。 以上新品的全部信息,将在4月27日举行的「世强硬创新产品研讨会:主控器件及存储专场」一一揭晓!此外,国民技术、芯海、瑞萨、AIT、Alliance等全球知名品牌的新产品、解决方案,也将在该场研讨会上进行发布。

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  • 聚焦2021时钟新品,Silicon Labs、Epson、大普通信等行业大佬们都在聊些什么?

    近年来,电子设备一直保持着不断集成化、物理和环境痕迹减少的趋势。这意味着当前对更少消耗并在更宽的温度范围内保持精确时间的实时时钟芯片的需求仍将不断增长。在此背景下,世强硬创新产品研讨会2021年时钟专场将在4月23日举办, Silicon Labs、EPSON、Renesas、大普通信等全球知名品牌确认出席本次研讨会。 会议将聚焦高精度,小型化,低功耗成时钟产品,包括晶体、晶振、TCXO、RTC、OCXO、缓冲器、去抖时钟等,产品品类丰富,包括宽温度范围(-40~125),TTL兼容时钟;内置32.768K晶体的国产RTX芯片;±0.1ppm~±2ppm温补晶振;抖动低于350fs的可编程硅振;小封装150mA低功耗时钟等,相关时钟产品应用市场广阔,基本涵盖了目前市场上最热门的领域,如工业物联网、AI人工智能、电动汽车、PAM4光模块、相干光模块时钟方案、5G小基站、国产IEEE 1588时间同步解决方案等。会议还将发布高性能时钟解决方案,全面满足客户的差异化需求。 目前时钟专场报名通道已开通,用户可前往官网报名参会。

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  • 提升电动汽车无线设备品质的测试解决方案

    提升电动汽车无线设备品质的测试解决方案

    随着5G通信与车联网发展,电动汽车逐渐升级为集自动驾驶、泊车与充电等为一体的智能电动汽车。当前电动汽车有线充电方式太过繁琐,无法满足智能电动汽车的自动充电的应用需要,这就给电动汽车无线发展提供了绝佳机遇。电动汽车无线充电相比有线充电具备得天独厚优势---超高的充电便利、无人值守后期维护成本低、占地小空间利用率高等,甚至能够解决当前电动汽车的续航焦虑。 电动汽车大功率无线充电设备常采用磁场共振式,与电动汽车通讯握手适配后,通过电磁场将能量传送至智能电动汽车接收到的能量设备,并对电池充电实现电动汽车能量补给,补给完成后自动断开充电。电动汽车无线充电设备功率通常为3~22kW,输入交流电压为180~270VAC,输出电压范围为200~ 900V DC。在研发、认证与生产等环节均需要可编程交流电源提供正常或异常的供电对电动汽车无线设备严格测试验证。 电动汽车无线充电设备对可编程交流电源的要求: 1. 输出宽范围电压与频率调节,并且精准的电压与频率输出; 2. 具备模拟电网波动功能(如List编程功能),可实现电压与频率同时变化; 3. 具备三相不平衡、谐波合成功能; 电动汽车无线充电设备的测试拓扑图 电动汽车无线充电设备的测试项目与设备 PSA6000系列高性能可编程交流电源是具有高精度、宽范围输出的电网模拟输出设备,输出功率2~21kVA,输出频率超过5000Hz,支持自校正输出以显著提升输出精度,集成丰富的前沿应用解决方案,为电子产品性能测试与品质验证提供多种类型的正常或异常供电工况,配备完善的保护功能(OVP/OCP/OPP/OTP 等),可轻松应对研发、认证、生产检验等阶段的复杂测试挑战,适用于消费电子、信息与通信技术、新能源与航空电子等领域。

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  • 数模转换器使用误差源自何处?这两大数模转换器应用你知道吗?

    数模转换器使用误差源自何处?这两大数模转换器应用你知道吗?

    本文中,小编将对数模转换器的误差来源以及数模转换器的两大应用予以介绍,如果你想对数模转换器的详细情况有所认识,或者想要增进对数模转换器的了解程度,不妨请看以下内容哦。 一、数模转换器引言 数模转换器是一种将数字信号转换为模拟信号的系统,通常可以通过低通滤波来实现。首先对数字信号进行解码,即,将数字代码转换为相应的电平以形成步进信号,然后执行低通滤波。根据信号和系统的理论,数字步进信号可以看作是理想脉冲采样信号和矩形脉冲信号的卷积。然后根据卷积定理,数字信号的频谱就是脉冲采样信号的频谱和矩形脉冲频谱相乘得到的结果。 二、数模转换器使用过程中的三种误差 在使用数模转换器的过程中,不可避免地会发生错误。 那么这些错误的原因是什么呢?这三种类型的错误之间有什么关系? 1. 失调误差 这种类型的误差被定义为当数字输入均为全0码时模拟输出值与理想输出值二者之间的偏差。 就单极性D / A转换而言呢,模拟输出的理想值为零伏点。而针对双极性D / A转换,负域满量程则是理想值。 2. 增益误差 D / A转换增益或比例因子其实就是D / A转换器的输入和输出传输特性曲线的斜率,而增益误差就是实际转换增益与理想增益之间的偏差。 输入时表示输出值与理想输出值(满刻度)之间的偏差,通常用LSB的数量或偏差值相对于满刻度的百分比表示。 3. 非线性误差 D / A转换器的这种类型的误差定义为理想转换特性曲线和实际特性曲线之间的最大偏差。为了保证系统的性能,在进行电路设计的时候,通常要求非线性误差不超过±1 / 2LSB。 总结一下就是,数模转换器使用过程中的误差主要来源于三个方面,一是失调误差,二是增益误差,三是非线性误差。这三种类型的误差都会对转换结果产生不好的结果,直接导致转换结果的不准确。所以,大家在使用数模转换器的时候,一定要尽量避免这三种类型的误差的产生,或者将这三种类型的误差控制在一定范围之内。 三、数模转换器的应用 1.在LCD中用来控制白色LED背光亮度 如图所示,环境亮度检测器输出与现有光的亮度成比例的电流。 TIA(跨导放大器)将该小电流转换为电压,然后将该电压发送到A / D转换器。系统中的微控制器读取A / D输出并通过I2C接口设置数字电位器。数字电位器连接到白色LED驱动器ADM8846的Rset引脚,从而改变了它提供给LED的输出电流,从而完成了LED的亮度控制。 上电时,AD5245预设为中间电阻值。 2.6通道视频编码器ADV7322同时在标清TV和高清TV上显示视频的应用 图为6通道视频编码器ADV7322的应用,该编码器可同时在标清电视和高清电视上显示视频。 图上面的高清电视视频信号将模拟Y,Pr和Pb信号分开,并使用三根电缆进行独立传输,而下部标清电视输入是复合视频信号,而6个输出 必须缓冲ADV7322的驱动器,以驱动高清和标清显示器。 此外,由于AD8061具有适用于视频应用的出色参数特性,因此在这里选择AD8061作为缓冲器。 ADV7322的输出还可以根据所连接设备的需求添加一个模拟低通滤波器,以实现反图像滤波。 最后要注意的一点是,尽管ADV7322包含一个片上基准,但您可能还需要考虑使用更好的外部基准来优化其性能,例如AD1580。 最后,小编诚心感谢大家的阅读,希望大家对数模转换器的误差来源以及数模转换器的两大应用已经具备一定的了解。你们的每一次阅读,对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后,祝大家有个精彩的一天。

