用于高功率、高频率装置之钻石硅晶体晶圆（sp3 Diamond Technologies）
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钻石薄膜产品、设备与服务供应商sp3 Diamond Technologies今日宣布该公司已开始接受作为氮化镓(GaN)介质基底使用的2吋和4吋钻石硅晶体(SOD)晶圆订单，并加速开发作为横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)应用的6吋晶圆。
sp3的钻石硅晶体晶圆较传统的硅晶体晶圆拥有较佳的热能传导性，因此相较于既有的碳化硅 (SiC)选择，能够为氮化镓和较高效能的 LDMOS装置提供较高的热能传导性。
SOD晶圆通常使用于WiMax基地台、雷达通讯设备、气象与通讯卫星设备和混合电力开关装置等装置当中。
钻石硅晶体晶圆为表层具装置品质浮区融化硅(float-zone silicon)的架构化介质基底。该公司表示在固定功率之下，其相较于氮化镓或碳化硅可以降低超过50度的接面温度。在钻石硅晶体上生长的氮化镓会产出相当于氮化镓硅基板的epi薄膜，而sp3可以将晶圆尺寸提升到 300-mm。
“高功率、高频率的装置，例如高功率雷达和射频放大器，与DC-DC和AC-DC转换器都因为标准硅介质基底的物理结构而有效能上的限制。”sp3 Diamond Technologies的总裁暨营运长Dwain Aidala认为。“军事和工业应用将会透过在具装置品质薄膜硅表层的钻石介质基底上建立装置而大幅受益。”
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