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  • 缺乏内容 英特尔放弃电视梦

    近几年来，当Google、苹果等科技大厂都纷纷涉足于网路电视产业时，晶片厂商英特尔也跟上潮流，在2013年二月野心勃勃地宣布即将进入网路电视市场，也投入不少资源在电视服务研发计划上。然而不到一年的时间，现在英特尔却急于摆脱此业务，并欲将IntelMedia抛售给美国电信运营商Verizon。英特尔与Verizon已经正式承认此笔交易，且根据知情人士指出，消息将会在近日内公布。英特尔CEOBrianKrzanich谈到这项决定时表示，早就质疑这项业务成功的可能性。在2013年底，Krzanich接任英特尔执行长后，就已经延缓了进入网路电视产业的脚步，当时市场认为英特尔只是要继续专注于其晶片业务，并致力于解决两大威胁－不断下滑的PC业务及快速成长的智慧手机和平板电脑市场。不过，近日Krzanich接受媒体采访时透露，出售网路电视服务的主要原因在于英特尔缺乏高品质的内容。他表示，英特尔的电视业务事实上是一项不错的产品，拥有相当不错的技术及硬体支援，然而最终决胜点还是取决于内容，当用户有最大的萤幕、最清晰画面，但如果没有丰富的内容，电视将不能发挥其最大价值。而英特尔没有媒体产业的背景、经验及份量，因此在与内容供应商的合作上屈居下风。事实上，对于Google和苹果这些科技大厂而言，想要发展电视市场，内容一直是一大发展障碍。在英特尔之前，苹果就曾因为与内容供应者合作不顺，而将AppleTV的计划延至2015年。不过英特尔并没有打算完全放弃网路电视服务，Krzanich表示，将要找一个合作夥伴来帮助英特尔能够以更快的速度扩展在电视产业的脚步。而Verizon将可能会是英特尔寻找的对象之一。

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  • 大比特论坛--光伏有奖探讨活动圆满结束

    【导读】12月19日—1月2日，由论坛主办的“光伏有奖探讨活动”目前已经圆满结束。按照论坛的活动规则，凡是参与光伏研讨会及从事光伏行业相关产品的技术人员均可直接回帖领奖。 12月19日—1月2日，由论坛主办的“光伏有奖探讨活动”目前已经圆满结束。按照论坛的活动规则，凡是参与光伏研讨会及从事光伏行业相关产品的技术人员均可直接回帖领奖。 本次有奖活动，所有回帖领奖的参与者务必在1月14日前回复，逾期将视为无效。具体的回帖格式为：姓名-联系方式-邮寄地址-公司名(为保护个人隐私，回复仅管理员可见)。另外，为了感谢大家对本次活动的积极参与，对于不符合要求的参与者论坛也将为每位奖励200积分。 以下为本次会后有奖探讨活动的有效帖名单：752205402、 ljl 、 aixuexi 、 woshissx 、 空气监测、 yangzhq 、 xuyongpan 、 411322 、 BELLER、 苹果。 此次有奖探讨活动已经结束，为了能够为广大工程师朋友提供更多的交流机会和获得更多的行业知识，论坛将持续探讨关于光伏行业的热点话题及热门技术，关注光伏行业的工程师朋友们可以继续关注本论坛，积极参与探讨。 活动详情请点击

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  • 高通急了!联发科蚕食高通市场

    【导读】联发科实现全网通吃对高通来说拥有非常大的威胁，高通自家引以为傲的全网通吃技术已经不具什么优势了，未来联发科有望进一步蚕食高通的市场。 一直以来基带芯片都是高通引以为傲的地方，也是它与其它芯片厂商最大的的不同所在。从去年开始，高通自家的基带芯片已经能够实现全网通吃，简单来说就是能够同时支持两种4G制式、三大3G制式以及2G制式。高通出品的基带芯片几乎垄断了所有旗舰级智能手机，iPhone 5S之所以能够支持移动4G也离不开高通的功劳。 今天，另一大芯片厂商联发科也追赶上了高通的脚步，理论上实现了全网通吃的功能。在CES2014上，联发科宣布和威睿电通扩大战略合作，通过整合其CDMA2000技术, 未来联发科技手机解决方案可支持WorldMode全球全模规格。 联发科口中的WorldMode涵盖CDMA2000、LTE、DC-HSPA+、UMTS、TD-SCDMA以及GSM/EDGE这几大网络制式，并实现语音、多媒体和数据连通功能。其中加入对CDMA2000的支持对联发科来说尤其重要，在此前联发科并没有取得专利授权，因此自家一直都没有推出支持CDMA网络的基带芯片。 联发科实现全网通吃对高通来说拥有非常大的威胁，高通自家引以为傲的全网通吃技术已经不具什么优势了，未来联发科有望进一步蚕食高通的市场。 比较遗憾的是联发科WorldMode全网通吃基带的推出时间比较晚，联发科表示其将会在2014年第四季度正式发布，给高通留下了很长一段时间来应对。 本文由收集整理

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  • 国内外芯片差距何在?