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  • 什么是数模转换器?数模转换器的速度极限受何影响?

    什么是数模转换器?数模转换器的速度极限受何影响?

    在这篇文章中,小编将为大家带来数模转换器的相关报道,在本文中,你将对数模转换器以及数模转换器的速度极限有所了解。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、什么是数模转换器 首先,我们一起来了解下数模转换器的基本信息,例如简称、构成、作用等。 数模转换器,简称DAC,是一种将数字量转换为模拟量的设备。 D / A转换器基本上由权电阻网络、运算放大器、基准电源和模拟开关这4个不同的部分组成。数模转换器通常用于模数转换器中。模数转换器是A / D转换器,或简称ADC。它是一种将连续模拟信号转换为离散数字信号的设备。 最常见的数模转换器将并行二进制数字量转换为直流电压或直流电流。它通常用作过程控制计算机系统的输出通道,并连接到执行器以实现对生产过程的自动控制。数模转换器电路还用于采用反馈技术的模数转换器的设计中。 DAC主要由数字寄存器、模拟电子开关,位权网络、求和运算放大器和参考电压源(或恒流源)组成。使用存储在数字寄存器中的数字位分别控制相应位的模拟电子开关,以便使数码1的位在位权重网络上生成与其位权重成正比的电流值,然后由运算放大器控制每个电流值求和并转换为电压值。 二、数模转换器的速度极限 在了解了数模转换器的基本信息后,我们再来看看数模转换器的速度极限。根据使用经验,数模转换器的速度极限通常由两个参数所共同决定,这两个参数分别使压摆率和建立时间。下面,我们一一来看看这两个参数的详细内容。 1、压摆率 首先,数模转换器的速度极限收到压摆率的影响,也有人将其描述为运算放大器的速度极限。 DAC的压摆率参数与运算放大器的摆率参数通常保持为1:1的比例。 通常,当输入电压发生显着变化时,输出放大器将开始摆幅,即在输出端以最快的速度来增加输出。输出放大器保持该状态,直到接近期望值,同时输出开始稳定在指定的误差范围内。 产品规格描述了DAC摆动时在其输出端可以看到的最大变化率,通常为每秒几微伏。 注意:该图并非根据真实器件按比例绘制,而是经放大后显示的各个区域 2、建立时间 其次,数模转换器的速度极限还受到建立时间的约束。 DAC的建立时间与运算放大器的建立时间非常相似。此外,主要区别在于DAC的建立时间还包括停滞时间分量。DAC锁存或更新输出所花费的时间被定义为停滞时间。锁存行为通常是由数字信号的下降沿(称为LDAC)触发的。下图显示了LDAC与DAC输出之间的交互作用,该交互作用取自DAC8568手册。 如果输入步进很大,则DAC将进入摆幅区域,如上两个图所示。在摆幅区域,DAC的发展将受到压摆率参数的限制。如果DAC确实需要摆动,则建立时间的下一个阶段将处于过载恢复状态,然后是达到指定误差带所需的线性建立时间。对于DAC,误差带通常在1LSB内指定。 产品说明书中为较大的步骤提供了建立时间参数。例如,DAC8568的指定建立时间为5us,范围通常为¼满量程输出至¾满量程输出。 请记住,摆动时间占整个设置时间的大部分,因此,如果您的输出步长小于手册中指定的设置时间规格,则构建系统所花费的时间将会缩短。在大多数高精度应用中,建立时间是DAC的有效更新速率。 以上就是小编这次想要和大家分享的有关数模转换器和数模转换器速度极限的内容,希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章,可以在网页顶部选择相应的频道哦。

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  • 电路保护IC产品了解一波?带你解读USB Type-C端口保护器

