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  • 出售欧洲98MW光伏电站 MEMC股价现3年最大涨幅

    在宣布出售欧洲装机量总计98MW的四座光伏电站后，美国第二大多晶硅制造商MEMCElectronicMaterials股价出现逾三年来最大涨幅。MEMC股价在纽约证券交易市场收于2.64美元，上涨22%，创自2008年11月以来最大单日涨幅。MEMC在一份声明中称，公司在第二季度出售了位于保加利亚的60MW光伏电站和位于意大利的38MW光伏电站。旗下项目开发部门SunEdison在第四季度成为MEMC最大的营收来源。JefferiesGroup分析师JessePichel接受采访时表示：“上季度举行电话会议时MEMC提到了这桩交易，很高兴他们在按原计划进行。出售98MW光伏电站将缓解某些流动性担忧。”并不是所有的项目营收都录入公司流动资金，因为保加利亚其中一个项目的资金是借来的。Pichel表示：“似乎MEMC在这些项目上还有未偿还的债务，现在得偿还了。基本上，MEMC将直接把现金交给银行。”

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  • 富士通半导体交付55nm创新方案，解本土IC设计之“渴”

    近来中国IC市场的最重磅新闻要属大小“M”——台湾联发科(MTK)和晨星半导体（MStar）宣布合并。“M兄弟”的联手对已跨入“1亿美元俱乐部”的少数刚崛起的大陆本土IC设计公司带来很大的竞争压力，而原本就缺资金、缺平台、缺资源的本土小型和微型IC厂商的生存空间更加令人堪忧。 正如富士通半导体ASIC/COT业务市场部副经理刘哲女士在不久前闭幕的“2012深圳(国际)集成电路创新与应用展”（China IC Expo，简称CICE）“IC制造和设计”论坛上指出的，“现在中国的IC设计公司大概有300多家，营业额在10M美金以上的可能不到10%，在100M美金以上的可能不到10家，总体来讲中国IC设计产业还不是很健全，同质竞争严重，缺乏创新。我研究了一下过去5年中统计的中国十大公司，发现5年都能上榜的大概只有5家，市场的优胜劣汰十分激烈。” 那么本土IC设计业如何能够更好地在市场立足，在如此激烈的竞争中生存，并且不断的壮大自己？刘哲及富士通半导体IP平台解决方案事业部副总经理安佛英明先生针对这个话题在论坛做了题为“富士通半导体SoC 设计和芯片代工解决方案”的演讲，分析了目前中国本土IC设计业在SoC设计中所面临的挑战和应对方法，并宣布了富士通半导体为中小型IC设计公司量身定制的55nm最新设计和制造服务解决方案从7月开始提供PDK和library给客户进行设计。 SoC设计挑战分析 “目前业界在SoC设计上遇到的挑战最关键有两点：一是Time-to-Market，二是cost。迎接这个挑战就要从——工艺制程（Process）、IP、设计三个方面下工夫。选择正确的工艺，有竞争力的IP及先进的设计方法是SoC成功的关键。” 刘哲简洁明了地概括了SoC设计的成功之道。   图1：SoC设计遇到的挑战。 她特别强调了所谓正确的工艺制程并不是指最先进的工艺制程，而是最有性价比的，符合中国本土IC公司承受能力的，既能够保证产品上市时间又降低成本的合适工艺制程。那么到底什么才是中国本土IC设计真正需要的工艺制程呢？ 55nm——中国IC设计真正之“渴” 如今的消费类电子市场竞争已经进入白热化阶段，客户的需求、竞争对手的挑战都使得中国本土IC设计公司面临巨大的生存压力。另一方面，摩尔定律面临极限挑战，高端工艺因其高昂的前期投入成为中小设计公司可望而不可即的奢侈品。此外，低功耗的要求促使芯片设计者不得不追逐最新的40nm和28nm工艺，但这意味着巨大的风险和投入，无论是工艺还是IP的投入和成熟度都在一定程度上阻碍了许多想法最终转变成硅片。 从2010年开始，中国开始出现越来越多的40nm设计，其中不乏几千万门级的智能终端IC。但40nm工艺超过百万美元的一次NRE费用着实让中国本土IC公司“伤不起”，加上IP方面不菲的投资以及整合验证，使得项目风险很大。 如何以更低的投入最大化地利用主流的且成熟的65nm工艺去设计产品是业界很多公司都在寻求的目标。本次展会上，富士通半导体ASIC/COT业务部最新推出的两套创新的55nm工艺制程CS250L和CS250S引起与会业内人士的高度关注，他们可帮助中国便携消费类终端IC设计公司以65nm的成本水平实现功耗大幅降低、性能堪比40nm工艺的设计，对成本、上市时间和功耗极其敏感的消费终端ASIC设计意义重大。   图2：富士通半导体ASIC/COT业务部携55nm创新工艺隆重登场2012 CICE。 