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[导读]Fairchild宣布推出针对高压分离式技术而开发的可扩充、实体 SPICE层级模型,包括 IGBT(650V场截止沟槽)、超接面 FET (600V & 800V SuperFET MOSFET)以及 HV 二极体 (STEALTH I、II 二极体与超快速系列),让设计人员

Fairchild宣布推出针对高压分离式技术而开发的可扩充、实体 SPICE层级模型,包括 IGBT(650V场截止沟槽)、超接面 FET (600V & 800V SuperFET MOSFET)以及 HV 二极体 (STEALTH I、II 二极体与超快速系列),让设计人员不必再针对不同的元件大小和制程采用单独的分离式元件模型。

快捷半导体的高压 SPICE 模型是一种适用于整个技术平台的实体模型,并非只是单纯将不同大小和制程的单独分离式元件集合而成的模型库。它能够记录电路设计和制程制程的改动。

在过去,高压 (HV)分离式元件和产品开发需要经过一个相当耗时且连续的流程方法:先在 TCAD 中构筑技术、接着将其制成实体元件并完成封装、然后进行各种测试、再根据所得结果返回开始调整,反覆循环。

由于设计人员模拟应用电路依靠的是 SPICE 而非 TCAD,所以应用的模拟及调整经常要到技术开发流程相当后期方可开始,因为只有此时才能得到矽元件的 SPICE 模型。而每当元件尺寸有变动或技术有调整,都不得不重新进行新一轮的 TCAD 模拟、元件制作、元件测试周期,最后才能得到新的分离式元件 SPICE 模型,进行新的应用模拟。

现在,在融合大量的制程技术之后,快捷新开发以实体元件为基础、可扩充的 SPICE 模型已经可以直接进入设计周期的前期。透过新的 SPICE 模型,设计人员在制作元件之前即可模拟产品工作,大幅减少了「设计-制作」循环次数,因而有效降低了成本、缩短了产品上市时间。

「在Fairchild,我们专注于提供用于高水准大电压电路设计平台」,Fairchild全球销售和应用资深副总裁 Chris Allexandre 说道。「这些新的 SPICE 模型可支援虚拟原型制作,有助于我们的客户在开发新产品时提高速度、缩短上市时间,符合我们以优异服务向客户提供现实价值的承诺」。

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