飞兆半导体提供第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N

21ic讯 Ultrabook™设备和笔记本等应用的设计人员面临降低电源设计中电感高度的挑战，以满足更薄的低侧高终端系统要求。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，用于大电流、高频率同步降压DC-DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管，采用热性能增强型6x6mm2  PQFN Intel® DrMOS v4.0标准封装。

FDMF6708N可让设计人员节省50%的占位面积，同时提供高开关频率和高功率密度。该器件的过零检测(ZCD)功能改善了轻负载效率，延长了电池寿命。与传统分立解决方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™ 技术以及具有更低源极电感的clip-bond封装，在满负载下提供高效率。而传统分立解决方案需要更大的PCB空间、更长的布局走线、更厚的电感，以及更多的元件，因而在使用较薄磁性元件所需的较高频率下散热性能不良。

FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封装，与最接近的竞争产品相比，该器件在峰值负载下(15A)效率提高2.5%，在满负载条件下(30A)效率改善6%。该器件适用于要求开关频率在600KHz – 1.0MHz，输入电压甚至达到20V的应用。可让设计人员使用更小、更薄的电感和电容，减小解决方案的尺寸，同时满足热性能要求。FDMF6708N器件能够帮助设计人员应对设计挑战，设计出更酷、更薄且具有更高能效的Ultrabook™产品。
 
特性和优势

• 超过1.0MHz的开关频率减小了解决方案的总体尺寸，节省了50%的线路板空间，并且通过降低电感高度，实现更薄的系统。
• 过零检测(ZCD)电路改善了轻负载性能
• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0标准占位面积、多源极解决方案多芯片模块(MCM)
• 与最接近的竞争产品相比，该器件在峰值负载下(15A) 效率提高2.5%，在满负载条件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz)，实现更长的电池寿命。

飞兆半导体Generation II XS DrMOS系列器件提供业界领先技术，以应对现今电子设计所遇到的能效和外形尺寸挑战。这些器件是飞兆半导体高能效的功率模拟、功率分立和光电子解决方案的一部分，能够在功率敏感应用中实现最大节能。

价格：订购1,000个
FDMF6708N 每个1.86美元