当前位置:首页 > 电源 > 电源电路
[导读]根据实物绘制出其原理图如图所示,该电路乃是一款少见(同时用两块IC)手机充电器开关电源电路,关键元件有ICl(SCl009PN,DIP-8直插式封装,但⑥脚位置无引脚)、IC2(AA6K66,

根据实物绘制出其原理图如图所示,该电路乃是一款少见(同时用两块IC)手机充电器开关电源电路,关键元件有ICl(SCl009PN,DIP-8直插式封装,但⑥脚位置无引脚)、IC2(AA6K66,SOP-6贴片式封装)、光耦PCI和体积较大的变压器、电解电容器等,其余的为贴片阻容元件。

122bf48059e48209-4f88b151ea6d0ed5-827f148f8e1d7f7901c4a79bd43843a8.jpg

因电路结构和所用IC均为不常见类型,对其功能没法了解,分析工作只能从原理图推测入手,其工作过程大概是:接通市电时,交流220V电压经过保险电阻FRl至D1~D4组成的全桥整流为脉动直流电,再由C1、L1、L2、R1和C2构成的π型滤波网络进行滤波,得到约300V比较平稳的直流电压,此电压经开关变压器T初级绕组LI至ICl⑤脚,为ICl提供初始启动电压,使高压电路开始振荡工作。

ICl⑤脚既是电源端,又是内部开关管D极(即脉宽调制信号输出端),①脚为反馈信号检测输入端,④脚是内部基准电压源端(外接稳压管),本电路把其余四引脚都设计为接地,具体功能不详。R3、R4、R5、C3和D5构成反峰吸收网络,保护ICl不至于损坏。高压电路振荡工作后,信号经开关变压器T耦合,使T次级绕组LO两端感应出交流电压,XCD6整流,R7、R8限流,再经由C10、C11、B1、RSl和RS2构成的滤波电路滤波(其中C10和C11的负端分别为低压电路的1次地和2次地),输出5.0V电压,为手机电池提供0.7A的充电电流充电。R6和C7组成反峰吸收网络

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

9月4日消息,据媒体报道,SK海力士员工今年将发放约3万亿韩元的奖金,每位员工将获得超过1亿韩元(约合人民币51.3万元)的奖金。

关键字: SK海力士 DRAM 三星

8月21日消息,今天高通正式推出第二代骁龙W5+和第二代骁龙W5可穿戴平台,这是全球首批支持NB-NTN卫星通信的可穿戴平台。

关键字: 高通 三星 谷歌

8月7日消息,苹果公司宣布,三星电子位于得克萨斯州的工厂为包括iPhone在内的苹果产品供应芯片。苹果在声明中称,该工厂将供应能优化苹果产品(包括iPhone设备)功耗与性能的芯片。”对此,三星发言人拒绝发表评论。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM

8月6日消息,据媒体报道,作为全球最早量产HBM4的存储器制造商,SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位,SK海力士计划提高HBM4售价,预计相比HBM3E溢价可能高达70...

关键字: QuestMobile AI搜 百度 夸克 SK海力士 DRAM 三星

8月3日消息,内存一哥三星在HBM技术栽了跟头,输给了SK海力士,错失几万亿美元的AI市场,但是三星现在要杀回来了。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM

8月3日消息,近日,特斯拉与三星达成了一项价值165亿美元的芯片制造协议,根据协议,三星将为特斯拉生产下一代人工智能芯片,这些芯片将用于电动汽车和机器人。

关键字: 特斯拉 三星

7月29日消息,LG Display已将其在美国的70项LCD液晶显示器相关专利转让给三星显示,值得注意的是,三星显示已于三年前退出LCD业务。

关键字: LCD 三星

7月28日消息,据媒体报道,三星电子与特斯拉达成了一项价值高达165亿美元的芯片制造协议。知情人士透露,三星周一宣布获得价值22.8万亿韩元(约合165亿美元)的芯片制造合同,客户正是与其代工部门已有业务往来的特斯拉。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM

当地时间本周一,韩国巨头三星电子向监管机构提交的一份文件显示,该公司已与一家大公司签订了一份价值165亿美元的芯片代工大单。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM

7月22日消息,据媒体报道,三星决定推迟1.4nm工艺商用时间,全力提升2nm工艺的产能和良率。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM
关闭