探索TLC闪存寿命：区区1000次擦写循环

三星840系列固态硬盘开启了一个新时代，TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术，以及三星840的性能、可靠性，我们都已经做了比较深入的介绍，今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。

遗憾的是，没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度，只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次)，而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量，再加上写入放大的缘故，根本无从得知写入了多少数据。

不过还是有个变通方法：写入队列深度1的不可压缩128KB持续数据，分别计算每次测试的损耗均衡计数(WLC，类似Intel MWC媒体损耗指示器)。如果知道了平均写入速度和持续时间，就可以大致算出写入了多少数据。另一方面，大尺寸数据是连续写入的，不存在碎片，所以写入放大系数非常接近1x。

使用一块三星840 250GB进行测试，结果如下：

- 数据写入总量：92623GB

- WLC消耗量：34

- 估算P/E总数：1064次

- 估算可写入总量：272420GB

也就是说，TLC NAND闪存的确只有大约1000次编程/擦写循环，250GB的终生数据写入量也就在270TB左右。

当然了，WLC走到零之后，三星840依然有机会继续服役，最多再坚持个20-30%的时间，不过前提是它得和Intel MWI差不多。

1000次的编程/擦写循环确实很可怜，但对于普通用户来说也没有那么可怕。一般人平均每天的写入量很少能超过10GB，那么我们就假设是10GB，写入放大系数则假定为3，那么对于128GB、256GB MLC固态硬盘来说，总的寿命大约为35.0年、70.1年，同样容量的TLC硬盘则是11.7年、23.4年。

即便是每天30GB，256GB TLC硬盘也能支撑7.8年，够用不?

另外，所有的S.M.A.R.T.属性都是趋于保守的，因此即便WMI、WLC都走到了零，你的硬盘也不会立刻死去，比如著名玩家论坛XtremeSystem里有一块三星830 256GB，已经累计写入了接近6000TB，而WLC早在828TB的时候就变成零了，实际寿命达到了理论值的七倍多!