意法半导体宣布推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
在一个尺寸仅为8×8mm的无引脚封装外壳内，全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小的裸片，并提供一个裸露的金属漏极焊盘，有效排除内部产生的热量。
新封装的纤薄外形和优异的散热性能，结合意法半导体MDmesh V技术的无与伦比的超低单位裸片面积导通电阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，节省印刷电路板空间。
