三星GalaxyS5深度拆解：内部芯片大“揭秘”
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21ic电子网讯：虽然之前已经有关于三星GalaxyS5的拆解报告，但仅通拆解图片并不能对三星GalaxyS5内部有清晰的了解，而本次的三星GalaxyS5拆解更为详细，对其芯片及其他配置进行了深度讲解，下面来看三星GalaxyS5拆解详情。
本次下手的机器是韩国本土版SM-G900S，整体硬件规格还是那样，但在网络方面会有所不同。
经过辨别，GalaxyS5里的大量芯片中有六颗来自高通，而且都是特别关键的，三星自己的只有内存、闪存。
高通的芯片有：
－骁龙801MSM8974AC2.4GHz处理器(封装在内存颗粒之下)
－PMC8974电源管理单元
－QFE1100封包追踪功率放大器
－WFR1620射频接收器
－WFR1625L射频收发器
－WCD9320音频编码器
其他芯片：
－AvagoA7007功率放大器(Band7)
－AvagoACPM-7617多模多频功率放大器(EDGE/3G/LTE)
－Avago+ACW薄膜腔声波谐振器(FBAR)
－AudienceADNCES704独立音频处理器
－FCIFC8080地面数字多媒体广播调谐器(韩国版独有)
－InvensenseMP65MP02881L1405六轴陀螺仪/加速计
－LatticeLPIK9D低功耗FPGA
－MaximMAX77804K可编程片上系统
－MaximMAX77826(可能是管理电池的)
－NXP47803NFC加安全模块
－三星K3QF2F0DA2GB内存
－三星KLMBG4GEAC32GB闪存
－SiliconImageSIMG8240B0MHL发射器
此外，据说生化传感器也是来自Maxim，但目前还找不到具体在哪里。(苹果的M7协处理器就费了好大劲才找到)
有两颗芯片无法确定身份，其一表面写着“32HUBIA5006V0W404A”，可能是传感器中心，意法半导体制造。
另一颗表面编号“4452M3E309G4”，似乎来自Semco或者意法半导体，并高度怀疑是Wi-Fi无线模块，那么内部封装的应该是博通BCM4354。
三星GalaxyS5摄像头
GalaxyS5最亮的地方之一就是新的1600万像素、1/2.6"主摄像头。之前三星在S2、S3、Note3上使用的都是索尼传感器，这次终于用了自己的ISOCELLCMOS技术，号称能减少30％的干扰、提升30％的光敏全阱容量，自认为是取代背照式(BSI)的下一代传感器技术。
下边就是三星ISCOCELL800万像素传感器的横断面显微图，可以看到前侧深槽隔离(F-DTI)、垂直传输栅极(VTG)两个关键技术。
注意这不是来自S5的，但技术原理是相通的。
三星GalaxyS5专用心率监测仪
在手机背部紧挨着LED闪光灯，使用红光、红外光照射你的手指，检测因脉搏跳动引起的手指表面压力变化而获得心率数据。
它的背面是一颗编号“C1N78BYMP41412”的芯片，可能是某种微控制器。
三星GalaxyS5指纹传感器
iPhone5S放在了Home键里，三星的做法则截然不同，并分为两部分，指纹传感器在Home键里，还接受触摸屏的输入，需要同时使用才能载入你的ID。
触摸屏里的那部分可以检测手指挥动，然后启动Home键里的传感器，而传感器本身可以做更多动作。
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