日本半导体大厂Elpida、Toshiba提高新款内存产量

日本半导体大厂尔必达(Elpida)与东芝(Toshiba)决定自2011年7月起，增加新款储存内存产量。其中尔必达决定加强日本广岛工厂和台湾工厂的产能, 将产能提升至75%，确保抢先开发出25纳米DRAM的先机。东芝则决定于2011年9月将产能提升至60%，稳定技术领先地位。

尔必达在2011年6月底的新款DRAM生产比例为15%，而产业龙头南韩面板大厂三星电子(Samsung Electronics)的比例估计为50%。尔必达预估三星最快将于2011年12月推出25纳米DRAM，因此刻意猛冲产量，巩固率先开发25纳米DRAM所带来的先机。

尔必达于2011年5月创下世界首例，成功开发25纳米DRAM，同时该公司重新检讨DRAM设计电路，创立能用较低成本生产DRAM的方法，使设备投资成本控制在以往的3分之1到4分之1，能以较南韩、台湾、美国等同业更低的成本，生产新款DRAM。

世界第2大闪存厂东芝，决定让设置于日本三重县四日市的新工厂，成为专门制造新款24纳米、19纳米内存的中央工厂。该公司以往新产品都采少量生产政策，本次趁着新工厂成立，决定在2011年9月一口气将生产比例提高至60%。

东芝在闪存的微细化技术，一直是世界指标，与三星约有半年的技术差距，但和英特尔(Intel)及美光(Micron)竞争激烈。该公司计划设立新工厂，并大量生产新款产品，确保对海外大厂的优势。

半导体业界中，日本企业的税务与人事费用、水电等杂项支出，都比南韩、台湾来得吃重。如今又适逢日圆升值、美元下跌，使收益变相减少。因此为增加利润，大厂决定加强生产新款产品，让收益稳定。