    【导读】在芸芸“中国芯”中，我国本土安全芯片公认做得不错，不断填补国内智能卡领域空白。所谓安全芯片TPM(TruSTedPlatformModule)，可信任平台模块，是一个可独立进行密钥生成、加解密的装置，内部拥有独立的处理器和存储单元，可存储密钥和特征数据，为电脑提供加密和安全认证服务。 在芸芸“中国芯”中，我国本土安全芯片公认做得不错，不断填补国内智能卡领域空白。所谓安全芯片TPM(TruSTedPlatformModule)，可信任平台模块，是一个可独立进行密钥生成、加解密的装置，内部拥有独立的处理器和存储单元，可存储密钥和特征数据，为电脑提供加密和安全认证服务。用安全芯片进行加密，密钥被存储在硬件中，被窃的数据无法解密，从而保护商业隐私和数据安全。 那么，中国安全芯片发展起来了，与海外芯片的差距在哪里呢? 智能卡芯片与国产芯片的区别：证书是一个问题，国际上有很多证书，如CC证书，目前还没有国内芯片拿到，国内厂商如果想跨出国外市场，还需要在这个地方进一步努力。目前只有两家国内厂商拿到了基于接触式卡的EMVCo证书。 另外还有技术与经验积累的问题。例如需要大量时间、经验的积累，包括产品的稳定性、成品率、生产工艺的提高，都需要走流程。不是一蹴而就的。 我们可以看到国产芯片的进步，但还是有差距。 如果纯粹比成本，同时双界面应用对芯片设计要求会更高。 看来，海外芯片会与中国本土芯片在中国市场共同存在。因为国际领先卡芯片厂商技术水平较高，尤其现在一卡多用、智能卡国际化，为中外企业带来机会。再有，海外芯片企业也在中国设厂，从宏观意义上，已经成为中国半导体产业的一部分。 那么，本土智能卡企业在目前水平下如何打开市场?我们注意到，智能卡价值链包括：芯片、模块、操作系统、应用、制卡、个人化、系统方案7个部分，而英飞凌只集中在芯片和模块方面(即价值链前两部分)，而很多本土芯片企业针对本土应用和特殊应用，在智能卡的读表机具等系统方案上进行创新，以系统产品带动芯片，也是一种聪明的突破口。 本文由收集整理

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  • 半导体2013风云榜 美光大跃进

    全球半导体市场在2012年衰退2.5%后，2013年恢复成长，年成长率达4.9%。2013年全球半导体市场营业额达3190亿美元，较2012年的3029亿美元成长4.9%，成长主要动力是由DRAM及NANDFlash带动，DRAM及NAND在2013年的年成长率分别为35%及27.7%。营业额前3甲连庄2013年全球半导体公司营业额，英特尔（Intel)、三星(Samsung）及高通（Qualcomm)继蝉联前3名，2013年营业额合计977.6亿美元，占整体半导体产业营业额30.8%，囊括近3分之1的市场，可见其影响力之大。2013年各家半导体营业额部份，英特尔估469.6亿美元，年减1%，不如整体产业年成长；三星营业额334.6亿美元，年成长7%，DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取记忆体）及NANDFlash（储存型快闪记忆体）市占率皆全球第一，因此成长率较英特尔佳；高通营业额173.4亿美元，年增31.6%，高通高成长主要受惠于智慧型手机市场蓬勃发展。2013年能与高通的高成长抗衡的，是记忆体公司美光（Micron），合并日本尔必达（Elpida)后，2013年营业额激增到141.7亿美元，较2012年的67.7亿美元成长109.2%。美光的排名由2012年的第10名，跃升到第4名。另一家以记忆体为主的SKHynix（SK海力士)，2013年营业额133.3亿美元，较2012年的89.7亿美元成长48.7%，排名由第7上升到第5。日本大型半导体公司除东芝（Toshiba）以外，在2013年表现皆很不好，东芝因有NANDFlash的产品线，营业额为124.6亿美元，较前一年成长11.9%，全球排名第6。日厂仅东芝正成长日本瑞萨（Renesas）2013年营业额78.2亿美元，较2012年衰退15.3%，排名退步到第10；索尼（Sony)及罗姆（Rohm）的半导体业务，2013年的营业额分别衰退28.1%及14.3%，索尼的排名掉到第15，罗姆半导体跌出前20大排行榜。美国德州仪器（TI），2013年的营业额为113.8亿美元较前一年衰退5.6%，排名由第4退步到第7。博通（Broadcom)及意法（ST)2013年的营业额分别为81.2亿美元80.8亿美元，2013年的排名为第8及第9。联发科2013年营业额预估为45.2亿美元较2012年的33.6亿美元成长34.5%，全球排名由第18名进步到14名；晨星半导体2013年预估营业额为11.1亿美元，今（2014）将完成合并的2公司合并营业额为56.3亿美元，排名可提升到第11名。

