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拥有TSV硅转接板封装实用化加速
时间：2010-01-19 08:41:00
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[导读]大日本印刷（DNP）为促进采用TSV（硅通孔）的硅转接板（Interposer）封装技术的实用化，于2010年1月推出了设计评测用标准底板。该公司此前曾为不同项目个别提供过评测底板，而此次标准底板的价格为原来的一半以下。并
大日本印刷（DNP）为促进采用TSV（硅通孔）的硅转接板（Interposer）封装技术的实用化，于2010年1月推出了设计评测用标准底板。该公司此前曾为不同项目个别提供过评测底板，而此次标准底板的价格为原来的一半以下。并且由于是标准产品，可在较短的交货期内提供。DNP提供标准底板，可促使LSI厂商扩大采用开有TSV的硅转接板封装，大日本印刷也可由此扩大封装受托和MEMS代工业务。
采用TSV的硅转接板与此前组合使用引线键合（Wire Bonding）技术的树脂转接板相比，具有以下特点。（1）可缩小封装尺寸；（2）高频特性出色；（3）热膨胀可靠性高。因此是备受期待的新一代封装技术。但采用TSV的硅转接板本身制造成本高，加上LSI厂商采用开有TSV的硅转接板封装的设计、评测验证成本高且周期长，这些对扩大采用硅转接板形成了较大的障碍。
DNP此次推出的标准底板，可降低设计及评测验证时的成本并缩短设计评测周期。标准底板的TSV孔径为50μm，深度（厚度）为400μm，宽深（Aspect）比为1：8。可在表面和背面设置1层～2层布线层，其间距为200μm，焊接区（Land）直径为110μm。使用这种底板，能够确认TSV基本特性（电阻及高频特性等）。底板表面和背面的布线层可定制。能以150mm晶圆或200mm晶圆制造。
DNP将在“第11届印刷布线板EXPO（1月20～22日，与第39届日本INTER NEPCON同时举行）“上展出此产品。（记者：长广 恭明）
采用TSV的硅转接板与此前组合使用引线键合（Wire Bonding）技术的树脂转接板相比，具有以下特点。（1）可缩小封装尺寸；（2）高频特性出色；（3）热膨胀可靠性高。因此是备受期待的新一代封装技术。但采用TSV的硅转接板本身制造成本高，加上LSI厂商采用开有TSV的硅转接板封装的设计、评测验证成本高且周期长，这些对扩大采用硅转接板形成了较大的障碍。
DNP此次推出的标准底板，可降低设计及评测验证时的成本并缩短设计评测周期。标准底板的TSV孔径为50μm，深度（厚度）为400μm，宽深（Aspect）比为1：8。可在表面和背面设置1层～2层布线层，其间距为200μm，焊接区（Land）直径为110μm。使用这种底板，能够确认TSV基本特性（电阻及高频特性等）。底板表面和背面的布线层可定制。能以150mm晶圆或200mm晶圆制造。
DNP将在“第11届印刷布线板EXPO（1月20～22日，与第39届日本INTER NEPCON同时举行）“上展出此产品。（记者：长广 恭明）
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