[导读]飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的技术专家将与来自电子界和学术界的专家一起，于2010年6月1至3日在上海举办的PCIM China 2010展会上发表演说，阐述功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。
飞兆
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的技术专家将与来自电子界和学术界的专家一起，于2010年6月1至3日在上海举办的PCIM China 2010展会上发表演说，阐述功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。
飞兆半导体技术专家Robert Krause将发表题为《优化功率MOSFET和IGBT的共模和差模噪声抑制》的文章，重点阐述大功率MOSFET和IGBT 在多相功率转换应用中的运作，以及如何优化抗噪能力，也会探讨使用光耦合MOSFET驱动器来提升栅极驱动电路的抗噪声能力。
飞兆半导体技术专家陈立烽，将发表由他与王晓峰、钟晨东和孙中华共同撰写，题为《LED路灯之高效功率结构的设计与实现》的文章，介绍LED路灯应用的历史和发展状况，并探讨电源在这些应用中所起的重要作用。
飞兆半导体技术专家?瑞斌将发表题为《无位置传感器PMSM控制的在线参数估算》的文章，深入探讨用于永磁同步电机(PMSM)控制的一种参数估算方法。
飞兆半导体亚太区市场行销暨应用工程副总裁蓝建铜将主持一场关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 技术的研讨会。
飞兆半导体是节能电子领域的主要使能厂商之一，拥有先进的功率技术和功率系统专业技术，能够实现能效尽可能高能效的设计，帮助推动在中国以至全世界迅速增长的电源基础架构。
PCIM China 是中国最重要的功率电子展会。此展会面向功率电子行业和大专院校的研究人员和开发人员，并将探讨广泛的论题，如功率电子组件和系统、功率转换器、马达驱动和运动控制系统，以及功率质量解决方案。 0 0
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应用材料(Applied Materials)下调了当前财季的销售额和利润预期，称针对在中国销售的美国半导体技术的新出口规定将拖累其业绩。该公司说，新规定预计将使该公司第四财季销售额减少4亿美元，并可能再加减1.5亿美元...
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半导体技术
MATERIALS
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在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长，尤其是在高功率时。这样，它们不能保证良好的饱和度，因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术，使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件，这个问题...
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电力电子
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IGBT
8月22日，A股收盘后，士兰微发布了2022年半年度报告，公司上半年实现营业收入41.85亿元，同比增长26.49%;归属于上市公司股东的净利润5.99亿元，同比增长39.12%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净...
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IGBT
士兰微
PIM
我们中的许多人都熟悉低功率直流电机，因为我们在日常生活中随处可见它们。我们可能看不到所有更大的交流工业电机在幕后工作，以自动化我们的汽车组装或提升我们每天乘坐的电梯。这些大功率电机由具有不同要求和更高电流的电子设备驱动。...
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IGBT
低功率直流电机
在本系列的第 1 部分中，我们讨论了如何正确选择 IGBT 的控制电压。这一次，您将了解有关隔离要求以及如何计算正确的IGBT 驱动功率的更多信息。
IGBT驱动电路的设计包括上下桥绝缘水平的选择、驱动电压水平的确定、驱...
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IGBT
IGBT驱动
近些年，在电子技术工业发展推动下，其运用范围逐渐扩大，并被运用到社会的各个领域里。其中 汽车电子技术作为衡量我国汽车行业发展能力的关键指标，能够使得汽车行驶的成本得到下降，实现汽车的绿色环保发展。电子技术在汽车领域中得到...
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汽车电子
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电子技术
新一期期刊深入探讨电源管理和系统设计，可免费下载挑战。
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e络盟
电子技术
IGBT全称叫绝缘栅双极型晶体管，是一种复合型结构器件，它结合了MOS晶体管和BJT双极型晶体管的优点，在电压电流转换，电能输出领域用的非常多，特别是在高压大电流领域，IGBT占主导地位，是人类控制电能，利用电能的核心半...
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IGBT
IGBT基础知识
N 沟道 IGBT 基本上是构建在 p 型衬底上的 N 沟道功率 MOSFET，的通用 IGBT 横截面所示。（PT IGBT 有一个额外的 n+ 层，将在后面说明。）因此，IGBT 的操作与功率 MOSFET 非常相似...
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IGBT
IGBT基础知识
所谓PT(PunchThrough，穿通型)，是指电场穿透了N-漂移区，电子与空穴的主要汇合点在N一区。NPT在实验室实现的时间(1982年)要早于PT(1985)，但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早，所以...
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IGBT
IGBT基础知识
从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息，用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是，测试结果非常依赖于电路，尤其是寄...
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IGBT
IGBT基础知识
从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息，用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是，测试结果非常依赖于电路，尤其是寄...
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IGBT
IGBT基础知识
IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压 的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似.也 可分为饱和区 1 、放大区2和击穿特性3部分。在...
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IGBT
IGBT基础知识
一个等效的 IBGT 模型，其中包括端子之间的电容。输入、输出和反向传输电容是这些电容的组合。数据表中规定了测量电容的测试条件。
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IGBT
IGBT基础知识
这是从芯片结到器件外壳外部的热阻。热量是设备本身功率损失的结果，热阻与基于这种功率损失的芯片的热度有关。之所以称为热阻，是因为使用电气模型根据稳态功率损耗预测温升。
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IGBT
IGBT基础知识
与低功率同类产品不同，MOSFET、IGBT、功率二极管和晶闸管等功率器件会产生大量热量。因此，有效的热管理对于确保电力电子设备的可靠性和优化的寿命性能至关重要，包括由更高工作温度、宽带隙 (WBG) 半导体材料制成的设...
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MOSFET
IGBT
冷却系统
气候变化和社会对环境问题日益敏感，需要为化石燃料动力车辆开发技术解决方案。逐步减少排放的监管要求要求内燃机的设计具有较小的容积、较高的发动机转速，并且能够以较不浓的燃料混合物运行。
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IGBT
热性能
（全球TMT2022年6月14日讯）6月14日-7月12日，2022年中国国际半导体技术大会（CSTIC2022）将以云分享的方式在线上举办。本届会议将有九场专题讨论会，超400场专业演讲，4周网络会议延续与讲师的问答...
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半导体技术
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CST
2022年中国国际半导体技术大会6.14正式启幕
上海2022年6月14日 /美通社/ -- 6月14日-7月12日，2022年中国...
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半导体技术
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作者：谢东，IBM大中华区首席技术官 北京2022年6月6日 /美通社/ -- 你也许从未见过IBM主机的样子，但它却与我们的生活息息相关。比如，你刚才可能刚用手机在网上买...
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