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  • 新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

    SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管第一候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiCMOSFET的最新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiCMOSFET。SiC备受汽车行业的期待。比如，电装正在自主研发SiC基板和功率元件。当然，该公司也在开发沟道型MOSFET，并宣布将于2015年推出产品。日本各大企业纷纷开展GaN功率元件业务GaN功率元件方面，日本各大企业相继发布了新产品，还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中，变化较大的是耐压600V的GaN功率晶体管(参阅本站报道)。耐压600V的功率晶体管能够应用于空调、电磁炉等白色家电，混合动力汽车和纯电动汽车的逆变器，光伏逆变器及工业设备等输出功率在数百～数万W的功率转换器。以前，GaN功率晶体管的耐压大都在200V以下，耐压600V的产品达到实用水平的只有美国Transphorm公司一家。进入2013年，松下和夏普宣布涉足GaN功率元件业务，前者于2013年3月开始样品供货耐压600V的产品，后者于2013年4月开始样品供货耐压600V的产品。此外，国际整流器公司(IR)公司及EPC公司也在为实现耐压600V产品的实用化而进行研发。富士通半导体也已开始样品供货GaN功率晶体管，该公司于2013年11月与Transphorm公司签订了合并GaN功率器件业务的协议。双方的业务合并后，将由Transphorm开发GaN功率器件，由富士通半导体制造。亚洲企业也纷纷涉足前面提到的企业只不过是其中一小部分，另外还有很多企业着手研发GaN功率元件，准备开展相关业务。今后在从事GaN功率元件的半导体厂商之间，估计会展开激烈的价格竞争。尤其是韩国、中国大陆和台湾等亚洲半导体厂商全面涉足GaN功率元件业务之后，价格竞争将更为激烈。GaN功率半导体的生产能够沿用过去生产逻辑IC等产品使用的支持6～8英寸Si基板的生产设备以及面向LED引进的GaN类半导体外延设备等，这将推动亚洲企业涌进该市场。实际上，在2013年5月举行的功率半导体相关国际会议“ISPSD2013”上，中国大陆、台湾、韩国等亚洲企业纷纷发布了GaN功率元件方面的研究成果。其中，三星电子的成果备受关注。该公司已在口径200mm(8英寸)的Si基板上试制出了GaN功率晶体管。三星电子最近在致力于功率半导体领域的研发。该公司于1998年将功率IC部门卖了飞兆半导体，但在2年前又成立了功率半导体部门。不仅是GaN功率半导体领域，在SiC功率半导体领域，日本以外的亚洲企业的实力也在逐渐增强。实际上，准备生产SiC基板和二极管的企业越来越多，表现尤为突出的是SiC基板领域。比如，在前面提到的ICSCRM2013上，北京天科合达蓝光半导体有限公司、山东天岳先进材料科技有限公司及韩国SKC公司均宣布在开发口径150mm(6英寸)的SiC基板。就在几年前，亚洲企业中涉足该领域的只有北京天科合达蓝光这一家，如今形势已经改变。2014年，在功率半导体领域也要关注亚洲企业的动向。

