Ramtron串行1兆位F-RAM存储器荣获创新奖最佳产品奖

【导读】世界领先的低功耗铁电存储技术半导体产品开发商及供应商美国Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 赢得业界声望卓著的《电子设计技术》杂志2010年度创新奖之最佳产品奖，其通过AEC-Q100 Grade 3标准认证之1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G击败众多竞争对手，获评审小组和数千位《电子设计技术》读者评选

世界领先的低功耗铁电存储技术半导体产品开发商及供应商美国Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 赢得业界声望卓著的《电子设计技术》杂志2010年度创新奖之最佳产品奖，其通过AEC-Q100 Grade 3标准认证之1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G击败众多竞争对手，获评审小组和数千位《电子设计技术》读者评选为嵌入式系统存储器类别的最佳产品。

汽车电子委员会(AEC)集成电路应力测试资格(Automotive Electronic Council’s Stress Test Qualification for Integrated Circuits)确定了严格的汽车级资格认证。Ramtron公司专门针对汽车市场的苛刻要求，扩大了符合AEC-Q100要求的存储器阵容至15款产品。Grade-3资格认证可以确保器件工作在-40 ℃到+85℃的汽车温度范围内。

Ramtron公司全球市场推广总监徐梦岚称：“FM25V10标志着我们容量最大符合汽车等级标准的产品出炉。在V系列产品线中增加达到Grade 3标准的产品，使得我们能够在4kb至1Mb的整个密度范围内，为汽车客户提供高功效、高性能的非易失性存储器产品。”

去年，Ramtron的V系列产品获得《电子设计技术》杂志嵌入式系统存储器类别之优秀产品奖。

FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存储器的成员，具有2.0V至3.6V 的宽工作电压范围。它是1Mb串行SPI器件，工作电流为3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工业标准8脚SOIC封装。FM25V10-G在40MHz 全总线速率下工作，具有无延迟 (NoDelay™)  写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中，1兆位串行闪存和串行EEPROM 存储器的普适型 (drop-in) 替代产品。

这次比赛的最终入围产品由来自中国领先OEM厂商、学术机构和大学，以及《电子设计技术》杂志编辑委员会之业界专家组成的评审小组确定，《电子设计技术》杂志读者也作出投票。

徐梦岚称：“ 我们很荣幸FM25V10赢得这一声望卓著的奖项，获得中国电子设计社群和《电子设计技术》杂志编辑及读者的认可。”