台积电投资90亿美元建五条28～16nm生产线

在2013年2月6日举办的“全球半导体论坛＠东京2013”（主办：《日经电子》）上登台演讲的台积电日本公司代表董事小野寺诚介绍了台积电（TSMC）2013年的微细化投资计划。台积电2013年的设备投资额计划为90亿美元，比上年增加约10％，该公司打算将其中的大部分用于组建后28nm工艺生产线，目前正在同时建设五条生产线。

小野寺表示，台积电“将在2013年建成两个比较大的平台”。一个是“20SOC”，为采用后栅极方式高介电率（high-k）栅极绝缘膜和金属栅极的20nm工艺技术；另一个是“16FF”，为采用FinFET的16nm工艺技术。20nm工艺将把28nm工艺中分开的四个工艺技术整合成一个工艺。具体时间为，20nm工艺技术将在2013年1～3月开始风险量产，16nm工艺技术将提前至2013年10～12月开始风险量产。10nm工艺技术计划在2015年10～12月开始风险量产。对于最近一个季度在销售额中所占比例提高至22％的28nm工艺，今后将进一步扩大其产能。

台积电将按照上述计划，陆续在“Fab12（新竹）”、“Fab14（台南）”以及“Fab15（台中）”三个300mm晶圆工厂建立尖端工艺生产线。Fab12已经启动了量产28nm工艺的“Phase5”，正在组建量产20nm工艺和16nm工艺的“Phase6”，此外，还计划组建量产16nm工艺和10nm工艺的“Phase7”。

Fab14启动了量产40nm工艺的“Phase4”，正在组建跳过28nm工艺量产20nm工艺的“Phase5”及“Phase6”，面向20nm工艺的“Phase7”也在计划之中。Fab15启动了量产28nm工艺的“Phase2”，正为了扩大28nm工艺产能而组建“Phase3”和“Phase4”。

台积电目前约有4000名员工在开发尖端工艺技术。小野寺表示，“其中多数人都在从事20～10nm工艺及其以后的工艺技术开发”。（记者：大下 淳一，《日经电子》）