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  • 光伏行业相关政策及市场环境向好

    【导读】新的一年到来，沐浴着政策“阳光”，更多的光伏电源并入电网，我国光伏行业正在回暖。在欧洲“双反”后进入“配额制时代”、国内市场在新政刺激下快速启动、美日等新兴市场突飞猛进、行业利润向电站下游集中的背景下，我国光伏行业迎来了新一轮发展机遇。 在整体乐观的趋势下，也应该认识到，未来一段时间，我国光伏行业仍然面临着产能过剩、融资困难等问题的挑战。国家电网“支持、欢迎、服务”分布式光伏发电，理顺行业机制仍需时间，如何开拓更大市场? 【背景】 国家能源局此前已出台2014年光伏新增装机配额预案，总共12吉瓦，其中分布式8吉瓦，地面4吉瓦，并细化到各省、自治区、直辖市。2013年，我国光伏新增装机8.5吉瓦左右。分布式光伏应用在预案中得到鼓励，地面电站建设也掀起了新一轮投资热潮，国内市场将会快速增长。 专家观点 中国可再生能源学会副理事长 赵玉文 光伏产业发展对经济大环境变化特别敏感，产业增长率会随之出现波动。2011年～2012年，我国光伏产业受到国际市场变化的影响，进入了低谷期。其中，欧美对我国出口的太阳能电池板发起“双反(反倾销、反补贴)”调查，以及欧洲经济环境前景不明朗，给我国光伏行业带来了不小的打击。 但在2013年，我国光伏产业发展的市场环境得到缓和：当年7月，中欧双方就中国输欧光伏产品贸易争端达成价格承诺，国内市场也开始增长，总体发展趋势不错。 在此基础上，2014年，在国家陆续出台相关利好政策和国家电网公司配套措施的支持下，我国光伏制造业和市场都将继续发展，且发展形势逐渐趋好，这是让人乐观的。但同时，分布式光伏等相关政策和细则仍需要广泛普及宣传。 目前我国分布式光伏发展采取的电价补贴已经提高，但这一补贴形式并不是完全纯粹的市场行为，因此，光伏企业在融资时可能还会遇到困难。保持国内市场和制造业相对平衡发展是根本出路。要打通融资渠道，理顺各项配套政策措施关系，还需要一定时间。光伏产业要发展，需要科学地启动和开拓我国光伏市场，这要求我们必须有非常明确且科学的符合市场规律的政策。 【网友声音】 @双日木闺女：作为中国太阳能分布式发电的先行体验者，今天(2013年12月2日)我们终于尝到了甜头。我们刚刚拿到了国网员工亲自送上门的1050元现金，包含上网电费结算和光伏发电补贴。虽然还有一些问题有待细化解决，从电网主动服务的态度上我们看到了光伏分布式发电的希望和未来!我家的用电我做主，你也可以! 本文由收集整理

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  • 2014年Imagination藉苹果仍将稳居行动GPU市占首位

    高解析度萤幕在行动应用上迅速拓展，已经对应用处理器的设计产生庞大压力，而由于高画质内容的传输、成像、处理必须消耗庞大的频宽、记忆体容量，以及强大的处理效能，因此也成为推动行动GPU架构发展的主要原因之一。根据DIGITIMESResearch计算，2013年1080P解析度面板在行动应用上的渗透率已达10%，而更高解析度的WQHD面板也有将近2%的渗透率，预计2014年1080P市占可达20%，更高解析度则约5%左右。以此趋势观察，行动装置平均解析度将超越PC，然而行动装置的GPU性能却部分仅达PC产品的数十分之一，如何在合理功耗下提升GPU性能表现，藉以满足高解析度应用的使用者体验，已是应用处理器产业的最大挑战。2014年行动绘图架构市占预测 注：仅计算智慧型手机与平板电脑AP出货架构比例 资料来源：DIGITIMES，2013/11 

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  • 松下计划裁员千人 或转入富士通及IBM

    【导读】据共同社1日消息，日本松下公司正在研究将内部信息系统开发部门约1500名员工裁去约1000人。此举旨在使经营合理化和压缩劳务费等，计划于7月1日实施。松下拟把这部分人员转入有业务往来的富士通和IBM日本公司工作，并将业务外包。 据报道，松下计划将位于大阪府门真市的子公司“松下IT解决方案”出售给富士通，同时也将调动已成为内部分公司的“情报系统企业”的部分员工。目前正在与富士通和IBM就分别转移500人左右的方案进行协调。 报道称，松下与这两家公司以前就在信息系统领域拥有交易关系，松下试图以将公司内部网络研发和安全性维护等大部分业务外包为条件让两公司同意接收员工。 松下在2012财年连续第二年出现巨额亏损，目前正以亏损部门为主摈弃以往自包自揽的做法。医疗业务子公司“松下健康医疗器械”的股票卖给了美国投资基金。持续亏损的半导体部门事实上也将出售给以色列企业。 本文由收集整理

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  • 美光科技第一财季净利润3.58亿美元 同比扭亏

    美国最大的存储芯片制造商美光科技周二发布了该公司2014财年第一财季财报。财报显示，受产品销售改进的推动，美光科技第一财季的业绩超过了市场预期。在截至11月28日的第一财季，美光科技营收为40.42亿美元，高于上一季度的28.43亿美元，高于上年同期的18.34亿美元。美光科技第一财季运营利润为5.51亿美元，上一财季的运营利润2.07亿美元，上年同期的运营亏损9700万美元。美光科技第一财季净利润为3.58亿美元，合每股摊薄收益0.30美元。美光科技上一季度净利润为17.08亿美元，合每股摊薄收益1.51美元；上年同期的净亏损为2.75亿美元，合每股摊薄亏损0.27美元。美光科技营收同比的大幅增长，得益于收购日本内存芯片制造商尔必达交易的完成。不按照美国通用会计准则，美光科技第一财季净利润达到8.81亿美元，合每股收益0.77美元。美光科技第一财季业绩超过了市场预期。汤森路透的调查显示，市场分析师此前平均预计，不按照美国通用会计准则，美光科技第一财季每股收益为0.44美元，营收为37.2亿美元。在首席执行官马克·德肯（MarkDurcan）的带领下，美光科技正通过限制供给来改造存储芯片产业，确保产品价格不出现下跌。去年7月斥资20亿美元收购尔必达，让美光科技在全球DRAM存储芯片的份额增长了大约一倍。投资公司WedbushSecurities驻旧金山分析师贝琪·范-希斯（BetsyVanHees）认为，全球第二大存储芯片制造商SK海力士去年一家芯片制造厂的火灾事故，部分的推动DRAM存储芯片的售价在上一季度出现上涨。范-希斯表示，“DRAM存储芯片的价格仍将会继续上涨。对美光科技而言，当前的时机确实非常有利。”SK海力士工厂火灾事故，让其客户别无选择，只能选择美光科技。该分析师给予了美光科技股票“买入”的评级。美光科技股价周二在纳斯达克证券市场常规交易中上涨1.06美元，涨幅为5.13%，报收于21.73美元。在随后的盘后交易中，受业绩超市场预期的推动，美光科技股价上涨1.32美元，涨幅为6.07%，报收于23.05美元。整个2013年，美光科技股价累计涨幅超过了两倍。

