中芯国际推出多元化eNVM技术平台

为客户提供更低成本，更佳性能和更灵活的设计

中芯国际集成电路制造有限公司，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，今日宣布推出多元化嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)平台。中芯国际综合eNVM平台包括0.18和0.13微米(μm)嵌入式电可擦可编程只读存储器(eEEPROM)技术、嵌入式闪存(eFlash)技术、多次可编程(MTP)、单次可编程(OTP)，以及在明年第二季度预备就绪的55纳米(nm) eFlash技术。该高差异化的平台可满足客户对低成本、低功耗、高性能和高可靠性各方面的需求，以提升客户产品竞争力。

中芯国际拥有非常完整的eNVM设计支持架构。对于每一个技术节点的设计支持都以提供基本技术信息的PDK开始，并包括额外的例如MiM，bit cell，ESD结构等组件。此外，该平台集成了EEPROM、Flash、ROM、VR、OSC、I/O、PLL、ADC、LDO、USB、存储器编译器、标准单元库，以及跟芯片安全有关的光检测器(light detector)和电压监测器(voltage detector) IP。 还有其它如 eDRAM,、eFUSE等特殊器件IP。除了上述IP组件外，中芯国际还提供客制化IP服务以满足客户特殊设计上的需求。

中芯国际eNVM平台适用于消费者、工业产品、汽车电子等广泛的产品应用，诸如MCU (微控制器)、触控屏;以及一系列的智能卡应用领域(涵盖SIM卡、社会保障、交通运输和银行卡等)。通常这些应用对性能、可靠性、尺寸、功耗具有较高的要求。中芯国际现已与诸多业界知名企业在eNVM平台上合作，目前该平台已进入量产。

"客户需要能满足他们在独特的性能和低功耗上的解决方案，"中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云表示，"我们为eNVM平台能提供满足客户多元化芯片设计的有效解决方案感到自豪。中芯国际的差异化战略已证实，我们的成熟技术能为客户带来附加价值，期望未来为公司创造可持续的增长和盈利。"