    电路保护IC产品了解一波?带你解读USB Type-C端口保护器

    以下内容中,小编将对TI TPD4S311端口保护器的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对这款电路保护IC产品的了解,和小编一起来看看吧。 一、TPD4S311端口保护器概述 TPD4S311是单芯片USB Type-C端口保护设备,可提供20V的VBUS短路过电压和IEC ESD保护。 自发布USB Type-C连接器以来,已经发布了许多不符合USB Type-C规范的USB Type-C产品和配件。 USB Type-C Power Delivery适配器就是一个例子,该适配器仅在VBUS线上施加20 V的电压。 USB Type-C的另一个问题是,连接器的机械扭曲和滑动可能会缩短针脚的位置,因为它们在这个小型连接器中的距离非常近。这可能导致20 V VBUS与CC和SBU引脚短路。同样,由于Type-C连接器中的引脚接近,人们更加担心杂物和湿气会导致20-V VBUS引脚与CC和SBU引脚短路。 这些非理想的设备和机械事件使CC和SBU引脚必须能够承受20V的电压,即使这些引脚仅在5V或更低的电压下工作。 TPD4S311通过在CC和SBU引脚上提供过压保护,使CC和SBU引脚能够承受20 V的电压,而不会干扰正常工作。该器件在SBU和CC线上串联放置高压FET。当在这些线路上检测到高于OVP阈值的电压时,高压开关就会断开,从而将系统的其余部分与连接器上的高压状态隔离开来。 大多数系统要求外部引脚具有IEC 61000-4-2系统级ESD保护。 TPD4S311为USB Type-C连接器的CC1,CC2,SBU1和SBU2引脚集成了四个IEC61000-4-2 ESD保护通道。 这意味着TPD4S311的单个芯片中的USB Type-C连接器上的所有低速引脚都提供了IEC ESD保护。 此外,CC和SBU线路需要具有22V DC耐压的高压IEC ESD保护,以便同时支持IEC ESD和VBUS短路保护。 可以提供这种保护的离散市场解决方案并不多。 TPD4S311集成了此高压IEC ESD二极管,经过专门设计以确保其与设备内部的过压保护FET配合使用。使用分立组件很难生成这种解决方案。 二、TPD4S311端口保护器详述 TPD4S311端口保护器为USB Type-C连接器的CC1,CC2,SBU1和SBU2引脚提供4通道VBUS短路过压保护。 TPD4S311能够在其C_CC1,C_CC2,C_SBU1和C_SBU2引脚上处理24-VDC。这是必要的,因为根据USB PD规范,将VBUS设置为20V运行时,在不同USB PD VBUS电压的电压跃迁下,允许VBUS电压合法摆动至21V和21.5V。 TPD4S311内置高达24VBUS的容差,以提供高于21.5V规范的裕量,从而能够支持可能会破坏USB PD规范的USB PD适配器。 当发生VBUS短路事件时,由于热插拔事件中的RLC元素,会发生振铃。由于该RLC电路中的电阻非常低,因此振铃可能会在连接器上出现两倍于稳定电压的振铃。如果在短路至VBUS事件期间线路上的任何电容器的电容值降低,则可能会产生超过2倍的振铃。这意味着在“与VBUS短路”事件期间,USB Type-C引脚上可能会看到超过44 V的电压。 TPD4S311端口保护器具有内置电路保护来处理此振铃。用于IEC ESD保护的二极管钳位电路也可在VBUS短路事件期间钳制振铃电压,以将峰值振铃限制在大约30V。此外,TPD4S311端口保护器内置的过压保护FET可以承受30 V的电压,因此能够支持在VBUS短路事件中遇到的高压振铃波形。精心设计的电压钳位和30V耐压OVP FET的组合确保TPD4S311能够处理VBUS热插拔事件,热插拔电压高达24 VDC。 TPD4S311端口保护器具有70 ns(典型值)的极快关断时间。此外,在TPD4S311端口保护器的系统侧OVP FET(CC1,CC2,SBU1,SBU2)引脚上的OVP FET之后放置了额外的电压钳位,以进一步限制在USB Type-C CC / PD控制器期间暴露给USB Type-C CC / PD控制器的电压和电流 OVP FET关闭时的间隔为70 ns。 连接器侧电压钳位,具有极快关断时间的OVP FET和系统侧电压钳位的组合,可确保在VBUS短路期间CC1,CC2,SBU1或SBU2引脚上看到的应力水平 小于或等于HBM事件。 这是通过设计完成的,因为任何USB Type-C CC / PD控制器都将内置HBM ESD保护。 最后,小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读,对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后,祝大家有个精彩的一天。

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  • 什么是光学电流传感器?大佬解读光学图像传感器

    什么是光学电流传感器?大佬解读光学图像传感器

    在这篇文章中,小编将为大家带来光学传感器的相关报道,主要内容在于介绍光学传感器的两大应用——光学电流传感器、光学图像传感器。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、光学传感器引言 在详细了解光学电流传感器以及光学图像传感器之前,我们先看看光学传感器的主要应用范畴。 光学传感器是一种传感器,是依据光学原理进行测量的,它有许多优点,如非接触和非破坏性测量、几乎不受干扰、高速传输以及可遥测、遥控等。 光学传感器广泛应用于航天、航空、国防科研、信息产业、机械、电力、能源、交通、冶金、石油、建筑、邮电、生物、医学、环保等领域。 二、光学电流传感器 光学电流传感器是在军事陀螺仪技术的基础上发展起来的一种新型电流传感技术。 它不受交流和直流电流的限制,没有磁滞和磁饱和,这意味着它可以直接用于直流。电流和交流电的检测和测量范围可以从小安培到数十万安培,准确度为0.1%,光学电流传感器是未来电解行业的最佳选择。 光学电流传感器可分为磁光玻璃光学电流传感器和光纤电流传感器。 磁光玻璃光电流传感器的传感部分采用普通的磁光玻璃,材料成熟,光学元件少,系统结构简单,无需温度控制。 光纤电流传感器是由连接部件组成,结构非常简单,很容易实现与各种电气设备的匹配。 光纤电流传感器分为直流光纤电流传感器和交流光纤电流传感器。 DC光纤电流传感器的结构更简单,尤其是在大型DC传输导体上,可以很容易地在现场安装而不会停电。就技术测量参数而言,这种光纤直流传感器不受电压水平的限制,因为其所有材料均由非导电玻璃材料和某些非金属材料制成。在电流测量方面,由于光纤材料没有磁饱和,其特性、测量电流范围非常宽,可以完全适应各种电解行业中的大电流测量。 三、光学图像传感器 在了解了光学电流传感器之后,我们再来看看光学图像传感器的相关内容。 图像传感器或光敏元件是一种将光学图像转换成电子信号的设备。它被广泛用于数码相机和其他电子光学设备中。早期的图像传感器使用模拟信号,例如摄像头。随着数字技术,半导体制造技术和互联网的飞速发展,市场和行业都面临着跨所有平台的视频,音频和通信集成时代的到来,这概述了人类未来的美好生活。随着其在日常生活中的应用,它无疑是一种数码相机产品,其发展速度可谓日新月异。在短短的几年内,数码相机已从数十万个像素增长到了4个,500万个甚至更高。不仅在欧美发达国家,数码相机已经占据了很大的市场,即使在发展中的中国,数码相机的市场也在以惊人的速度增长。因此,其关键部件图像传感器产品已经成为当前的趋势,并且该行业未来将要关注的目标正在吸引众多制造商的投资。按产品类别划分,图像传感器产品主要分为CCD,CMOS和CIS传感器。 CCD图像传感器由于其高灵敏度和低噪声而逐渐成为图像传感器的主流。 然而,由于技术原因,敏感部件和信号处理电路不能集成在同一芯片上,从而导致由CCD图像传感器组装的相机的体积大和功耗高。 CMOS图像传感器体积小、功耗低,在图像传感器市场上是独一无二的。但是起初市场上的CMOS图像传感器还没有摆脱低感光度和低图像分辨率的缺点,并且图像质量无法与CCD图像传感器相提并论。 以上便是小编此次带来的有关光学电流传感器、光学图像传感器的全部内容,十分感谢大家的耐心阅读,想要了解更多相关内容,或者更多精彩内容,请一定关注我们网站哦。

