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该公司表示,这种器件与目前的流动门NAND相比,写入速度快25%,读速度最高可达两倍,而且裸片尺寸大幅缩小。该技术的工艺步骤比第一代MirrorBit ORNAND和MirrorBit NOR解决方案减少25%。
Spansion的总裁兼首席执行官Bertrand Cambou对《EE Times Europe》表示,初期的1Gbit、2Gbit和4Gbit版ORNAND2具有一个嵌入8051 MCU,将面向高价值、高利润率与嵌入应用。
Cambou表示,他预计ORNAND2的适宜密度是2GBit,但该公司将适时推出8Gbit MCP,满足那些要求高存储密度的应用。MirrorBit ORNAND2产品基于工作电压是3V的单层单元(SLC)架构。
近日,市场研究机构TrendForce发布的最新报告显示,在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场,三星电子但仍稳居第一,SK海力士则超越铠侠跃居第二,这两家韩国闪存厂商合力拿下了全球52.9%的市场份额。具体...
关键字: NAND NAND Flash 三星 SK海力士