当前位置:首页 > 电源 > 功率器件
[导读]国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装,为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装,为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高密度、可靠和高效率的解决方案。
 
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封装是生产技术改进的成果,以全新紧凑的占位空间提供比标准PQFN 3 x 3器件高出多达60%的负载电流能力,同时极大地减少了整体封装电阻,从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) 。除了低导通电阻,新的高性能PQFN封装加强了热传导率并提高了可靠性,且符合工业标准及MSL1湿度敏感性测试。

这一高性能PQFN封装技术也适用于5 x 6 mm占位面积的器件,与标准PQFN 5 x 6 器件相比,在设计要求更多电流时无需增加额外占位面积。

该系列产品包括用作控制MOSFET的优化器件,具有低栅极导通电阻 (Rg) ,以减少开关损耗。在同步MOSFET应用方面,新器件以FETKY (单片式FET及肖特基二极管) 配置形式提供,从而缩短反向恢复时间,以提高效率和EMI性能。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“全新系列高性能PQFN封装器件专为DC-DC应用优化,是非常可靠且灵活的高密度解决方案。此外,随着IR对PQFN产品的扩展,客户现在可以从众多封装组合中挑选出使他们的设计达到最佳效果的产品。”

器件的高度小于1 mm,与现有表面贴装技术兼容,并拥有行业标准引脚,还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

新系列已接受批量订单。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

传统上,耗尽型 MOSFET 被归类为线性器件,因为源极和漏极之间的传导通道无法被夹断,因此不适合数字开关。这种误解的种子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年发明了第一个耗尽型 MOSFET——只...

关键字: MOSFET 数字开关

北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日,国内首批冷板式液冷数据中心核心器件技术规范顺利通过项目评审和论证,在开放计算标准工作委员会(OCTC)获批立项。浪潮信息作为标准主要发起单位和撰写单位,将牵头围绕冷板、连...

关键字: OCT 器件 数据中心 TC

(全球TMT2022年9月20日讯)9月16日至18日,借第19届中国—东盟博览会开展之机,首届中国—东盟和平利用核技术论坛在广西南宁召开。中核集团同方股份有限公司出席活动,并联合核安保技术中心、中国原子能工业有限公司...

关键字: 分布式 器件 安防 并联

为了最大限度地减少开关阶段的功耗,必须尽快对栅极电容器进行充电和放电。市场提供了特殊的电路来最小化这个过渡期。如果驱动器可以提供更高的栅极电流,则功率损耗会降低,因为功率瞬态的峰值会更短。一般来说,栅极驱动器执行以下任务...

关键字: 栅极驱动器 MOSFET

在设计功率转换器时,可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真,带来更多的工程洞见。然而,与制造商精细的器件模型相比,这种简易的器件模型无法在设计中提供与之相匹敌的可信度。本文...

关键字: 英飞凌 MOSFET

北京, 2022年9月20日 /美通社/ -- 9月16日至18日,借第19届中国—东盟博览会开展之机,首届中国—东盟和平利用核技术论坛在广西南宁召开。中核集团同方股份有限公司出席活动,并联合核安保技术中心、中...

关键字: BSP 全自动 分布式 器件

该稳压器内置一个MOSFET和一个续流二极管,MOSFET提供交流发电机励磁电流,当励磁关闭时,续流二极管负责提供转子电流。发电机闭环运行具有负载响应控制 (LRC)和回路LRC控制,当车辆的整体电能需求不断变化时,使输...

关键字: 意法半导体 稳压器 MOSFET 续流二极管

2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子,其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流,独特的栅极负压开启机制,使其成为...

关键字: MOSFET 栅极驱动

在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长,尤其是在高功率时。这样,它们不能保证良好的饱和度,因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术,使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件,这个问题...

关键字: 电力电子 MOSFET IGBT

(全球TMT2022年8月18日讯)近日,TUV南德意志集团(简称"TUV南德")授予深圳光峰科技股份有限公司(简称"光峰科技")目击测试实验室资质。 TUV南德授予光峰科技目击测试实验室资质 作为全球领先...

关键字: 激光 光学 器件 电子

功率器件

12198 篇文章

关注

发布文章

编辑精选

技术子站

关闭