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  • 什么是光学传感器?光学传感器有哪些应用?

    什么是光学传感器?光学传感器有哪些应用?

    今天,小编将在这篇文章中为大家带来光学传感器的有关报道,通过阅读这篇文章,大家可以对光学传感器以及光学传感器的应用具备清晰的认识,主要内容如下。 一、什么是光学传感器 在了解光学传感器的应用前,我们先来看看光学传感器的一些基本内容。 光学传感器是一种传感器,是依据光学原理进行测量的,它有许多优点,如非接触和非破坏性测量、几乎不受干扰、高速传输以及可遥测、遥控等。 主要包括一般光学计量仪器、激光干涉式、光栅、编码器以及光纤式等光学传感器及仪器。在设计上主要用来检测目标物是否出现,或者进行各种工业、汽车、电子产品和零售自动化的运动检测。 光学传感器主要包括光学计量仪器、编码器以及光纤、光栅等器件。这些器件相互配合,才能使光学传感器能够正常工作,精确地测量各种数据。光学传感器在设计上主要是考虑到检测目标物是否能够出现,这里的目标物主要是各种参数是否能够达到目标的要求,比如说各种长度的数值是否能够达到要求,所以它主要用于各种工业、电子产品以及自动化的零件是否能够达到要求目标的检测。 二、光学传感器的应用 对于光学传感器的应用,小编主要分为三个方面来讲。当然,这并不是光学传感器的全部应用。 (一)光学传感器的一般应用 光学传感器主要通过光为媒介进行工作,所以它的检测距离十分之长,能够通过高级设计,灯光集中成一个光束集中在一个小光点之上,来实现高分辨率,也可以通过微小物体的检测和高精度的位置检测。光学传感器也能够应用在医疗领域,对于一些非接触的检测,光学传感器可以在不接触检测物体的前提下,实现检测内部状况,而不会对检测物体和传感器造成损伤,这样既保证了人体的安全,也使得光学传感器能够长期使用。光学传感器也可以用来颜色判别,它通过监测物体形成的光的反射率和吸收率进行分辨,应用这种性质,对检测物体的颜色进行检测。 (二)电子光学生物传感器原理 电子光学生物传感器能够把生物识别事件通过电子光学信号的变化显示出来,从而实现对化学、生物信息的定量分析,具有速度快、灵敏度高、高通量检测等优点。其主要用途主要有:生物、化学反应、生化毒剂和炸药预警,对污染环境开展监测,食品卫生检验、及其生物、医学领域中各类无机物、酶、有机物、核酸的分析化验等。电子光学生物传感器主要是使用电子光学纤维光导发光体和其意外的类型来分类的。与此同时利用光的吸收、荧光等变化的光导发光体,通常要有输入光束和输出光束的两个光路。且在电子光学纤维上防止能识别测定对象分子的生物体物质。而另一种主要是使用了发光现象,则只规定有一个输出光束的光路即可。 (三)光学传感器在重金属领域应用的重要性 重金属离子具有剧毒,会污染农产品并沿着食物链进入人体。 它们会引起慢性中毒并严重危害人类健康。例如,镉离子会引起头痛、恶心等。 汞离子会损害中枢神经系统,铅离子会影响儿童的生长发育等。 目前,金属离子的检测方法主要包括原子吸收光谱法、原子发射光谱法、紫外可见分光光度法、电感耦合等离子体质谱法和阳极溶出伏安法,但这些方法操作复杂、实验周期长、后处理时间长、加工困难、对测试人员和设备的要求严格,并且容易污染环境。 经由小编的介绍,不知道你对光学传感器是否充满了兴趣?如果你想对光学传感器有更多的了解,不妨尝试度娘更多信息或者在我们的网站里进行搜索哦。

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  • 高性能、50Ω 匹配输出超nice的矢量信号发生器!!

    高性能、50Ω 匹配输出超nice的矢量信号发生器!!

