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[导读]赛普拉斯半导体公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM,开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上,拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安

赛普拉斯半导体公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM,开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上,拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安全系统和军事系统。

CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速异步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的访问时间可达12ns。器件采用符合RoHS标准的48-BGA封装方式,尺寸分别为8.0 x 9.5 x 1.2 mm 和 8.0 x 9.5 x 1.4 mm,此为同样存储密度的最小器件尺寸。新型快速异步SRAM系采用赛普拉斯的高性能90纳米C9™ CMOS技术生产。赛普拉斯是快速异步和低功耗SRAM的行业领先者,其产品线存储密度涵盖从4Kbit到64Mbit的范围。

赛普拉斯异步存储事业部执行董事Sunil Thamaran说:“超小型32-Mbit和64Mbit快速SRAM的面世,有力地证明了我们对SRAM事业所履行的承诺。我们不断寻求利用深亚微米技术及设计创新为市场带来下一代高性能SRAM。”

CY7C1071DV33 32-Mbit目前已投产,CY7C1081DV33 64-Mbit快速异步SRAM正在出样,预计2010年十月投产。

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