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[导读] 电解电容会随时间而泄漏。图1中的电路可以用来测试电容,决定它们是否值得使用。通过CREF/RREF比值可以设定对泄漏的限制条件。图中的值适用于所有电容的一般测试,从1nF的陶瓷电容,到1000μF的电解电容。电路中,

 

电解电容会随时间而泄漏。图1中的电路可以用来测试电容,决定它们是否值得使用。通过CREF/RREF比值可以设定对泄漏的限制条件。图中的值适用于所有电容的一般测试,从1nF的陶瓷电容,到1000μF的电解电容。电路中,CREF的值接近于待测电容值CX。另外也可以用旋转切换的方法选择RREF,使之大于或小于22 MΩ。

按键开关闭合时,电容CREF与CX通过各自相应的PNP晶体管充电。当开关打开时,这些电容开始放电。CREF(假设处于良好状况)有额外的放电外接电阻。而待测电容CX则通过自己的内阻放电。如果CX的泄漏大于CREF通过RREF的泄漏,则CX电压下降得更快。于是,运放非反相输入端的电压会低于反相输入端,使运放输出为低,使红色LED发光。这只LED用于表示被测电容有泄漏。对电路的测试表明,甚至1nF的陶瓷电容都能检测。检查测试电容的额定值,确保其高于将充电的电压值,此时VSUPPLY 为-1.8V。

LF357的最低供电电压为10V,但测试只需要6V,因此测试电容允许有一个低的上限电压。要确认电容有FET或MOSFET的输入级。

 

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