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华润微电子IGBT工艺平台通过产品设计验证

时间：2010-04-01 08:51:34

关键字： IGBT 微电子电压绝缘

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[导读]由中国科学院微电子研究所（以下简称“中科院微电子所”）设计研发的绝缘栅控双极晶体管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，简称IGBT”）系列产品于日前在华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）的工艺

由中国科学院微电子研究所（以下简称“中科院微电子所”）设计研发的绝缘栅控双极晶体管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，简称IGBT”）系列产品于日前在华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）的工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，标志着华润微电子拥有了国内第一条完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线，双方正密切合作以进一步推动国产自主IGBT产品的大批量生产进程，以协助推进实现国内IGBT产业化的目标。

这次流片成功的产品采用Planar NPT器件结构，规格为15-43A /1200V。这个产品面向家用电器应用领域，目前正由国内著名的家电企业客户试用评估。

华润微电子有限公司长期以来提倡产学研合作的模式，与国内著名科研院所及大学在新型电力电子器件方面的技术合作由来已久。在此IGBT项目合作前，双方曾联合电子科技大学申请并成功获得了国家新型电力电子项目的支持。在IGBT项目得到阶段性成果之时，双方将继续发挥各自的优势，进一步在包括IGBT等方面的节能降耗领域展开密切的合作。

根据国内权威的市场调查机构资料，2009年中国IGBT的市场规模达38.2亿人民币，预期2010年中国IGBT市场规模为41.4亿元人民币，较2009年成长8.4%。到2011年与2012年分别达45.3与50.6亿元人民币，增长率分别为9.4%与11.7% 。更有半导体机构预测IGBT在2010年在中国的成长将达到25%以上。面对强大的市场需求，中国目前还没有一条完整的IGBT生产线可以提供终端客户使用，因此必须依赖进口。

IGBT由双极型晶体管（简称“BJT”）和绝缘栅型场效应晶体管（简称“MOSFET”）相结合的电压驱动式功率半导体器件。既有功率MOSFET 输入阻抗高，控制功率小，易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有双极晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。在提倡节能减排、低碳经济的时代，具备节能效率高，便于规模化生产，较易实现节能智慧化等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术。IGBT主要用在家电产品、工业控制、网络通、照明、消费电子、计算机及汽车电子等，而智能电网、高速铁路、新能源汽车为IGBT开辟了更加广泛的应用市场。