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三星抢晶圆代工 双雄临大敌
时间：2011-01-20 07:03:00
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[导读]韩国三星电子昨在由IBM主导的通用平台（Common Platform）技术论坛中指出，内部已开始评估新的逻辑晶片投资计画。外界认为，三星可能会兴建新晶圆厂或是升级现有晶圆厂技术，扩大28奈米及20奈米的产能，争取晶圆代工
韩国三星电子昨在由IBM主导的通用平台（Common Platform）技术论坛中指出，内部已开始评估新的逻辑晶片投资计画。外界认为，三星可能会兴建新晶圆厂或是升级现有晶圆厂技术，扩大28奈米及20奈米的产能，争取晶圆代工市场庞大商机。
对于三星的来势汹汹，台积电及联电今年将会提升资本支出至少20％，包括加速制程微缩及增加12寸厂产能，以巩固现有市场版图。
三星目前拥有2座逻辑IC晶圆厂，分别位于韩国的S1及美国Austin，其中韩国S1生产线月产能达5万片，其中1.5万片投入晶圆代工，为赛灵思（Xilinx）、高通等大厂代工。
美国Austin厂原本主要生产记忆体，但已开始布建逻辑IC产能，市场预期主要是用来支援为苹果代工A4/A5等应用处理器（AP）晶片。
三星昨日也与通用平台联盟共同宣布20奈米研发计画，三星成为继英特尔、台积电、全球晶圆（GlobalFoundries）之后，第4家投入20奈米逻辑制程研发的半导体大厂。三星预计2012年下半年开始试产，2013年就可开始接单量产，进度上与台积电没有太大时间上的落差。
值得市场注意之处，在于三星及通用平台联盟在32奈米及28奈米世代，采用的是前闸极（gate-first）技术方向，但此次合作开发的20奈米技术，已经转向后闸极（gate-last）技术方向，并将提供高介电金属闸极（HKMG）技术。
目前英特尔已经在45奈米及32奈米采用HKMG生产处理器，台积电预计明年下半年推出的28奈米也将涵盖HKMG技术，同时，包括英特尔、台积电、联电等3家业者，先进制程研发早已转向后闸极技术方向发展。
三星因为有通用平台联盟的奥援，近两年争取晶圆代工市场有成，顺利拿下高通、赛灵思等先进制程代工订单，并成为苹果A4/A5处理器独家代工厂。现在三星又决定要扩大投资，扩充晶圆代工产能，自然就会成为台积电、联电等晶圆双雄主要的竞争对手。
为了抵抗三星势力入侵，设备业者透露，台积电以及联电，今年资本支出均将较去年增加约20％，包括加速推进28奈米及20奈米技术，同时也将扩大40奈米以下先进制程产能，以巩固现有市场版图。
对于三星的来势汹汹，台积电及联电今年将会提升资本支出至少20％，包括加速制程微缩及增加12寸厂产能，以巩固现有市场版图。
三星目前拥有2座逻辑IC晶圆厂，分别位于韩国的S1及美国Austin，其中韩国S1生产线月产能达5万片，其中1.5万片投入晶圆代工，为赛灵思（Xilinx）、高通等大厂代工。
美国Austin厂原本主要生产记忆体，但已开始布建逻辑IC产能，市场预期主要是用来支援为苹果代工A4/A5等应用处理器（AP）晶片。
三星昨日也与通用平台联盟共同宣布20奈米研发计画，三星成为继英特尔、台积电、全球晶圆（GlobalFoundries）之后，第4家投入20奈米逻辑制程研发的半导体大厂。三星预计2012年下半年开始试产，2013年就可开始接单量产，进度上与台积电没有太大时间上的落差。
值得市场注意之处，在于三星及通用平台联盟在32奈米及28奈米世代，采用的是前闸极（gate-first）技术方向，但此次合作开发的20奈米技术，已经转向后闸极（gate-last）技术方向，并将提供高介电金属闸极（HKMG）技术。
目前英特尔已经在45奈米及32奈米采用HKMG生产处理器，台积电预计明年下半年推出的28奈米也将涵盖HKMG技术，同时，包括英特尔、台积电、联电等3家业者，先进制程研发早已转向后闸极技术方向发展。
三星因为有通用平台联盟的奥援，近两年争取晶圆代工市场有成，顺利拿下高通、赛灵思等先进制程代工订单，并成为苹果A4/A5处理器独家代工厂。现在三星又决定要扩大投资，扩充晶圆代工产能，自然就会成为台积电、联电等晶圆双雄主要的竞争对手。
为了抵抗三星势力入侵，设备业者透露，台积电以及联电，今年资本支出均将较去年增加约20％，包括加速推进28奈米及20奈米技术，同时也将扩大40奈米以下先进制程产能，以巩固现有市场版图。
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