2014国内外IC行情窥测：展讯中芯助力国产IC跨越式发展
时间：2014-03-26 15:34:58
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[导读]2014年IC行情：半导体大厂走势窥探！
转眼间，一年又过去了，我们踏入一个新的年份，在半导体行业里，过去的一年依然是风起云涌，暗战不断。不但在产品性能上进行提升，同时在营销方面也各施其法。而同时由于市场
2014年IC行情：半导体大厂走势窥探！
转眼间，一年又过去了，我们踏入一个新的年份，在半导体行业里，过去的一年依然是风起云涌，暗战不断。不但在产品性能上进行提升，同时在营销方面也各施其法。而同时由于市场终端产品的影响，各种产品的供需都出现了不同的现象，下面我们来看全球知名半导体原厂在2013年的表现，并从中窥探2014的走势：
1、NXP
NXP的逻辑器件以及二三极管，整体来说市场占比还是不错。今年10月开始，nxp的逻辑以及一些二三极管，普遍上调价格10%~20%不等，对于这些信息月用量在以几K或者几十K计的终端工厂，大多都没察觉，毕竟这物料在BOM中的占比太少，但是到了年底感觉会大一些：在做COSTDOWN的时候发现供应商不会再下调。
NXP，BAT开头系列的物料，大部分今年将停产。像BAT54S、BAT54W、BAT54C这些最通用的物料也将成为停产的对象。言语间不少NXP代理，14年都准备放弃该产品线，如东棉等。
2、MICROCHIP
2010年11月，Microchip收购SST不出货，造成市场缺货，FLASHSST39系列现货市场翻3~4倍，SST25系列也是2~3倍的狂涨，MCU相继也是大幅度的涨价(可参考国际电子商情相关报道)。曾经的宠儿，现在成为microchip首当其冲的整治对象，13年渠道商信息透露，microchip已经准备放弃SST产线，并且8位的中低端单片机如PIC18FXXXX等也在找买家准备出售。
3、TI德州仪器
13年爆发的TIDSPC2000系列缺货潮，如果有涉及到的朋友们应该还记忆犹新。原因来源于TI13年初关闭了部分T0220F，T03P，T0247封装厂，导致产能不足。用于大型家电或工业设备变频的TMS32F2808PZA涨幅最明显，从当时的50~52的市场价涨至100左右。用于类似变频空调中的TMS320LF2406APAZ，价格也是一片看涨。在这两个型号的带动下，整个C2000系列涨声一片，如28035、28335、2807、2812市场询价漫天。C2000系列，一直作为TIDSP的开山元老，特别是一些如2406、2407、2808、2810、2812等成本高，渐渐已经被新一代的TMS320F28034PNT/TMS320F28035/TMS320F28335PGFA等型号代替，13年年初就已经在EOL的名单上。TI的ARM经典型号LM3S9B92-IQC80-C5/LM3S9B90-IQC80-C5等一直也在EOL的名单上，官网已经单独备注上“NRND：不建议用于新设计”。
4、samsung三星
samsung扩大NAND型Flash市场主控权，DRAM模块制造商指出，当前全球NAND型Flash缺货态势已相当确立，多数NAND型Flash供货商均指出这波缺货潮将有机会持续到2004年上半，应不是太大问题，所有的消费性产品及其外围设备对于NAND型Flash需求量是只增未减，也因此使得全球第一大NAND型Flash供货商三星为能持续保有市场占率，以及可于未来几个月赚取到别人所望尘莫及利润，第一阶段已将其晶圆厂生产线，大幅度由DRAM转做生产NAND型Flash。
据了解，目前三星除了持续扩增原先采用8寸厂生产NAND型Flash，另一方面则持续将其12寸的产能转做NAND型Flash，估计到2003年底前三星12寸厂旗下约有2.5万片产能，当中便会有高达50%产能将用于生产NAND型Flash，且将会开始采用0.11微米制程技术生产高容量Flash商品，而三星这样随时弹性调整其晶圆厂产能，将会是其未来于全球内存产业中最大竞争优势。
此外，三星为进一步达到其永久保持其NAND型Flash与竞争对手差距，更开始将其研发策略做出重大改变。停掉1Gb以下NANDFlash官网K9F5608UOX/K9F1208UOX/K9F1G08UOX系列显示已EOL，三星过去之所以得以于全球DRAM产业中，不断维持其霸主地位，原因便在于不断采用最新制程技术生产DRAM颗粒，如今同样为持续保有过去DRAM产业光荣传统，三星已确定将接下来所谓奈米级的0.09以及0.07微米制程技术，全数改由NAND型Flash产品优先使用，以利三星持续享有最佳获利空间。
DRAM市场人士认为，由于接下来市场对于NAND型Flash容量要求是愈来愈高，因此对于最先进制程技术需求更是迫在眉睫，三星此次将旗下2大内存产品采用最新制程顺位对调，绝对有其必要性存在，否则待其余半导体厂陆续加入后，三星如未能及时采用最新制程技术，来保有制造成本优势，恐将沦落与其余竞争对手仅是靠杀价来维持占有率的竞争局面。[1][2][3][4][5]下一页
