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中芯国际开发出0.11微米CIS工艺技术
时间：2008-10-24 09:22:34
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[导读]北京时间10月23日消息，中芯国际(NYSE: SMI)今日宣布成功开发0.11微米CMOS 图像传感器(CIS)工艺技术，在此工艺下生产的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。中芯国际在中国提供完整的 CIS 代工服务
北京时间10月23日消息，中芯国际(NYSE: SMI)今日宣布成功开发0.11微米CMOS 图像传感器(CIS)工艺技术，在此工艺下生产的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。
中芯国际在中国提供完整的 CIS 代工服务，基于其丰富的领域经验，该0.11微米 CIS 技术能力可以为客户提供除0.15，0.18微米以外领先的解决方案及有竞争力的成本优势。该高度集成、高密度 CIS 解决方案，同时适用于铝和铜后端金属化工艺，可广泛应用于摄像手机、个人电脑、工业和安全市场等领域。中芯国际在该技术领域已经开始进入试生产阶段，未来几个月后也将在其200和300毫米芯片生产线上实现商业化生产。
中芯国际市场行销中心副总裁欧阳雄表示，“利用优化的工艺条件，我们可以成功减少暗噪声，使其在弱光环境下实现性能，从而使我们的客户能够提供低成本、高性能的产品，有助于提升其竞争力，协助他们在拥有巨大潜力的 CIS 器件市场中取得领先地位。”
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