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  • 政府策动民间资金进入IC领域

    【导读】中国集成电路产业正面临新的发展形势。全球集成电路产业进入重大调整变革期，集成电路产业的战略地位进一步凸显。美国将其视为未来20年从根本上改造制造业的四大技术领域之首，欧盟启动实施了微纳米电子技术工业发展战略。 中国集成电路产业正面临新的发展形势。全球集成电路产业进入重大调整变革期，集成电路产业的战略地位进一步凸显。美国将其视为未来20年从根本上改造制造业的四大技术领域之首，欧盟启动实施了微纳米电子技术工业发展战略。 我国拥有全球最大的集成电路市场，约占全球市场的一半。随着新一代移动通信技术的发展，以移动互联为代表的新兴市场迅速兴起，在金融卡芯片迁移、信息消费、节能惠民、宽带中国等国家重大工程实施的带动下，内需市场成为产业发展的源动力。而在国发18号文件、国发4号文件的推动下，产业发展取得了长足进步，规模持续扩大，创新能力显著增强，企业实力明显提升，产业结构不断优化，产业聚集效应进一步凸显，为未来产业的快速发展奠定了坚实的基础。 因此，我国未来必须坚持需求牵引、创新驱动、聚焦重点、开放发展的思路，进一步做大做强产业。一是要发挥企业作为技术创新的主体作用，在重大产品、重大工艺、重大装备以及新兴领域实现关键突破。二是要推动芯片与整机联动发展，打造芯片整机大产业链。通过政策引导、环境营造等手段，推动集成电路产品定义、芯片设计与制造、封测的协调开发和产业化。加强对芯片与整机企业互动合作的引导，以整机升级带动芯片设计的有效研发，以芯片设计创新提升整机系统竞争力。探索软硬件协同发展机制，全产业链合作机制，逐步构建有利于产业自身发展的生态环境。三是要加强资源整合与利用，培育具有国际竞争力的大企业，引导和支持企业间兼并重组，提高产业集中度，优化产业结构，培育具有国际竞争力的大企业，打造一批“专精特新”的中小企业。加强引导和鼓励各类社会资源和资金进入集成电路领域，增强集成电路产业发展活力。 本文由收集整理

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  • 芯片商倾力布局　双模无线充电方案令人兴奋

    【导读】双模无线充电方案市场热度激增，包括IDT、博通、TI、CSR等在内的芯片商倾力布局。CES 2014上精彩无限，一睹为快...... 双模无线充电方案将成为2014年国际消费性电子展(CES)的热门话题。IDT将于2014年CES中，大规模展出支援无线充电联盟(WPC)Qi标准与电力事业联盟(PMA)标准的双模无线充电产品与应用方案，突显出未来双模无线充电产品在市场的热度，吸引芯片商倾力布局。 IDT模拟与电源部门副总裁暨总经理Arman Naghavi表示，该公司期待于CES中展示领先业界的双模无线充电产品和原型(Prototype)。IDT已于2013年的CES中展出数款令人兴奋的新产品，包括业界首款双模无线电源接收器-- IDTP9021，其可与PMA和Qi发射器相互沟通，且相容于能支援三线圈(Triple-coil)结构的WPC 1.1标准无线充电发射器-- IDTP9035A与IDTP9036A;除上述产品之外，该公司亦将于本届CES中发布既有无线充电芯片整合电源管理芯片(PMIC)的产品，以及尚未公布的新一代无线充电方案。 IDTP9021可同时支援PMA和WPC标准，其创新的接收器缩短两种无线充电标准的技术差距，让原始设备制造商(OEM)能采用单一整体物料清单(BOM)，为客户打造无缝的使用体验。 IDTP9035A 与IDTP9036A发射器符合WPC 1.1版本分别在5伏特(V)单线圈规范Tx-A5与Tx-A11，以及12伏特三线圈的Tx -A6架构要求。在接收端，IDTP9025系通过WPC认证的无线充电芯片，包括同步整流全桥和低电阻低压差(LDO)稳压器，使客户能够实现以最少的外部元件数量，达成最佳化的功率转换效率并缩减印刷电路板(PCB)空间。 IDT的无线电源发射器和接收器芯片解决方案解决磁感应(Magnetic Induction)和磁共振(Magnetic Resonance)标准相容性的问题，可望加速无线充电技术在行动装置市场的普及。 此外， IDT于CES中亦将在位于S213的会议室，支持无线电力联盟(Alliance for Wireless Power， A4WP )及其Rezence品牌的发布，显见A4WP无线充电标准亦正逐渐获得市场关注，因此包括博通(Broadcom)、德州仪器(TI)等芯片商已陆续推出支援A4WP标准的蓝牙(Bluetooth)Smart芯片方案，剑桥无线半导体(CSR)亦计划在不久后发布相关的芯片产品。 本文由收集整理

