力成 资本支出下修16%
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蔡笃恭强调，受到主要DRAM厂自本季即起移转大量的产能生产Mobile DRAM（行动用DRAM）及NAND Flash（储存型快闪记忆体），本季底DRAM供过于求即可大幅改善，预估价格可望止稳甚或回升。
力成昨天法说会由蔡笃恭及总经理廖忠机主持，由于力成获利一直是衡量记忆体动向指标，昨天出席法人挤满会场，力成也不负众望，交出历史最佳营收和获利成绩。力成昨天股价下跌1.5元，以105元作收。
公司表示，首季营收受到尔必达减产标准型DRAM及东芝跳电致NAND Flash产出，营收将比去年第四季减少逾一成，但因Mobile DRAM增加的速度非常快，且封装单价较高，减幅估计仅3%，优于预期，但汇损的因素仍在，本季毛利率仍将减少1到2个百分点。
他说，对力成而言，由于主力客户第二季Mobile DRAM订单量倍增，力成营收持续升温，至于Mobile DRAM出货可占整体DRAM比重35%，成为推动营收成长的主力；下半年各DRAM 厂又积极推升制程到3X奈米，挹注力成订单动能仍强，全年营收可望成长10%到15%。
不过受到主力客户产出颗数减少，力成今年资本支出由前次法说会预估120亿元，下修到100亿元，减幅16.7%。
力成去年第四季合并营收100.57亿元，季增2.2%；营业毛利75.36亿元，季减8.6%；毛利率由上一季的28%下滑至25.1%，致营业利益20.53亿元，较上季减少11.5% ；税后纯益18.16亿元，每股税后纯益2.5元，较上季减少12.4%。
廖忠机表示，去年第四季毛利率比第三季下滑主要受到汇率的影响，基本上，新台币兑美元每升值1元，毛利率将掉2 个百分点，而去年第四季新台币兑美元升值1.4元，因此影响毛利率约2.8个百分点，这也是去年毛利率由28%降到25.1 %的最大关键。
力成去年合并营收378.3亿元，年增率26.2%；税后纯益76.47亿元，年增54.4%，每股税后纯益10.53元。
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