联电+矽智财大咖 冲28纳米

联电（2303）昨（28）日宣布与半导体逻辑非挥发性存储器（NVM）矽智财领导厂商Kilopass签署技术开发协议，双方针对28纳米先进制程技术合作，让联电加速生产可携式装置产品系统单芯片与消费性电子为主的的28纳米产品。
联电28纳米预计年底产生小量营收，目前正在试产。联电客户工程暨矽智财研发设计支持副总简山杰表示，与Kilopass合作，可确保客户在28纳米制程可采用联电eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智财，也能获取最佳第三方厂商之非挥发性存储器矽智财。

这项合约将使Kilopass的非挥发性存储器矽智财，可使用在联电两个28纳米先进制程平台上，分别为高介电质金属闸（High-k/Metal Gate）的28纳米高效能芯片（HPM），以及多晶矽（Poly /SiON）28低耗能（HLP）的28纳米芯片。

联电表示，目前公司推出的28纳米制程芯片，闸极密度为40纳米制程的两倍，其中具成本效益的28HLP多晶矽制程，与业界其它28纳米多晶矽制程相比，具备更优异的效能。此外，这个制程也比同业提供多个电压选项，包括：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介电质金属闸制程，联电也提供临界电压选项、存储器储存单元和降频/超频功能。