    在下述的内容中,小编将会对ADI AD91661矢量信号发生器的相关消息予以报道,如果信号发生器是您想要了解的焦点之一,不妨和小编共同阅读这篇文章哦。 一、概述 AD91661 是高性能、宽带、片内矢量信号发生器,由高速 JESD204B 串行器/解串器(SERDES)接口、灵活的 16 位数字数据路径、正交 (IQ) 数模转换器 (DAC) 内核以及一个集成的差分至单端输出缓冲放大器组成,可匹配高达 10 GHz 的 50 Ω 负载。 DAC 内核基于四开关架构,可改变配置提高 DAC 内核的有效更新速率,从 6.4 GHz DAC 采样时钟配置为高达 12.8 GSPS,模拟输出带宽通常为直流至 9.0 GHz。数字数据路径包括多个插值滤波器级,具有支持快速跳频 (FFH) 的多个数控振荡器 (NCO) 的直接数字频率合成器 (DDS) 块,以及额外的 FIR85 和反 Sinc 滤波器级,以实现灵活的频谱规划。 与单端缓冲器的差分消除了对宽带巴伦的需求,并支持 DAC 内核的全部模拟输出带宽。直流耦合输出可以基带波形,而无需外部偏置三通或类似电路,这使得 AD9166 特别适合应用在最苛刻的高速超宽带 RF 发射。 各种滤波器级使 AD9166 可以配置为较低的数据速率,同时保持较高的 DAC 时钟速率,以简化滤波要求并减小整体系统尺寸,重量和功耗。 数据接口接收器包含多达 8 个 JESD204B SERDES 通道,每个通道可承载 12.5 Gbps。为了实现最大的灵活性,可以根据数据速率、SERDES 通道数量和 JESD204B 变送器所需的通道映射对接收器进行全面配置。 在 2x 非归零 (NRZ) 工作模式(启用 FIR85)下,AD9166 可以将RF载波从真实直流重构到第三个奈奎斯特区的边缘,或者重建高达 9 GHz 的真实直流的模拟带宽。 二、详述 1. 偏移误差 失调误差是DAC输出电流与0 mA理想值之间的偏差。 2. 增益误差 增益误差是实际输出范围与理想输出范围之间的差。 实际跨度由输入为最小代码时的输出与输入为最大代码时的输出之差决定。 3. 温度漂移 将温度漂移指定为相对于温度的最大变化环境温度(25°C)到TMIN或TMAX的值。 对于失调和增益漂移,漂移以每摄氏度满量程范围(FSR)的ppm表示。 对于参考漂移,以ppm /摄氏度为单位报告漂移。 4. 建立时间 建立时间是输出达到并保持在其最终值附近的指定误差带内所需的时间,该时间是从输出转换开始时开始计算的。 5. 无杂散动态范围(SFDR) SFDR是DAC的直流至奈奎斯特频率内输出信号的峰值幅度与峰值杂散信号之间的差,相对于载波(dBc),以分贝为单位。 通常,该频带中的能量被插值滤波器拒绝。 因此,该规范定义了插值滤波器的工作性能以及其他寄生耦合路径对DAC输出的影响。 6. x阶互调失真(IMDx) IMDx(对于二阶,三阶,五阶或七阶互调失真,其中x为2、3、5或7)是峰值幅度之间相对于载波(dBc)的分贝差 输出信号与DAC的直流至奈奎斯特频率内特定x阶的峰值互调产物的关系。 该信号由两个连续波音调组成。 如果存在多个IMDx产品,则选择距离信号最近且包含最高功率的IMDx来计算差值。 该规范定义了模拟输出级的线性度。 7. 信噪比(SNR) SNR是测得的输出信号的均方根值与低于奈奎斯特频率的所有其他频谱分量的均方根和的比率,不包括前六个谐波和直流。 SNR的值以分贝表示。 8. 误差矢量幅度(EVM) EVM定义了调制符号与其在决策边界内的理想位置的平均偏差。 通常,对于给定的调制阶数,EVM被引用为所接收符号与其理想位置之间所有误差矢量幅度的均方根平均值。例如,用于正交相移键控(QPSK)信号的EVM是跨越四个决策边界的EVM的平均值。 使用基带信号测量EVM,该基带信号是具有统计意义的长度的伪随机二进制序列(PRBS)。 以上就是小编这次想要和大家分享的有关ADI AD91661矢量信号发生器的内容,希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章,可以在网页顶部选择相应的频道哦。

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  • 电感器是如何工作的?可调电感器有哪些应用范畴?

    电感器是如何工作的?可调电感器有哪些应用范畴?

