利用低功耗SiC电源制备SiC晶体 日新技研展示高频加热电源

生产和销售制造设备用高频电源等产品的日新技研试制出了利用SiC功率元件的高频加热电源，并在SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”并设的展会上进行了展示。该公司表示，与利用Si功率元件时相比，利用SiC功率元件可提高电源效率、实现小型化并减少冷却水使用量。将这种电源用于晶体生长设备时，“可通过使用SiC的电源来高效制备SiC晶体”。

此次试制的是输出功率为30kW级别的电源。开关频率为20kHz时，日新技研以往的利用Si功率元件的产品的效率最大为95％左右，而利用SiC功率元件后，效率达到了97.5％左右。

利用SiC功率元件还提高了电源的耐热性，与日新技研的以往产品相比，试制品所需冷却水的流量减至约1/4。该公司表示，将来“打算改用空冷方式”，“因为制造设备用高频电源使用的工业用冷却水中的杂质等经常会引起故障”。

通过减少冷却水用量，还可削减水费。“比如，晶体生长设备要连续运转好几天，每个月仅水费一项，有时就要花费数千日元。对于多台使用数年的情况，改用空冷方式有助于大幅削减成本”。

试制品使用的SiC功率元件由罗姆制造，采用的是配备SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC功率模块。（记者：根津 祯，《日经电子》）

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