RFMD RFMD ® 宣布提供氮化镓 ( G aN) 晶圆代工服务

 
    代工服务业务部门利用 RFMD 在化合物半导体技术及制造方面的行业领先地位，提供高可靠性、高性能、具有价格优势的 GaN 技术 

    日前，设计与制造高性能半导体元件的全球领导厂商 RF Micro Devices， Inc.宣
布，公司已成立一个氮化镓 (GaN) 晶圆代工服务业务部门，针对多个射频功率市场提供
高可靠性、高性能、具有价格优势的 GaN 半导体技术。RFMD GaN 代工服务业务部门利用公司在砷化镓 (GaAs) 制造能力和周期时间方面的行业领先地位，以及一系列新的客户服
务，推动缩短产品上市时间，并尽量减少初始晶圆订购到最后交货之间的时间。RFMD 是
GaA 化合物半导体行业领先制造商。RFMD 的 GaN 制造与其 GaAs 制造是可互换的，并直接受益于 RFMD 业内领先的晶圆制造能力的规模和专业技术。 

    RFMD 多市场产品组总裁 Bob Van Buskirk 指出，“RFMD 的代工服务业务部门使GaN 代工客户有机会利用 RFMD 业内领先的化合物半导体技术及生产设备，及RFMD 规模制造的许多益处，包括可靠性、统一性、周期时间和质量。RFMD GaN 是一项能改变射频功率元件行业的突破性技术，因为它具有出色的线性、带宽和射频功率密度。此外，RFMD GaN 是一项‘绿色’技术，可达到比以前更高的效率，因此只需较低功耗即可实现类似性
能，或以类似的功耗水平实现更佳性能。” 

    RFMD 提供的 GaN 代工服务是业内独有的，因为 RFMD 经营着业内最大的 GaAs 制造
晶圆厂 (fab)，已为客户提供了数十亿高可靠性、高品质的基于化合物半导体的射频元
件。通过利用现有的高产量生产资产，RFMD 能为代工客户提供具有可预测性、业内领先的可靠性及更高统一性的 GaN 技术。RFMD 提供业内领先的周期时间，估计其 GaN 通过晶圆制造工厂的周期时间通常比其竞争对手快 30-40%。 

    此外，通过利用 RFMD 对半导体工艺模型的深入了解准确预测产品性能，RFMD 的代
工服务业务部门能通过减少满足客户规格所需的试验模型数，降低客户开发成本，有望受
益于 RFMD GaN 的客户应用包括商业和国防功率应用方面，其涵盖无线基础设施、有线电
视线路放大器、宽带通信、功率放大器和各种防御雷达系统。 

    另外，RFMD 的代工服务客户可获得成熟的代工服务支持团队的服务，他们具备关于
代工客户期望和要求的第一手知识。RFMD 的代工服务支持团队结合了作为代工服务客户
及代工服务供应商的 50 年代工服务经验。此外，RFMD 的代工服务支持团队已经实施了
一整套服务，可最大限度地减少从订单输入到客户交付的总时间。这些服务包括能实现高
概率初步成功的模拟模型，及能实现较少或无排队时间的业务流程。 

    RFMD GaN 是一种新一代化合物半导体技术，具有比其他竞争技术更高的功率密度和
击穿电压，非常适合高性能功率器件。RFMD GaN 的典型工作规格参数包括工作电压为 48
（或 65）伏，功率密度为 6 至 8 瓦/毫米，FT 为 11 GHz，F 最大值为 18 GHz，在
150°C T 通道工作时的平均无故障时间大于 108 小时。