    以下内容中,小编将对电感器的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对电感器工作原理以及可调电感器应用范畴的了解,和小编一起来看看吧。 一、电感器工作原理 首先,我们来看看电感器是如何工作的。 电感是导线的磁通量与当交流电通过导线时产生该磁通量的电流之比,电流在导线的内部产生交流磁通量。当直流电流流过电感器时,在电感器周围仅存在固定的磁力线,该磁力线不会随时间而变化。 但是,当交流电流通过线圈时,随时间变化的磁场线将出现在线圈周围。根据法拉第电磁感应定律-磁力产生电流,不断变化的磁力线将在线圈的两端产生感应电势。该感应电势等效于“新电源”。当形成闭环时,该感应电势将产生感应电流。从楞次定律可知,感应电流产生的磁场线的总量将试图防止磁场线的变化。磁场线的变化来自外部交流电源的变化,因此从客观效果来看,电感线圈具有防止交流电路中的电流变化的特性。电感线圈具有类似于机械惯性的特性。它们被称为电的“自感应”。通常,当打开切刀开关或打开切刀开关时,会产生火花。这种自感现象产生的原因很多是由高感应电位引起的。 简而言之,当电感线圈连接到交流电源时,线圈内部的磁力线将始终随交流电而变化,从而导致线圈产生电磁感应。通过线圈自身的电流变化而产生的这种电动势称为“自感电动势”。 可以看出,电感仅仅是与匝数,线圈和介质的尺寸和形状有关的参数。它是电感线圈惯性的量度,与施加的电流无关。 代换原则:1、电感线圈必须原值代换(匝数相等,大小相同)。2、贴片电感只须大小相同即可,还可用0欧电阻或导线代换。 二、可调电感器的应用范畴 可调电感器主要可应用于三个方面,下面我们来一一了解下。 1.半导体收音机用振荡线圈 该振荡线圈在具有可变电容器等的半导体无线电中形成本地振荡电路,并且用于生成本地振荡器信号,该本地振荡器信号的输入调谐电路所接收的无线电信号高于465kHz。 外部是金属屏蔽层,内部是由尼龙衬里框架,I形磁芯,磁帽和销钉座组成。 I形磁芯的绕组由高强度漆包线制成。 磁帽安装在屏蔽层的尼龙框架上,可以上下旋转,并且可以通过改变其与线圈之间的距离来改变线圈的电感。 TV IF陷波线圈的内部结构与振荡线圈相似,只是磁帽是可调节的。 2.电视机用行振荡线圈 行振荡线圈用于早期的黑白电视机中。 它与外围电阻电容组件和线路振荡晶体管一起构成一个自激振荡电路(三点振荡器或间歇振荡器,多谐振荡器),以产生频率为15625HZ的矩形脉冲电压信号。 线圈磁芯的中心有一个方孔,水平同步调节旋钮直接插入方孔中。 通过旋转水平同步调节旋钮,可以改变磁芯与线圈之间的相对距离,从而改变线圈的电感并保持水平振荡频率为15625HZ,并通过自动频率控制发送线路同步脉冲 电路(AFC)产生同步振荡。 3.行线性线圈 行线性线圈是非线性磁饱和电感线圈(其电感随电流的增加而减小),通常串联在线路偏转线圈环路中,并且其磁饱和特性用于补偿线圈的线性失真。图片。 行线性线圈由漆包线制成,该漆包线缠绕在“ I”形铁氧体高频磁芯或铁氧体磁棒上,并在线圈旁边安装了可调式永磁体。通过改变永磁体和线圈的相对位置来改变线圈电感的大小,从而达到线性补偿的目的。 以上便是小编此次带来的有关电感器工作原理以及可调电感器应用范畴的全部内容,十分感谢大家的耐心阅读,想要了解更多相关内容,或者更多精彩内容,请一定关注我们网站哦。

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  • 你知道铸造机器人吗?各国工业发展的一大助力!

    你知道铸造机器人吗?各国工业发展的一大助力!

    本文中,小编将对铸造机器人的相关情况予以介绍,如果你想对铸造机器人的详细情况有所认识,或者想要增进对铸造机器人的了解程度,不妨请看以下内容哦。 机器人(Robot)是一种能够半自主或全自主工作的智能机器。历史上最早的机器人见于隋炀帝命工匠按照柳抃形象所营造的木偶机器人,施有机关,有坐、起、拜、伏等能力。 机器人具有感知、决策、执行等基本特征,可以辅助甚至替代人类完成危险、繁重、复杂的工作,提高工作效率与质量,服务人类生活,扩大或延伸人的活动及能力范围。 而作为一个大的制造国,我国的铸件产量是世界上最大的,但是铸件行业具有资源消耗大,环境污染和劳动力廉价的长期广泛的发展方式,越来越不适合工业生产、发展需要; 铸造行业的工作环境恶劣,普通工业机器人具有高风险,高污染,高温,高劳动强度等缺点,无法满足生产需求。 因此,必须优化用于铸造的工业机器人以适应这种工作环境并正常运行。对于工业机器人制造商而言,这是一个巨大的挑战。同时,铸造行业自动浇注工艺和自动磨削工艺的特殊性也限制了机器人自动化集成系统的应用。 在众多的工业机器人中,有一种工业机器人在铸造生产的过程中可以将铸造、清理、机加工等等环节用来代替人工的机器人,被我们称作铸造工业机器人。铸造机器人本身采用了最先进的铸造技术,所以能够最大限度地提高生产效率,降低生产的成本。 在制造车间里,工人们工作的环境十分的恶劣,环境中时常充斥着高温、粉尘和噪音等等,铸造工业机器人的出现就显得尤为的重要。制造机器人不仅可以代替工人们在危险的环境中工作,还可以保持灵活、持久、高速的生产流程。现在我们的铸造设备已经和工业机器人进行了有机的结合,覆盖主要的领域有压铸、重力和低压铸造等等。 传统的铸造业都是以人工来进行生产的,但是随着工业生产流程的自动化,工业机器人的应用就会越来越广泛。未来人们对铸件品质的要求越来越高,铸造工业机器人将会越来越得到企业的重视。 工业机器人的高度灵活性可以满足现代生坯铸造生产中的各种特殊要求。在铸件生产中使用机器人不仅可以使工人摆脱繁重而单调的体力劳动,节省劳力,而且可以提高铸件的生产效率。制造精度和质量,是实现铸造生产机械化,自动化和文明的重要手段。铸造机器人不仅可以用于压铸和精密铸造生产中铸件的处理和运输,还可以用于砂型铸造的成型,型芯制造,型芯设置,浇注,清洁和检查过程。尤其是在中型和大型铸件的生产中,砂芯和铸件的尺寸和重量相对较大,并且难以并且要求执行芯移除,芯组装,芯设置,浇注和处理操作。迫切需要一种高度灵活的重型铸造机器人,该机器人能够满足铸件生产中取芯,取芯组装,取芯和处理的要求。当铸造机器人执行取芯,取芯组装,取芯和搬运任务时,除了机器人本身之外,作为末端执行器的机器人抓爪也成为重要的关键装置。目前,用于铸造或抓芯的机器人抓取器只能连续抓取单一规格或常规形状的铸造或芯。当铸件或型芯的尺寸或形状发生变化时,需要手动停止并进行调整。无法实现自动调节。由于操作员需要进入机器人工作区域进行调整,因此增加了操作员的安全隐患,降低了机器人的工作效率。同时,不能实现一台机器人在不同规格的工件上的连续工作,即不能实现一台具有多种功能的机器的柔性工作。 经由小编的介绍,不知道你对铸造机器人是否充满了兴趣?如果你想对铸造机器人有更多的了解,不妨尝试度娘更多信息或者在我们的网站里进行搜索哦。

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  • 想要了解移相器知识?大佬带你解读MEMS移相器!

