全球唯二具备3nm芯片制造能力的科技巨头，芯片半导体领域动作频频

据手机中国了解，近日，三星电子将半导体设计业务组织System LSI System-on-Chip(SoC)开发办公室，划分为AI/计算和通信开发部门。SoC开发办公室是开发猎户座处理器的部门。到目前为止，它已经开发了人工智能(AI)、计算和调制解调器芯片。目前的战略是通过重组，分别快速发展AI/计算和通信芯片，并将它们集成到一个芯片中，预计下一代产品的开发速度将比之前组织架构下更快。

三星电子在移动和电子SoC市场的市场份额最近有所下降，特别是近期高通、联发科和苹果在高端移动市场上频频发力。根据市场研究公司Strategy Analytics的数据，三星电子的移动AP市场份额从2019年的12.0%下降到了去年的6.6%。

而为了改变这一现状，三星预计将专注于通信调制解调器芯片的开发，瞄准高附加值的高端智能手机和电动汽车的SoC市场。通过分离调制解调器芯片开发组织，预计三星电子将能够比其竞争对手更有效地开发新技术。随着组织的二元化，三星SoC开发部的人手也得到了增加，虽然具体人数尚未确定，但据报道称，大约有300人。

三星电子在美国加州硅谷举办“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”。论坛上三星芯片代工部门表示，将于2025年开始生产2nm制程工艺芯片，然后在2027年开始生产1.4nm工艺芯片。据了解，此前台积电也曾规划在2025年量产2nm芯片。

如果说“2nm决战”还有数年时间，那么三星和台积电的“3nm大战”已经一触即发。今年6月，三星电子曾宣布称公司已开始量产3nm芯片。而台积电N3(即3nm)芯片也预计在今年下半年进行量产。

为何在“消费电子寒冬”之下，头部芯片代工厂商纷纷加码先进制程?三星积极推动先进制程研发，又能否打破台积电在芯片代工市场遥遥领先的局面呢?

三星和台积电的先进芯片之争

目前，全球芯片代工市场呈台积电和三星“领跑”的市场格局，其中台积电优势地位明显。

据市场研究机构TrendForce(集邦咨询)发布的报告，2022年二季度，全球前十大晶圆(晶圆是芯片的载体)代工企业营收排名前五的企业分别是台积电、三星、联电、格芯和中芯国际。其中，台积电占据53.4%市场份额，三星占据16.5%市场份额，两者共占芯片代工行业的7成市场。

尽管从整体市场份额来看，三星离台积电尚有较远距离，但在4nm/5nm先进制程芯片上，三星追赶势头凶猛。

据Counterpoint数据，2022年一季度，在全球4nm/5nm的智能手机芯片市场，台积电拿下了40%的市场份额，而三星拿下了剩余的60%。在手机高端芯片领域的市场份额“反超”，意味着三星开始在先进制程上追赶台积电的脚步。

2022年6月底，三星电子发布公告称，公司已开始量产基于GAA晶体管(Gate-All-Around FET，全环绕栅极)结构的3nm芯片。而据《经济观察报》报道，在今年8月举办的2022年世界半导体大会上，台积电(中国)有限公司副总监陈芳曾表示，公司3nm芯片将在今年下半年量产，已经对部分移动和HPC(高性能计算)领域的客户交付，如果有手机的客户要采用3nm芯片，明年产品就能问世。

可以看到，在3nm芯片的制造上，三星实现了“抢跑”。而此次三星对2nm芯片和1.4nm芯片的生产规划，也可以被视为对台积电的“宣战”，因为此前部分业内观点认为三星量产2nm芯片的进度将晚于台积电，而按照三星这次披露的规划，公司2nm芯片的生产进度并不会比台积电慢。

三星电子3日宣布于2027年量产1.4纳米工艺的芯片。

三星电子在美国硅谷举办的“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”上，三星表示，将基于下一代晶体管结构全环绕栅极(GAA)技术不断创新工艺，计划2025年引进2纳米芯片制造工艺，2027年引进1.4纳米工艺。台积电的3纳米制程已经投入量产，并先后着手研发2纳米、1.4纳米制程。三星1.4纳米芯片量产计划的提出，也意味着与台积电的先进制程竞争也将进一步加剧。

三星集团、三星电子副会长李在镕会见媒体时表示，软银集团CEO孙正义将于下月访问首尔，预计双方会在英国半导体设计公司Arm方面形成战略性同盟(Strategic Alliance)，也可能会讨论并购Arm等事项，如果参与收购Arm，有望成为今年芯片产业最大的并购案。这一消息引发整个半导体行业热议。

过去43年，三星电子持续发力半导体技术创新，在先进代工方面，如今已经成为与台积电抗衡的一股新力量。

钛媒体App通过独家深入采访三星电子的半导体事业暨设备解决方案部门，试图探寻5年向中国投资200多亿美元，同时还宣布斥资2000亿美元在美国新建11家芯片厂，三星电子这家公司如何在中美芯片竞争下寻找平衡、双赢以及“共同点”。

2022年9月7日，距离韩国首尔70多公里的京畿道最南端，三星电子(005930.KS) 正式启动了世界最大规模的半导体生产基地——平泽园区3号线 (P3)设施，这里生产着14nm DRAM和超高容量V NAND芯片、5nm以下最先进工艺的半导体产品。

同日，媒体记者们还首次看到5年前启动的三星平泽1号生产线内部情况。

进入园区，装有芯片的自动运输设备(OHT)以每分钟300米的速度在头顶不停地移动，从材料投入到清洗、蒸镀等，所有工程都是100%自动化的。

三星电子DS(半导体事业暨设备解决方案)事业部负责人庆桂显(Kye Hyun Kyung)7日接受媒体采访时表示，通过大规模投资先进技术及运营P3设施，将进一步巩固三星在Nand Flash市场的主导地位，意义重大。

实际上，作为韩国市值第一、全球唯二具备3nm芯片制造能力的科技巨头，三星电子近期在芯片半导体领域动作频频。