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  • 伦敦科学博物馆赢得英国最大光伏电站规划许可

    在当地规划委员会为威尔特郡拟议的40MW光伏电站授予规划许可后，建设英国最大光伏电站的提议日前离实现更近一步。该提案日前由科学博物馆和SwindonCommercialServices提出，将看到1.6万个电池板安装在斯温顿Wroughton博物馆的巨大储物空间。该伦敦科学博物馆将可能仅展示其任一时间收集的一小部分，因此使用Wroughton一个废弃的皇家空军（RAF）机场存储剩余的。该科学博物馆预计，大型太阳能安装项目将使得该集团有效实现碳中和。尽管Wroughton园区消耗电力最少，但是博物馆历史悠久的肯辛顿基地是电力巨大的消费者。在日前召开的议会会议上，斯温顿议会的规划委员会授权规划负责人批准该议案。因此，该计划现在将被称为UKNationalPlanningCaseworkUnit，将有二十一天的时间审查该申请。如果获得批准，该拟议的项目将取代目前英国最大的太阳能园区：LarkEnergy位于莱斯特郡Wymeswold机场的32MW开发项目。科学博物馆集团的Wroughton地区负责人马特·摩尔（MattMoore）在谈及授权该光伏电站计划的决定时表示：“光伏电站选址应适当并敏锐，这是一个好位置，它是半工业用地，临近主要城镇。其将提供安全可靠的收入，帮助科学博物馆继续我们保护国家收藏及改善现场条件的工作。”该40MW光伏电站将位于一片旧机场荒地，占地六十七公顷，预计产生的电力足以为1.2万户家庭供电一年。此外，开发商将设立号称是英国最大的太阳能社区福利基金，每年价值四万英镑。当地居民还将被给予机会直接投资光伏电站，使得他们在该项目中占有股权。SwindonCommercialServices商业总监詹姆斯·欧文（JamesOwen）补充道：“这一项目从始至终获得当地社区的大力支持，因此我们非常高兴斯文顿维护安徽授权批准。Wroughton居民将获益于每年四万英镑的社区基金，并且其将有助于使Swindon作为一个更加绿色的生活和工作地点。”