    想要了解移相器知识?大佬带你解读MEMS移相器!

    在这篇文章中,小编将为大家带来MEMS移相器的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。 近年来,随着射频微机械技术的发展,MEMS移相器引起了越来越多的关注,并已成为主要的研究MEMS器件之一。与传统移相器相比,MEMS移相器主要使用半导体材料作为衬底,并通过微加工技术制备。它们具有带宽,低损耗,低成本,超小型化以及易于与IC,MMIC电路等集成的优点。因此,在微波和毫米波控制电路中具有广阔的应用前景。美国密歇根大学的Barker博士首先通过将MEMS金属桥周期性地加载到共面波导上,从而实现了毫米波波段和宽带的MEMS相移器。如图1所示,其基本原理是改变MEMS金属桥。改变传输路径上的相移常数的高度,从而达到改变相移的目的。在本文中,基于电容耦合MEMS开关设计了一个90°分布式MEMS相移器。 MEMS移相器的基本设计思想是将具有高电容比的MEMS可移动膜桥周期性地加载到共面波导上,从而增加共面波导与地面之间的分布电容,使共面波导传输线成为慢波系统起着相位延迟的作用。在线路上施加直流偏置会改变分布电容,并导致传输线路的参数发生变化,从而改变电磁波的相位。相移量由MEMS单元的电容与传输线本身的电容之比确定。 MEMS是利用基于半导体制造技术的IC(集成电路)技术制成的微设备和设备阵列。它是微电子技术和精密机械制造技术的结合。 MEMS工艺技术起源于IC技术,是一种微处理技术,它使用诸如薄膜沉积、光刻、IBE蚀刻、剥离和封装之类的基本工艺来制造复杂的三维结构。 自1979年首次发布低频MEMS开关以来,MEMS开关已广泛用于军事和民用领域。与传统的半导体开关相比,MEMS开关具有一系列优点:低插入损耗,高线性度,高隔离度,频率带宽和易于集成。 MEMS组件的低插入损耗和高线性度的优势促进了MEMS相移器的快速发展。 MEMS分布式电容移相器的设计原理是周期性地以高电容变化率加载MEMS电容器,以将传输线更改为慢波系统,并通过加载偏置电压来更改MEMS分布式电容,从而改变传输线上的相速度。相移功能。 目前,国内外对MEMS移相器的研究相对较热。与使用PIN二极管的数字移相器相比,使用MEMS技术的移相器具有更小的插入损耗和更低的从X波段到W波段的转换。而至于能源方面,与PIN二极管移相器相比,其性能得到了极大提高。由于MEMS移相器的损耗主要来自导体损耗而不是介电损耗,并且由于MEMS的电容性介质是真空或空气,因此其泄漏电流可以忽略不计,因此MEMS移相器广泛用于低损耗和高损耗的环境中。频率应用。场合。 MEMS移相器从电路结构上可以划分为两大类别:第一种移相器类似于PIN二极管移相器。传输线的电参数通过MEMS开关进行更改,以实现相移。移相器是MEMS。交换网络移相器。第二类分布式移相器采用分布式MEMS传输线结构,通过调整可变电容器的尺寸并改变相速度来实现相移。 所以总的来说呢,MEMS移相器具有插入损耗低,寄生电容小和应用频带更宽的优点。然而,由于不成熟的MEMS理论和技术,对MEMS桥中残余力的研究尚未深入,导致悬臂经典力学性能的理论模型不足。同时,MEMS移相器的制造工艺相对复杂,机械结构的响应时间更长,并且难以与硅基CMOS单片集成。这些因素阻碍了MEMS移相器的广泛应用。 以上便是小编此次想要和大家共同分享的有关MEMS移相器的内容,如果你对本文内容感到满意,不妨持续关注我们网站哟。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

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  • 什么是PIN二极管移相器?移相器与延迟线有何区别?

    什么是PIN二极管移相器?移相器与延迟线有何区别?

