东芝推出实现业界最低插入损耗的智能手机射频开关SOI工艺

采用新一代TaRF8工艺制造的样品将于1月开始提供

东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布研发新一代TarfSOI™(东芝先进的射频绝缘体上硅(SOI))工艺—“TaRF8”，该工艺针对射频(RF)开关应用进行了优化，实现了业界最低[1]插入损耗[2]。采用新工艺制造的SP12T[3]射频开关IC适用于智能手机，样品出货将于2016年1月启动。

SP12T为一款用于移动应用的传输射频开关IC，其搭载集成MIPI-RFFE[4]控制器，适用于3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE和LTE-Advanced[5]标准。采用东芝新一代工艺—东芝享有专利的、针对射频开关进行了优化的SOI-CMOS[6]TarfSOI前端工艺—TaRF8制造的产品实现了业界最低插入损耗(0.32db/2.7GHz)。与使用东芝当前TaRF6工艺制造的产品相比，其插入损耗提高0.1dB，同时保持相同水平的失真特性。

随着移动通讯趋向于高速率、大容量数据传输，智能手机等移动设备所使用的射频开关IC需要多端口支持和更高的射频性能。在这一点上，降低插入损耗是一个尤为重要的因素，因为它降低射频传输功率损耗，可支持移动设备具备更长的电池续航时间。

东芝正在研发利用其内部晶圆厂应用SOI-CMOS技术的高性能射频开关IC，SOI-CMOS技术适合于集成模拟和数字电路。通过处理该生产流程的所有方面，从射频工艺技术开发到射频开关芯片的设计和制造，东芝可以基于其自己的射频开关IC产品的研发结果反馈迅速改进SOI-CMOS工艺技术。这种集成器件制造商(IDM)模式让东芝能够快速建立适合于实际产品的新工艺技术并将采用最新工艺技术制造的产品推向市场。

东芝将继续提高其TarfSOI工艺技术的性能并通过推出领先于其他制造商的尖端技术产品努力满足客户和市场对射频开关IC的需求。

Fig.1 Insertion Loss Characteristics of SOI Process “TarfSOI™” for RF Switches

注：

[1]截至2015年11月20日，射频开关IC市场。东芝调查。

[2]当射频信号通过射频开关传输时发生的功率损耗，以分贝(dB)表示

[3]单刀十二掷开关

[4]一种适用于移动设备射频元件控制的串行总线接口规范，由MIPI(移动通信行业处理器接口)联盟射频前端(RFFE)工作小组标准化。

[5]由3GPP(第三代合作伙伴计划)规定的移动通信标准。

[6]通过利用MOSFET沟道下的绝缘层来降低寄生电容的技术。SOI：绝缘体上硅

*TarfSOI是东芝公司的商标。