新品推荐：-60V SGT介绍

2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流，独特的栅极负压开启机制，使其成为高端开关的理想选择。P 沟道MOSFET特性的优势在于可简化栅极驱动技术，降低应用的设计复杂度，从而降低整体成本。乐瓦微-60V P沟道MOSFET提供超低的导通电阻（RDS(on)），在 VGS＝-10V 条件下, 器件的 RDS(ON)_Typ低达5.5mΩ，广泛应用于电池保护、反极性保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。乐瓦微-60V P沟道MOSFET封装范围包括TO-220、TO-263、TO-252、DFN5*6、PDFN3.3*3.3、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供最优的解决方案。-60V P-ch SGT MOSFET 产品组合

LW Product Name	Package	VDSS (V)	ID (A)	Vth(V)	Rdson(mΩ) @VGS10V	Rdson(mΩ) @VGS4.5V	Ciss(pF)	Qg(nC)
				Typ	Typ	Typ
LWS6080AS	SOP-8	-60	-8	-1.65	65		530	8.5
LWS6080A4	TO-252	-60	-16	-1.65	65		530	8.5
LWS6060A4	TO-252	-60	-25	-1.8	45
LWS6060AS	SOP8	-60	-9	-1.8	45
LWS6028A8	TO-220AB	-60	-40	-1.8	20	25	1500	22
LWS6028A4	TO-252	-60	-45	-1.8	20	25	1500	22
LWS6028AS	SOP8	-60	-11	-1.8	20	25	1500	22
LWS6016A4	TO-252	-60	60	-1.8	12	16
LWS6010H4	TO-252	-60	-80	-3	9		3950	62
LWS6010A4	TO-252	-60	-80	-1.8	9	12	3950	62
LWS6010AD5	PDFN5*6-8L	-60	-60	-1.8	9	12	3950	62
LWS6008A5	TO-263	-60	-100	-2	5.5		5550	85

乐瓦微简介
上海乐瓦微电子科技有限公司总部位于上海，在深圳和无锡设有分公司，是一家集MOS、LDO、MCU研发、设计与销售的先进半导体设计公司，也是上海市高新技术企业，主要产品门类：高压VDMOS（900~1500V系列）、中低压沟槽MOS（20V~250V NMOS;-20V~-40V PMOS）、中低压SGT-MOS(-100V~150V)以及LDO（高PSRR、低Iq、高输入电压以及大输出电流四大系列）、MCU系列产品。乐瓦微依托国内外一线先进的晶圆生产平台。以及长电、捷敏以及杰群等优秀的产品封测平台，不断推陈出新，开发出一系列应用于工业控制、医疗、PC/服务器、消费电子、通讯电源、以及IOT等应用领域的高可靠性产品，同时坚定不移地持续提升技术创新，以卓越的性能和稳定的品质服务全球客户。来源：乐瓦微