    移相器将是下述内容的主要介绍对象,通过这篇文章,小编希望大家可以对移相器与延迟线的区别以及PIN二极管移相器的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。 一、移相器引言 移相器(Phaser)能够对波的相位进行调整的一种装置。任何传输介质对在其中传导的波动都会引入相移,这是早期模拟移相器的原理;现代电子技术发展后利用A/D、D/A转换实现了数字移相,顾名思义,它是一种不连续的移相技术,但特点是移相精度高。 移相器在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信、仪器仪表甚至于音乐等领域都有着广泛的应用。 移相器是相控阵系统中最重要的模块之一,已广泛用于卫星通信,雷达,汽车驾驶辅助系统和第五代移动通信技术(5G)。传统的移相器主要由无源元件组成,其结构包括开关线型、负载线型、铁氧体型、高低通型和反射型等,统称为无源移相器。 随着朝着芯片小型化和高集成度的系统的发展,无源移相器由于精度低和体积大的缺点而面临技术瓶颈。有源移相器主要使用矢量叠加来实现移相功能。 二、移相器和延迟线的区别 第一次接触移相器时,我下意识的想到用一节短传输线就实现了,实际上开关线移相器就是一节短传输线,但延迟线也是一节传输线,那移相器和延迟线到底有什么区别呢。我的理解如下: 基础公式: 移 相 器: 延 迟 线: 一节传输线当没有色散的时候对任何频率都是等延迟的,严格来说传输线是一个延迟线。当带宽很窄的时候移相器可以用一节短延迟线实现,可以在一个相对窄的带宽里实现等相位移动,所以开关线移相器只能用在窄带情况下。 在信号带宽很宽的情况下,信号通过移相器时由于对各个频率的延迟不同,我个人理解实际上是色散效应,不知对系统使用是否有影响。 三、PIN二极管移相器 有许多类型的移相器。 只能根据特定值改变相移量,称为数字移相器。 确定了数字移相器的相移,并且其相位只能逐步改变。 移相器的位数越多,信号的控制越精细,并且移相器本身即控制电路越复杂。相移可以连续改变,称为模拟移相器。 PIN二极管移相器是典型的数字移相器。 PIN二极管移相器主要根据PIN二极管的固有特性设计用于相移。 PIN二极管的V-A特性使其具有两个开关状态:正向偏置和反向偏置。 当PIN二极管处于反向偏置状态时,电路会产生一个小的串联结电容,并且二极管处于高阻抗状态;当PIN二极管处于反向偏置状态时,该电路会产生一个小的串联结电容。 当PIN二极管处于正向偏置状态时,串联结电容消失,二极管处于低阻抗状态,可以使用偏置信号。控制PIN二极管的两种不同状态以完成RF电路的设计。 设计射频电路时,有必要考虑由二极管封装引起的寄生效应。同时,应注意,当将偏置信号施加到PIN二极管时,电路必须具有RF扼流器件和DC隔离器件,以使偏置信号与RF信号隔离。 在1960年左右,为了解决铁氧体移相器体积大和质量大的问题,使用PIN二极管作为开关元件的移相器开始出现。 移相器设计的基本原理是利用PIN二极管的两个开关状态的正向偏置和反向偏置的相互转换来改变传输线的电长度,电容,电感,电阻和其他参数,以实现相移。 PIN二极管移相器可分为开关线移相器,负载线移相器,反射式移相器等。 开关线性移相器是最简单的类型。 它使用2个单刀双掷开关沿不同长度的传输线之一传输信号。 以上便是小编此次想要和大家共同分享的有关移相器与延迟线的区别以及PIN二极管移相器的内容,如果你对本文内容感到满意,不妨持续关注我们网站哟。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

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  • 想要一款同步整流升压变换器?这一款准没错!!

    想要一款同步整流升压变换器?这一款准没错!!

    一直以来,变换器都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在,小编将为大家带来MPS MPQ3410同步整流升压变换器的相关介绍,详细内容请看下文。 MPQ3410 是一款高效、同步、固定频率、电流模式升压变换器,具有输入输出断连、浪涌电流限制和内部软启动等功能。它集成了误差放大器、斜坡发生器、比较器、N-通道开关管和 P-通道同步整流开关管(可以大大提高效率)。输入输出断连功能可以在关断模式下使输出与输入完全隔离。550kHz 的开关频率可以允许 MPQ3410 同步整流升压变换器在宽负载电流范围内使用更小的外部部件,实现更紧凑的解决方案。内部补偿和软启动功能最大限度地减少了外部部件的使用数量,并且可以限制启动时的浪涌电流。 MPQ3410同步整流升压变换器 集成了功率 MOSFET,可支持高达 6V 的输出电压和 1.3A 的典型开关电流。MPQ3410 采用薄型 SOT23-5 封装。 MPQ3410同步整流升压变换器使用550kHz固定频率,电流模式调节架构来调节输出电压。 MPQ3410同步整流升压变换器通过外部电阻分压器测量输出电压,并将其与内部1.2V参考电压进行比较以产生误差电压。电流模式调节器将误差电压与电感器电流进行比较,以调节输出电压。电流模式调节的使用改善了瞬态响应和控制环路的稳定性。 当MPQ3410同步整流升压变换器被禁用(EN =低)时,两个电源开关均关闭。 P沟道MOSFET的主体连接到SW,并且没有电流从SW到OUT。因此,输出电压放电到地。当使能MPQ3410(EN =高)时,P沟道MOSFET的本体连接到OUT,并形成从SW到OUT的正向二极管。 因此,输出电压朝着输入电压上升。当输出电压超过1.6V时,MPQ3410同步整流升压变换器启动控制器,并将输出电压调节至目标值。在每个周期的开始,N沟道MOSFET开关导通,迫使电感器电流上升。在内部测量开关源的电流,并通过电流检测放大器将其转换为电压。将该电压与误差电压进行比较。当电感器电流充分上升时,PWM比较器将关闭开关,从而迫使电感器电流通过内部P沟道MOSFET整流器流向输出电容器,从而迫使电感器电流减小。峰值电感电流由误差电压控制,而误差电压又由输出电压控制。因此,输出电压控制电感器电流以满足负载。 在慢启动方面,MPQ3410同步整流升压变换器包含一个软启动计时器,该计时器在启动期间限制误差放大器输出的电压,以防止输入端过大的电流。这样可以防止启动时由于浪涌电流而导致电源电压过早终止。这也限制了启动时的电感器电流,从而迫使输入电流缓慢上升至软启动期间调节输出电压所需的量。 在选择输入电容方面,需要一个输入电容器来向电感器提供交流纹波电流,同时限制输入源的噪声。 多层陶瓷电容器具有极低的ESR且占地面积小,因此是最佳选择。 输入电容值应为4.7μF或更大。 该电容器必须物理上靠近设备放置。 在选择输出电容器方面,单个4.7µF至10µF的陶瓷电容器通常为大多数应用提供足够的输出电容。可以使用高达22µF的较大值来获得极低的输出电压纹波并改善瞬态响应。陶瓷电容器在开关频率下的阻抗由电容决定,因此输出电压纹波主要与ESR无关。 在选择电感器方面,要求电感器在由较低输入电压驱动的同时迫使输出电压较高。 确定电感的一个好规则是允许峰值纹波电流约为最大输入电流的30%-50%。 确保在使用的占空比下,峰值电感器电流低于最小电流限制(以防止由于电流限制变化而导致调节损失)。 最后,小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读,对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后,祝大家有个精彩的一天。

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