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AMAT发布面向22nm工艺的掩模检查设备，同时支持ArF-DP和EUV
时间：2010-09-16 06:51:00
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[导读]美国应用材料（AMAT）发布了掩模检查设备“Aera3”。支持22nm工艺，检测灵敏度较该公司原机型“Aera2”提高50％，同时还配备了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）两种光刻技术的功能。
作为面向ArF液浸的
美国应用材料（AMAT）发布了掩模检查设备“Aera3”。支持22nm工艺，检测灵敏度较该公司原机型“Aera2”提高50％，同时还配备了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）两种光刻技术的功能。
作为面向ArF液浸的功能，该设备配备了可根据对晶圆上图形的影响程度对掩模上的缺陷进行分类的功能。面向22nm工艺的ArF液浸光刻技术为了确保分辨率，需要两次图形（DP）及SMO（souce mask optimization）掩模技术。使用这些技术后，与掩模上的图形形状不同的图形会在晶圆上成像，因此很难判断出掩模图形上的缺陷是否会在晶圆上引发问题。针对这一问题，此次的设备配备了模拟光学系统的功能，从而可判断晶圆上的缺陷的重要程度。
作为面向EUV的功能，选配了可检查EUV使用的反射掩模的功能。而且，还实现了EUV等所需的、最大可检查12nm微小缺陷的功能。为此该设备提高了对比度，像素尺寸为67nm。此次的技术详情预定在掩模国际会议“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美国蒙特雷）上发布。（记者：长广 恭明）
作为面向ArF液浸的功能，该设备配备了可根据对晶圆上图形的影响程度对掩模上的缺陷进行分类的功能。面向22nm工艺的ArF液浸光刻技术为了确保分辨率，需要两次图形（DP）及SMO（souce mask optimization）掩模技术。使用这些技术后，与掩模上的图形形状不同的图形会在晶圆上成像，因此很难判断出掩模图形上的缺陷是否会在晶圆上引发问题。针对这一问题，此次的设备配备了模拟光学系统的功能，从而可判断晶圆上的缺陷的重要程度。
作为面向EUV的功能，选配了可检查EUV使用的反射掩模的功能。而且，还实现了EUV等所需的、最大可检查12nm微小缺陷的功能。为此该设备提高了对比度，像素尺寸为67nm。此次的技术详情预定在掩模国际会议“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美国蒙特雷）上发布。（记者：长广 恭明）
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