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  • 创新智能电表芯片 增加智能电网推动优势

    【导读】智能电表的IC设计，更成为业界研发的趋势。举例来说：意法半导体发布全球首款可支援METERSANDMORE开放式通讯标准的智能型电表IC，新产品让智能型电表设备透过电力线通讯(PowerLineCommunication;PLC)技术实现广泛的互操作性，将有助于推动智能型电网环境。 尽管节能减碳话题，在最近这几年持续延烧，也纷纷推动相关措施;生活水准的提高，应用型态多元化，导致用电需求增加，也使得近年电力系统在夏季尖峰负载仍旧持续成长。随着核四兴建议题，台湾似乎又垄罩在缺电、限电等氛围之中，节能又俨然成为一种时代趋势。 为了节能，不论是企业、家庭、学校都有属于自己的方法，针对科技产业而言，如何透过这波趋势，将自家的产品研发出更符合时代潮流与趋势，更成为各家智能电表的厂商一大课题。 先进读表基础建设(AdvancedMeteringInfrastructure;AMI)、智能电表(SmartMeter)，随着智能电表的部署，无论哪一时段耗用多少电力，而这些电力的消耗究竟源自于空调、照明或其他机电设备，如此一来，企业不必像过去一样，端详了电表数字跳动许久却无计可施，随时开启电脑，便可从萤幕上观看当下的详细能耗资讯。 创新智能型电表芯片可简化电表互操作性，让公用事业能大规模推广新型电表服务。 因此，智能电表IC设计，更成为业界研发的趋势。举例来说：意法半导体发布全球首款可支援METERSANDMORE开放式通讯标准的智能型电表IC，新产品让智能型电表设备透过电力线通讯(PowerLineCommunication;PLC)技术实现广泛的互操作性，将有助于推动智能型电网为环境、消费者和公用企业带来最大利益。 意法半导体ST75MMIC是首款内建METERSANDMORE标准硬体和通讯协议的智能型电表芯片，有助于简化电表设计，从而加快智能型电表的推广速度、降低成本及提高可靠性。METERSANDMORE是一个开放式标准，标准管理者为METERSANDMORE协会，该协会是由多家来自欧洲、美洲及亚洲的领先技术企业和公用企业组成的非盈利性组织。 METERSANDMORE协会理事会主席GiuseppeMicheleSalaris表示：「ST75MM代表了意法半导体对智能型电表标准化和互操作性挑战的实质性回应，同时确保客户选用测试，智能型电表验证的成熟技术。从技术企业到公用企业，全球能源企业均应采用这款可支援经市场验证的开放式标准METERSANDMORE的突破性电表芯片，以达到保护气候的目标，如欧盟20/20/20目标。」 为了实现该标准为智能型电表和先进读表基础建设带来的好处，如短讯、可靠的加密方法和验证功能，并可支援网路配置管理和重新发送管理，智能型电表系统单芯片组合，其中包括可支援IEC61334-5-1通讯的ST7570，和可支援PRIME标准的ST7590。 事实上，如果深入探究智能电网、AMI、智能电表彼此之间的交互关系，便不难理解，智能电表确实重要。用户可以察觉到平常不注意的微小消耗，可能也是造成用电量消耗的原因，用户也可及早掌握设备异常状况等，都是智能电表所带来的另外一些节能优点。 本文由收集整理

