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首款2兆位串行F-RAM存储器（Ramtron）
时间：2008-04-15 14:46:00
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[导读]Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。
Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。
FM25H20是串行闪存的理想替代产品，用于要求低功耗和最小板卡空间的精密电子系统中，包括便携式医疗设备如助听器等，它们实际上是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，F-RAM的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。
FM25H20是256K x 8位非易失性存储器，以高达40MHz的总线速度进行读写操作，具有几乎无限的耐用性、10年的数据保存能力，以及低工作电流。该器件设有工业标准SPI接口，优化了F-RAM的高速写入能力。FM25H20还备有软件和硬件写保护功能，能避免意外的写入与数据损坏。
该2Mb串行F-RAM以低功耗工作，在40MHz下读/写操作的耗电低于10mA，待机状态下耗电为80µA (典型值)，超低电流睡眠模式下耗电为3µA (典型值)。FM25H20与同等串行闪存器件接脚兼容，并且具备快速存取、高耐用性和低工作电流等特性，比较闪存更为优胜。该器件在整个工业温度范围内 (-40℃ 至+85℃) 于2.7至3.6V电压下工作。
FM25H20以德州仪器公认的130纳米 (nm) CMOS制造工艺为基础。在标准CMOS 130 nm逻辑工艺内嵌入非易失性F-RAM模块，仅使用了两个额外的掩模步骤。
FM25H20现提供样品，并采用符合RoHS要求的8脚TDFN封装，与8脚SOIC封装器件占位面积兼容。
FM25H20是串行闪存的理想替代产品，用于要求低功耗和最小板卡空间的精密电子系统中，包括便携式医疗设备如助听器等，它们实际上是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，F-RAM的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。
FM25H20是256K x 8位非易失性存储器，以高达40MHz的总线速度进行读写操作，具有几乎无限的耐用性、10年的数据保存能力，以及低工作电流。该器件设有工业标准SPI接口，优化了F-RAM的高速写入能力。FM25H20还备有软件和硬件写保护功能，能避免意外的写入与数据损坏。
该2Mb串行F-RAM以低功耗工作，在40MHz下读/写操作的耗电低于10mA，待机状态下耗电为80µA (典型值)，超低电流睡眠模式下耗电为3µA (典型值)。FM25H20与同等串行闪存器件接脚兼容，并且具备快速存取、高耐用性和低工作电流等特性，比较闪存更为优胜。该器件在整个工业温度范围内 (-40℃ 至+85℃) 于2.7至3.6V电压下工作。
FM25H20以德州仪器公认的130纳米 (nm) CMOS制造工艺为基础。在标准CMOS 130 nm逻辑工艺内嵌入非易失性F-RAM模块，仅使用了两个额外的掩模步骤。
FM25H20现提供样品，并采用符合RoHS要求的8脚TDFN封装，与8脚SOIC封装器件占位面积兼容。
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