转眼间，一年又过去了，我们踏入一个新的年份，在半导体行业里，过去的一年依然是风起云涌，暗战不断。不但在产品性能上进行提升，同时在营销方面也各施其法。而同时由于市场终端产品的影响，各种产品的供需都出现了不同的现象，下面我们来看全球知名半导体原厂在2013年的表现，并从中窥探2014的走势：
1、NXP
NXP的逻辑器件以及二三极管，整体来说市场占比还是不错。今年10月开始，nxp的逻辑以及一些二三极管，普遍上调价格10%~20%不等，对于这些信息月用量在以几K或者几十K计的终端工厂，大多都没察觉，毕竟这物料在BOM中的占比太少，但是到了年底感觉会大一些：在做COSTDOWN的时候发现供应商不会再下调。
NXP，BAT开头系列的物料，大部分今年将停产。像BAT54S、BAT54W、BAT54C这些最通用的物料也将成为停产的对象。言语间不少NXP代理，14年都准备放弃该产品线，如东棉等。
2、MICROCHIP
2010年11月，Microchip收购SST不出货，造成市场缺货，FLASHSST39系列现货市场翻3~4倍，SST25系列也是2~3倍的狂涨，MCU相继也是大幅度的涨价(可参考国际电子商情相关报道)。曾经的宠儿，现在成为microchip首当其冲的整治对象，13年渠道商信息透露，microchip已经准备放弃SST产线，并且8位的中低端单片机如PIC18FXXXX等也在找买家准备出售。
3、TI德州仪器
13年爆发的TIDSPC2000系列缺货潮，如果有涉及到的朋友们应该还记忆犹新。原因来源于TI13年初关闭了部分T0220F，T03P，T0247封装厂，导致产能不足。用于大型家电或工业设备变频的TMS32F2808PZA涨幅最明显，从当时的50~52的市场价涨至100左右。用于类似变频空调中的TMS320LF2406APAZ，价格也是一片看涨。在这两个型号的带动下，整个C2000系列涨声一片，如28035、28335、2807、2812市场询价漫天。C2000系列，一直作为TIDSP的开山元老，特别是一些如2406、2407、2808、2810、2812等成本高，渐渐已经被新一代的TMS320F28034PNT/TMS320F28035/TMS320F28335PGFA等型号代替，13年年初就已经在EOL的名单上。TI的ARM经典型号LM3S9B92-IQC80-C5/LM3S9B90-IQC80-C5等一直也在EOL的名单上，官网已经单独备注上“NRND：不建议用于新设计”。
4、samsung三星
samsung扩大NAND型Flash市场主控权，DRAM模块制造商指出，当前全球NAND型Flash缺货态势已相当确立，多数NAND型Flash供货商均指出这波缺货潮将有机会持续到2004年上半，应不是太大问题，所有的消费性产品及其外围设备对于NAND型Flash需求量是只增未减，也因此使得全球第一大NAND型Flash供货商三星为能持续保有市场占率，以及可于未来几个月赚取到别人所望尘莫及利润，第一阶段已将其晶圆厂生产线，大幅度由DRAM转做生产NAND型Flash。
据了解，目前三星除了持续扩增原先采用8寸厂生产NAND型Flash，另一方面则持续将其12寸的产能转做NAND型Flash，估计到2003年底前三星12寸厂旗下约有2.5万片产能，当中便会有高达50%产能将用于生产NAND型Flash，且将会开始采用0.11微米制程技术生产高容量Flash商品，而三星这样随时弹性调整其晶圆厂产能，将会是其未来于全球内存产业中最大竞争优势。
此外，三星为进一步达到其永久保持其NAND型Flash与竞争对手差距，更开始将其研发策略做出重大改变。停掉1Gb以下NANDFlash官网K9F5608UOX/K9F1208UOX/K9F1G08UOX系列显示已EOL，三星过去之所以得以于全球DRAM产业中，不断维持其霸主地位，原因便在于不断采用最新制程技术生产DRAM颗粒，如今同样为持续保有过去DRAM产业光荣传统，三星已确定将接下来所谓奈米级的0.09以及0.07微米制程技术，全数改由NAND型Flash产品优先使用，以利三星持续享有最佳获利空间。
DRAM市场人士认为，由于接下来市场对于NAND型Flash容量要求是愈来愈高，因此对于最先进制程技术需求更是迫在眉睫，三星此次将旗下2大内存产品采用最新制程顺位对调，绝对有其必要性存在，否则待其余半导体厂陆续加入后，三星如未能及时采用最新制程技术，来保有制造成本优势，恐将沦落与其余竞争对手仅是靠杀价来维持占有率的竞争局面。[1][2][3][4][5]下一页
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