ARM与台积电合作优化7nm处理器 瞄准高效能运算应用

IP授权厂商ARM与台积电共同宣布一项为期多年的协议，针对7纳米FinFET制程技术进行合作，包括支援未来低功耗、高效能运算系统单芯片(SoC)的设计解决方案。这项新协议将扩大双方长期的合作夥伴关系，推动先进制程技术向前迈进，超越行动产品的应用并进入下一世代网路与资料中心的领域。另外，这项协议延续先前采用ARM Artisan基础实体IP之16纳米与10纳米 FinFET 的合作。

ARM 执行副总裁暨产品事业群总经理 Pete Hutton 表示，既有以ARM为基础的平台已展现提升高达10倍运算密度的能力，支援特定资料中心的工作负载，未来ARM特别为资料中心与网路架构量身设计，并针对台积公司 7纳米 FinFET 进行优化的技术，将协助双方客户在各种不同效能产品上皆能使用业界最低功耗的架构。

台积电研究发展副总经理侯永清指出，台积电持续投入先进制程技术的研发以支援客户事业的成功，藉由7纳米 FinFET制程，该公司的制程与设计生态环境解决方案已经从行动扩大到高效能运算的应用。客户设计的下一世代高效能运算系统单芯片将受惠于台积电的 7纳米 FinFET制程。

侯永清强调，相较于10纳米 FinFET 制程，7纳米FinFET制程将在相同功耗下提供更多的效能优势，或在相同效能下提供更低的功耗。ARM 与台积电共同优化的解决方案将能够协助客户推出具有颠覆性创新且市场首创的产品。

据悉，此项最新协议奠基于 ARM 与台积电先前在16纳米FinFET与10纳米FinFET 制程技术成功的合作基础之上。双方长期保持合作，以提供先进制程与矽智财来协助客户加速产品开发周期。近期成果包括客户及早使用Artisan实体IP及采用16纳米FinFET 与10纳米FinFET 制程完成的 ARM Cortex-A72 处理器设计定案。