[导读]安森美半导体(Onsemi)宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。
安森美半导体(Onsemi)宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术,与传统BJT或者平板MOSFET相比,其电源效率更佳,电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的理想选择。
安森美半导体分立产品部总经理Mamoon Rashid说:“安森美半导体将持续拓展便携式产品系列,从而使设计更灵活,并实现最佳的节能。我们的BJT在同类产品中脱颖而出,在业内是电源功耗最少且热性能最佳。我们已将该系列扩展到20个以上的产品,在目前市场上高性能BJT方面为设计工程师提供最多的选择。
新型低Vce(sat)表面贴装器件是特别针对低电压,高速转换应用设计而成,其中电源效率控制至关重要。其特征为超低Vce(sat)—1安培下45毫伏(mV) – 和高电流增益。它们具有 >8,000伏 (V)的出色静电放电 (ESD)耐受性,可以在发生意外浪涌和损害的情况下进行自我保护。其电性能优越和温度系数低,提高了电源效率,并最终提高了电池电力保持能力。
SOT-23是业内最受欢迎的封装之一,且价格最低。SOT-563是最小的新型BJT封装(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 两种WDFN封装为2.0 mm x 2.0 mm,并且高度低,为0.7 mm,是目前市场上便携式应用中的热效率最好的。3.0 mm x2.0 mm x1.0 mm的ChipFET的整体性能最佳。
这些器件理想应用于电源管理、电池充电、低压降稳压、振动马达、LED背光、磁盘驱动控制、照相机闪光灯以及低降压/升压转换器。
完整的低Vce(sat) BJT系列备有多种行业领先的封装,包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量单价由0.18到0.40美元不等。
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