CEA-Leti：直写电子束微影适用14nm制程

法国研究机构 CEA-Leti 表示，已成功使用直写电子束微影(direct-write e-beam lithography)技术制作出 22nm线与空间(lines and spaces)，而且所展示的分辨率可符合 14nm与10nm 逻辑制程节点的需求。

除此之外，开发多电子束(multibeam)设备原型、目前正获得 CEA-Leti 采用的荷兰厂商 Mapper Lithography，与CEA-Leti共同宣布双方扩张伙伴关系，将其合作研发计划“Imagine”期限展延三年；其内容包括为CEA-Leti安装第一套Matrix试产(pre-production)工具。

Mapper的试产平台已经在2009年中安装于CEA-Leti 的无尘室；包括意法(ST)与台积电(TSMC)都是Imagine研究案的原始参与者，来自13家公司的50位代表则在2012年1月份参与了一场研究项目的营运审查。

意法、台积电与Mapper、Nissan Chemical、TOK、Dow、JSR Micro、Synopsys、Mentor Graphics、 Sokudo与 Tokyo Electron、Aselta也参与了该项研究项目，目标是在商业化制造环境提供无光照微影技术。

“Mapper将在2012年完成Matrix试产平台，初始吞吐量为每小时1片晶圆，未来将可提升至每小时10片晶圆；”Mapper执行长Bert Jan Kampherbeek表示。CEA-Leti执行长Laurent Malier则指出：“透过将Imagine研究项目展延三年，我们将持续为产业界对电子束微影技术越来越浓厚的兴趣提供解答。”