3D NAND Flash成趋势 各大厂商“摩拳擦掌”

近日，东芝(Toshiba)宣布改建日本四日市厂区的第二厂房，与新帝于同地点携手兴建3D NAND Flash的全新厂房。两厂期待投入资金兴建全新厂房，能为后续带来更大效益，在价格竞争中取得优势。

东芝表示，兴建新晶圆厂将有助东芝与新帝将现有2D NAND技术转变至3D NAND技术，预计于2016年初量产3D NAND。

目前数据储存中心系统开始选择安装固态储存设备，不是结合转动型磁碟设备(Spinning Disk)就是搭配全快闪存储器阵列(All-Flash Arrays)。

固态储存模组通常使用2D NAND技术，亦即芯片内的储存单元平行排列于2D网格。至于以3D NAND技术制造的芯片，其储存单元则是层层堆叠起来。 3D NAND Flash效能将更为卓越，不仅增加50%芯片储存容量，亦能延长设备使用寿命。

从2D NAND技术转变为3D NAND技术是必然趋势。未来2~3年，资料中心将开始使用3D NAND技术。不过，制造商的3D NAND模组生产之路并不会一帆风顺。目前四大制造商皆已宣布兴建3D NAND厂的计画。不过，各大制造商兴建方式与使用的技术组合皆不相同。

三星电子(Samsung Electronics)是最早宣布采用垂直堆叠3D V-NAND制程的制造商。 2013年8月，三星宣布以现有厂房量产3D V-NAND。三星表示新产品写入速度可达到原来产品的2倍，芯片包含24层堆叠的储存单元。然而，尽管供应商亟欲测试此产品，三星至今仍未发送出V-NAND样品。

现在东芝与新帝共同宣布兴建主要生产3D NAND的制造厂，使用不同的制造技术。这两大厂商认为目前厂房不足以研发生产3D NAND，投入大量资金兴建新厂。

制造商除了要具备量产高品质3D NAND的能力，如何制造出具有价格竞争力的产品是另一大挑战。三星认为利用现有厂房就能生产出具有竞争力的产品;东芝与新帝目前认为破旧立新才是可行之路。

而将与英特尔(Intel)合作的美光(Micron)，以及SK海力士(SK Hynix)则尚未明确表明其生产方式及量产时程。不论如何，目前可以肯定的是3D NAND将从2015年起逐渐取代2D NAND，至2016年价格将更具竞争力。

现在许多企业的资料中心已转而使用全快闪存储器阵列，某公司资料中心管理人员甚至表示，再不完美的应用程式(App)，搭配全快闪存储器阵列都能运行得顺畅。

许多管理人员认为，不久的将来所有主要资料中心都将转而使用固态硬碟(SSD)设备。目前已安装全快闪存储器储存系统的资料中心洞烛先机，可以准备迎向3D NAND技术。