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联电公开最新混合型HK/MG 28nm制程方案
时间：2009-12-11 07:21:00
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[导读]联电(UMC)稍早前在2009国际电子组件会议(International Electron Device Meeting，IEDM)中，发表了其独特的28奈米制程混合型高介电系数╱金属闸极(HK/MG)技术。
业界现有两种不同的HK/MG整合方案同时并行，分别为
联电(UMC)稍早前在2009国际电子组件会议(International Electron Device Meeting，IEDM)中，发表了其独特的28奈米制程混合型高介电系数╱金属闸极(HK/MG)技术。
业界现有两种不同的HK/MG整合方案同时并行，分别为Gate-first与Gate-last。以Gate-first而言，HK/MG系于闸极成型之前即置入，而Gate-last或称Replacement metal gate，金属闸极则是于多晶硅假闸极成型之后填入，旋即移除假闸极。
而联电的新方案结合了nMOS的Gate-first制程优点，以及pMOS的Gate-last特性等两项优势，与仅用Gate-first制程相比，可强化晶体管效能达30%。
除了拥有此次新提出的混合型技术之外，联电也表示，自从业界采用Gate-last技术量产CPU之后，该公司一直致力于Gate-last技术之开发。联电的先进制程开发系于其台南厂区的12吋晶圆厂与研发中心进行。
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