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二线晶圆厂先进工艺纷向一线大厂看齐将打破工艺分水岭局势

时间：2007-07-23 09:22:34

关键字：晶圆厂微米 LTE 台积电

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[导读]近期全球二线晶圆厂纷抢进0.13微米以下先进工艺，包括马来西亚晶圆代工厂Silterra、以色列晶圆厂宝塔半导体(Tower Semiconductor)分别宣布，计划以募资、借贷方式来扩充先进工艺产能，未来随着二线晶圆厂纷跳脱成熟

近期全球二线晶圆厂纷抢进0.13微米以下先进工艺，包括马来西亚晶圆代工厂Silterra、以色列晶圆厂宝塔半导体(Tower Semiconductor)分别宣布，计划以募资、借贷方式来扩充先进工艺产能，未来随着二线晶圆厂纷跳脱成熟工艺藩篱、迈入先进工艺，不仅恐造成先进工艺价格雪上加霜，并将让0.13微米、90纳米工艺不再是一线晶圆厂独霸天下，甚至得重新改写“先进工艺”定义。

目前90纳米、0.13微米工艺由台湾晶圆代工厂台积电、联电称霸，其中，台积电90纳米、0.13微米工艺各占营收比重达23%、26%；联电则各占约21%、16%。台积电、联电2家可说在90纳米、0.13微米工艺各霸一方，而这2个世代先进工艺亦可说是一线与二线晶圆厂之间主要技术分水岭，过去二线晶圆厂多集中于0.25、0.18微米工艺及半世代0.15微米工艺，不过，这个现象最近却明显发生变化。

近期Silterra及Tower相继宣布筹资计划，拟扩充0.13微米及90纳米工艺产能。其中，先前才加入欧洲微电子研究所(IMEC)90、65纳米工艺技术开发计划的Silterra，19日又宣布为因应先进工艺成长所需，未来几年将分3阶段扩充产能，第1阶段将在既有产能规模上扩充0.18、0.13微米及其半世代0.11微米工艺产能至单月4万片，并将少量扩充90纳米工艺产能(约1000~2000片)；第二阶段是积极寻找8英寸厂购并对象；第三阶段则拟自建12英寸晶圆厂，主要用来扩充90、65纳米先进工艺所需，初期单月产能约2万~2.5万片。

半导体业者透露，Silterra这项扩产计画需对外募资15亿~20亿美元，将以现有股东及对外募资双线并行，目前马来西亚官方投资公司Khazanah持有Silterra逾9成股分。Silterra执行长Kah Yee Eg则表示，透过这项扩充产能计划，未来4~5年Silterra营收将可望呈现每2年倍数成长趋势，总产能亦将达到单月10万~12万片8英寸约当晶圆，工艺光谱则从0.18微米工艺跨至65纳米工艺。

无独有偶地，Tower亦宣布与银行签订4000万美元长期借贷，用来扩充Fab 2产能。Tower执行长Russell Ellwanger表示，由于Fab 2持续产能利用率超过90%，亟思扩充产能，将Fab 2单月产能一举提升至超越2.4万片，并计划于2008年以后达4万片产能，其中，新增产能部分将以采用0.13微米与90纳米工艺为主。

半导体业者指出，当初90纳米工艺量产时，市场竞争比起0.13微米工艺激烈，而65纳米工艺又比起90纳米工艺竞争更激烈，就连台积电总执行长蔡力行亦如此坦言，而随著二线晶圆厂相继宣布跨入0.13微米、90纳米先进工艺，恐更将搅乱一池春水，使得价格环境更为雪上加霜，同时以0.13微米、90纳米等先进工艺作为一、二线晶圆厂之间分水岭，亦将逐渐消弭，甚至恐怕连“先进工艺”定义也会被改写。