电源
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采用三明治结构设计 大幅度提高MLCC产品应用可靠性
一、前言潮州三环(集团)股份有限公司地处广东省潮州市，目前公司产业基地占地面积18万平方米，厂房面积11万平方米，现有员工2500名，各类技术人员200名，总资产人民币4.5亿
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反馈来改善电路的性能技术方案
反馈是电子线路中的重要内容，反馈的类型判断包括交、直流反馈的判断，正、负反馈的判断，电压、电流反馈的判断，串联、并联反馈的判断，迅速，准确判断反馈的类型，有利于我们正确的分析电路的功能，有利于我们在电路设计中利用反馈来改善电路的性能。
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Linear 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311，该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311 采用独特的
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功率电容器: 产品系列范围，能量密度更高
TDK株式会社扩展了旗下爱普科斯(EPCOS) 的MKK功率电容器产品系列，推出了MKK DCi-R系列新型产品。MKK DCi-R系列采用了树脂浸渍技术，基于MKK DC系列气体浸渍电容器和MKK
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Linear 推出 3V 至 30V 快速稳定双路运算放大器 LT6020
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3V 至 30V 快速稳定双路运算放大器 LT6020，该器件具备 30µV 最高输入失调电压和 0.5µV/°C 最大 VOS
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IR推出坚固耐用的600V IR25750 SOT-23电流检测IC 提升整体系统效率并大幅节省空间
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的IR25750通用电流检测IC，配有极纤巧的SOT23-5L封装，为大电流应用提升整体系统效率并且大幅节省
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新型CPU及微处理器低压大电流可编程输出电源设计
O 引言随着现代电子产品，特别是便携式电子产品在噪声、干扰及功耗方面的要求不断提高，许多新型微处理器、CPU、MCU和DSP等系统核心器件的供电电压要求越来越低，但为了能够
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面积2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封装21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小
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TT Electronics推出用于车用电子动力转向的新型传感器
Magnetorque® Plus 提供用于扭矩和位置传感的解决方案21ic讯 TT Electronics传感和控制部门现已扩大用于电动助力转向系统 (electronic power steering, EPS)应用的传感
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基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案
本文详细分析和探讨了较大功率直流电机驱动电路设计中可能出现的各种问题， 有针对性设计和实现了一款基于25D60-24A 的直流电机驱动电路。 该电路驱动功率大， 抗干扰能力强， 具有广泛的应用前景。
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东芝推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器
东芝公司宣布推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器，用于驱动中小功率IGBT和功率场效应晶体管(MOSFET)。批量生产定于1月底开始。新产品“TLP5701”(用于驱动小功
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Littelfuse推出符合AEC-Q200标准的新型压敏电阻 为汽车电子设备提供高出50%的额定浪涌能量
保护敏感的车辆系统不受负载突降和跨接引线起动引发的电压瞬变的影响21ic讯 Littelfuse公司日前宣布针对汽车应用推出了AUMOV™系列低压高浪涌电流径向引线式压敏电阻。
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德州仪器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大电流电机控制及电源设计
最新中压功率 MOSFET 采用 TO-220 封装包括最低导通电阻 80V 及 100V 器件德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电
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详解运放及其补偿技术
运放补偿虽然很常见，但有时候也极具挑战性，尤其是在要求和约束条件超过设计师控制的情况下，设计师必须选择一种最优补偿技术之时。也许极具挑战性的原因之一是一般文献资
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ROHM开发出比以往产品小50％的世界最小晶体管“VML0604”
~不仅实现更低导通电阻，还非常有助于智能手机和可穿戴式设备的小型化与高性能化~21ic讯 日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种
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