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  • 2014年IC行情先知道：半导体大厂走势窥探

    转眼间，一年又过去了，我们踏入一个新的年份，在半导体行业里，过去的一年依然是风起云涌，暗战不断。不但在产品性能上进行提升，同时在营销方面也各施其法。而同时由于市场终端产品的影响，各种产品的供需都出现了不同的现象，下面我们来看全球知名半导体原厂在2013年的表现，并从中窥探2014的走势：1、NXPNXP的逻辑器件以及二三极管，整体来说市场占比还是不错。今年10月开始，nxp的逻辑以及一些二三极管，普遍上调价格10%~20%不等，对于这些信息月用量在以几K或者几十K计的终端工厂，大多都没察觉，毕竟这物料在BOM中的占比太少，但是到了年底感觉会大一些：在做COSTDOWN的时候发现供应商不会再下调。NXP，BAT开头系列的物料，大部分今年将停产。像BAT54S、BAT54W、BAT54C这些最通用的物料也将成为停产的对象。言语间不少NXP代理，14年都准备放弃该产品线，如东棉等。2、MICROCHIP2010年11月，Microchip收购SST不出货，造成市场缺货，FLASHSST39系列现货市场翻3~4倍，SST25系列也是2~3倍的狂涨，MCU相继也是大幅度的涨价(可参考国际电子商情相关报道)。曾经的宠儿，现在成为microchip首当其冲的整治对象，13年渠道商信息透露，microchip已经准备放弃SST产线，并且8位的中低端单片机如PIC18FXXXX等也在找买家准备出售。3、TI德州仪器13年爆发的TIDSPC2000系列缺货潮，如果有涉及到的朋友们应该还记忆犹新。原因来源于TI13年初关闭了部分T0220F，T03P，T0247封装厂，导致产能不足。用于大型家电或工业设备变频的TMS32F2808PZA涨幅最明显，从当时的50~52的市场价涨至100左右。用于类似变频空调中的TMS320LF2406APAZ，价格也是一片看涨。在这两个型号的带动下，整个C2000系列涨声一片，如28035、28335、2807、2812市场询价漫天。C2000系列，一直作为TIDSP的开山元老，特别是一些如2406、2407、2808、2810、2812等成本高，渐渐已经被新一代的TMS320F28034PNT/TMS320F28035/TMS320F28335PGFA等型号代替，13年年初就已经在EOL的名单上。TI的ARM经典型号LM3S9B92-IQC80-C5/LM3S9B90-IQC80-C5等一直也在EOL的名单上，官网已经单独备注上“NRND：不建议用于新设计”。4、samsung三星samsung扩大NAND型Flash市场主控权，DRAM模块制造商指出，当前全球NAND型Flash缺货态势已相当确立，多数NAND型Flash供货商均指出这波缺货潮将有机会持续到2004年上半，应不是太大问题，所有的消费性产品及其外围设备对于NAND型Flash需求量是只增未减，也因此使得全球第一大NAND型Flash供货商三星为能持续保有市场占率，以及可于未来几个月赚取到别人所望尘莫及利润，第一阶段已将其晶圆厂生产线，大幅度由DRAM转做生产NAND型Flash。据了解，目前三星除了持续扩增原先采用8吋厂生产NAND型Flash，另一方面则持续将其12吋的产能转做NAND型Flash，估计到2003年底前三星12吋厂旗下约有2.5万片产能，当中便会有高达50%产能将用于生产NAND型Flash，且将会开始采用0.11微米制程技术生产高容量Flash商品，而三星这样随时弹性调整其晶圆厂产能，将会是其未来于全球内存产业中最大竞争优势。此外，三星为进一步达到其永久保持其NAND型Flash与竞争对手差距，更开始将其研发策略做出重大改变。停掉1Gb以下NANDFlash官网K9F5608UOX/K9F1208UOX/K9F1G08UOX系列显示已EOL，三星过去之所以得以于全球DRAM产业中，不断维持其霸主地位，原因便在于不断采用最新制程技术生产DRAM颗粒，如今同样为持续保有过去DRAM产业光荣传统，三星已确定将接下来所谓奈米级的0.09以及0.07微米制程技术，全数改由NAND型Flash产品优先使用，以利三星持续享有最佳获利空间。DRAM市场人士认为，由于接下来市场对于NAND型Flash容量要求是愈来愈高，因此对于最先进制程技术需求更是迫在眉睫，三星此次将旗下2大内存产品采用最新制程顺位对调，绝对有其必要性存在，否则待其余半导体厂陆续加入后，三星如未能及时采用最新制程技术，来保有制造成本优势，恐将沦落与其余竞争对手仅是靠杀价来维持占有率的竞争局面。5、ST意法半导体13年8月ST新高管层走马上任，伴随着ST-爱立信合作工厂的正式拆解。ST的8位中低端MCU停产被提上了议程，STM8S系列作为预计停产的重点对象，如STM8S208C6T3官方已建议“NRND：不建议用于新设计”，8月份STM8S103K3T6C等物料也严重缺货，现在这个物料的官方交期也被确定为16周。ST逻辑，这条产品线是明确下来了要逐步停掉，具体停产时间可官网查询相关EOL通知。例如用I/O扩充逻辑：HCF4051BEY今年10月为最后一批出货，自10月开始现货价格不断攀升。ST音频：型号TDA……开头的音频ic，今年会停产的型号也远远多于平常。6、ON安森美如果说硬要在今年的ic厂商最评选出一个之最的话，那么ON应该可以获取“最受客户诟病”的品牌了。交期、交期、交期……继去年8月安森美大量裁员11年收购过来的“三洋半导体事业部员工”后，12年年尾宣布关闭三座日本的晶圆厂和两家泰国的后端测试及封装厂，而泰国封装厂由于本来经受过洪水的侵袭，关闭后将不会再开张。由于12年一系列动作，加之13年一些新调整，所以自8月开始，普遍物料交期被拉长至10~12周，更有甚者订货周期为18~22周。由此决定引起现货市场一片哗然，最近两月市场ON物料的现货询价和买货明显较以往更疯狂。据几家同行透露，现在像DGK/MOUSER等国际目录分销商都在大量囤积例如MMBT……开头的物料。现在查询DGK/MOUSER等网站，MMBT……开头的物料，他们基本都挂出了百K级别的库存。这样的长交期从on原厂来看，目的是非常明确的——没有长期、上量订单的型号就会被停掉。另一个新闻是，为降低部分通用件的成本，on将IC脚位引线由最开始的金线换为铜线，所以导致很多生产线调整，这个也是影响交期的一个因素。例如用于风扇电机驱动的icLB11961等。7、ATMEL低内存容量flash已经卖掉。如2012年的10月，将AT45XXXX和AT25XXXX系列的产品，都卖给了Adesto(美国)这家公司，包括员工以及封装厂。自2013年Q2季度开始，所有AT45XXX和AT25XXXX系列产品上面的丝印都会改成Adesto，但是产品的结构和PartNo完全不变。例如AT45DB161D，但凡生产日期在2013年Q2以后的，就不存在ATMEL表面丝印，如果你还买到atmel丝印的物料，那你就应该明白发生了什么事情。8、NEC/RENESASRENESAS收购NEC过后，由于没有分出单独的产线来生产NEC的很多产品，因此直接停产了很多型号。比如用于汽车电子的UPD72042BGT-E1，市场一度稀缺，因为是主控IC又无替代型号，所以给众多工厂端生产带来非常大的麻烦。像UPD72042BGT-E1这个产品现在是客户端给着翻倍的价格，连07、08老年分的原装货都买不到。现在UPD……开头的物料很多都面临停产，比如UPD720200F1-DAK-A等，UPD720114GA-YEU-A、UPD720114K9-4E4-A还在正常供应。

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