任重而道远：中芯国际将力争在今年实现45纳米小批量试产

据中芯国际集成电路制造有限公司资深研发副总季明华撰文披露，2010年，中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发;同时力争实 现45纳米和40纳米技术的小批量试产。

在第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术评选中，中芯国际有两项技术获奖，其一是 “65纳米逻辑集成电路制造工艺技术”，其二是“0.11微米CMOS图像传感器工艺技术”。

据介绍，目前，中芯国际已经完成了65纳米CMOS技术的认证，并于2009年第三季度开始在北京厂小批量试产。中芯国际65纳米技术前段采用的是应力工程(即硅应变技术)和镍硅合金(栅极)工艺，后段采用的是低介电常数(low-k)铜互连工艺。中芯国际还将继续在65纳米技术节点上拓展更多的技术种类。

在65纳米技术节点上，CMOS器件的电学参数更难以控制，为此，中芯国际引入了DFM(可制造性设计)，这样不但提高了设计服务的能力，而且拓宽了IP库。中芯国际和国内的设计公司协作，不仅研发出了通用的IP，而且为中国市场开发出定制的IP。

0.11微米图像传感器技术是中芯国际和相关设计公司合作开发的、具有国际先进水平的集成电路制造技术。该技术结合并优化了动态存储器及逻辑工艺，优化了像素设计，形成了一个通用的工艺平台，可以服务于从30万到300万像素的产品。中芯国际的0.11微米CMOS图像传感器技术不仅提供更高像素的图像，而且其数字信号处理的能力更强，该技术可以满足手机和图像传感器应用的所有需要。中芯国际的此项工艺完全自主研发，所用的工艺步骤优于国外同行，有着明显的成本优势，其结构、技术水平和光学性能都达到了国际先进水平。

2010年对于中芯国际来讲是非常重要的一年，因为我们要完成一系列的里程碑式的任务：45/40纳米的逻辑工艺平台要为试生产做好准备，要增强65和40纳米节点上的IP等等。所有这些技术创新都会增强中芯国际的芯片制造能力、IP能力、设计服务能力，最终一定会增强公司的赢利能力。