美国快捷半导体宣布与Silicon Wireless进行技术结盟

美国快捷半导体宣布与Silicon Wireless进行技术结盟新合作计划令美国快捷获得专利RF
无线元件，专用於手提电话和无线基站，
为公司开拓新商机
全球多市场半导体翘楚Fairchild Semiconductor International宣布与北卡罗来纳州的
Silicon Wireless Corporation合作，注资成立新技术结盟关系。新合作计划有助美国快捷与
Silicon Wireless共同开发制造和营销RF功率半导体，象徵美国快捷半导体公司拓展另一新商
机。
美国快捷现为全球价值70亿美元功率晶体管市场的先导供应商，也是业内离散市场增长最快速的部
分。正当美国快捷在这个市场其中价值30亿美元的功率MOSFET市场中享受领先地位，与Silicon 
Wireless的合作计划则进一步为公司开拓快速发展的功率晶体管市场。据SIA(Semiconductor 
Industry Association)预计RF功率晶体管於2000年增长达100%，2001年市场价值达15亿美元。
这是由於受流动电话和局域网络用无线基站需求刺激带动市场迅速发展。
据美国快捷离散功率及信号技术部门高级副总裁及总经理Izak Bencuya表示，一般估计未来叁年
无线基站市场发展快速，新基站数目将增加至530个，美国快捷将专注继续透过领先科技开发种类
繁多的新品。公司跟Silicon Wireless的合作计划将为快速增长的市场提供更多元化的新品。
Silicon Wireless公司由B.Jayant Baliga博士创立，主要为其专利RF半导体技术推广至无线市
场。Baliga博士曾被Scientific American评为半导体革命八大英雄之一，获国际推崇为功率半
导体工业的代表人物。Baliga博士是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的发明人，
着作达10本，并曾在550本科技杂志发表文章，拥有100项以上美国产品专利。
Baliga博士表示，Silicon Wireless将在这个业界重要时刻与美国快捷保持紧密合作，而公司的
架构令他们能专心开发新一代技术，与业内翘楚如美国快捷相辅相成，为市场以最快速度提供最可
靠的解决方案。
美国快捷於这次合作计划将投资现金、R&D和营销资源约1千万美元予Silicon Wireless公司。而
Silicon Wireless公司则会直接与美国快捷的离散功率和信息技术部门合作科研。根据合作协议
内容，美国快捷将拥有制造及销售相关产品的特许权利，而Silicon Wireless公司则可制造和销
售其专利RF功率放大模组产品技术。
Silicon Wireless公司(www.silicon-wireless.com)成立於2000年6月，总部设於北卡罗来纳
州国立大学的Centennial Campus，是专门科研的团体，另於加州圣地牙哥设有区域分公司。
Silicon Wireless曾获Centennial Venture Partners及Longleaf Venture Fund资助，这些
基金均为支持北卡罗来纳州内大学的早期商用科研项目而成立。北卡罗来纳州国立大学是
Silicon Wireless股东之一。Silicon Wireless拥有多项由Baliga博士发明的技术专利，现尚
待多项专利获通过。
Fairchild Semiconductor International (www.fairchildsemi.com)
Fairchild Semiconductor International (NYSE:FCS)是一家跨国公司，专门从事通用市场所
需之高性能半导体元件的设计、生产、销售。快捷公司为通用市场生产的元件广泛应用於电脑、电
讯、汽车、消费性及工业等场合。快捷公司透过供应离散器件、模拟、混合信号、接口、逻辑器件
及光电产品，填补了关键性半导体元件之全球供应的空白。快捷公司总部设在美国缅因州的南波特
兰市，在全世界有10,000名员工；并在美国加州和犹他州、韩国、中国、新加坡、马来西亚、菲
律宾等地拥有制造基地，地区销售办事处遍及世界各地。