CS250L和CS250S的推出可以说恰逢其时，使得中国消费电子IC厂商又多了一种选择，可不用急于往40nm节点冒进，在实现接近功耗的同时不仅能保护现有在65nm上的IP投资，而且NRE的费用仍像65nm一样处于能承受的水平，因此非常适合中国的国情。 使65nm IP可直接用于55nm工艺 “模拟IP是通往真实世界的接口，但是大家都知道模拟IP的使用和工艺制程是非常相关的，比如一个IP在65nm的工艺制程下能用，可是到了55nm的时候就要换基于55nm工艺的IP了。富士通半导体解决了这个问题，凭借我们在模拟IP方面多年的技术积累，我们的65nm工艺IP可以直接用于55nm工艺中，这就极大地保护了客户投资。” 刘哲表示。“另外，从晶圆代工、IP授权、设计服务以及封装测试，富士通半导体强调的是一站式增值设计服务，可将客户的成本、风险、上市时间降至最低。”她补充道。 富士通半导体的上述两套全新55nm工艺是基于65nm技术而开发，可使客户保护以往的投资。其中CS250L是基于对现有65nm后端工艺而优化的全新标准单元、SRAM，可使整体功耗降低20%，芯片面积则节省15%左右。最大的特点是全套65nm IP不需要重新做移植，GDSII网表可以直接使用。图3展示了CS250L的关键优势。   图3：CS250L的关键优势。 以55nm工艺提供接近40nm的功耗 以55nm工艺提供接近40nm的功耗，同时还不会降低性能，理论上讲这似乎不太可能。不过富士通半导体和美国SuVolta公司合作开发的新制程CS250S使得“Half the POWER，All the Performance”变成现实。 过去，虽然芯片的工艺制程技术一直在飞速进步，不过自从进入0.18微米（180nm）时代，CPU核心电压降至1.xV级别后，即使是目前实际生产用最新的28nm制程也只能使核心电压维持在1V左右。“高”电压带来的功耗问题也使移动计算方面处处受限，目前智能手机、平板电脑等最大的问题之一就是功耗和续航。而芯片电压之所以无法突破1V的重要原因之一就是低压无法驱动内部的SRAM模块。 使电压阈值下降至0.4V左右。DDCTM晶体管制造的嵌入式576Kb SRAM模块最低可在0.425V电压下工作，相比目前常用SRAM最低0.7V左右的工作电压减少了40%左右。相对于效果类似的ETSOI和Tri-Gate制程，富士通半导体的这种技术更加简便易行。富士通半导体应客户要求将低功耗特性全面导入对应的产品中，对于逐渐SoC化的移动处理器来说这绝对是个好消息。 图6显示了576k SRAM宏模块在不同电压下的良率。良率由所有比特都通过的宏模块数目计算而得。   图4：576k SRAM宏模块在不同电压下的良率。 CS250S是一项革命性的创新技术，通过全新设计的DDCTM（Deeply Depleted Channel™） 晶体管技术，可以将现有65nm的功耗降低到原来的一半，而性能不受到任何影响，同时可很好地改善工艺生产造成的功耗波动。 如下图5所示，在fast corner的最坏情况下，采用CS250S（55nm）的工艺制程其静态功耗和动态功耗均比采用65nm工艺制程降低50%，而且fast corner和slow corner更加集中，对于封装热阻的考虑变得更加收敛。   图5：富士通半导体最新55nm工艺CS250S功耗比65nm降低一半。 完整、经过验证的一站式IP平台 前文曾指出，SoC的成功除了选择合适的工艺制程外，有竞争力的IP也是关键。客户的SoC中要用到各种不同的IP，尤其当遇到与工艺制程相绑定的模拟IP的时候，选择就不是那么的灵活，而富士通半导体完整的，经过验证的低功耗模拟IP，可以为SoC设计带来福音。 早在上世纪90年代，富士通半导体就在中国大陆开始推广ASIC方案和设计服务，最初客户以通讯和网络IC公司为主。2006年，该公司又在中国开始推广其日本代工厂的COT服务，以便为中国客户提供90nm和65nm工艺的ASIC设计、IP、晶圆代工等多元化的服务，很多应用如卫星电视、CMMB等消费类应用芯片都是在富士通日本晶圆厂投片生产的（40nm以下设计是转由台积电代工）。从2008年开始起， 他们中国客户中消费类电子IC厂商的比重逐年升高。 安佛英明在演讲中指出：“上市时间是消费类终端芯片产品取得成功的最重要因素，而迅速地整合IP资源是达到这一诉求的关键。富士通半导体提供非常完整的针对这类应用芯片的解决方案，提供诸如USB、HDMI、PCIE、SATA、MIPI、ARM CPU、AD/DA、电源管理等诸多经过严格评估和量产验证的IP。而这些IP大部分都是富士通内部开发的，如此省去了客户为寻找各个IP而去和不同IP供应商谈判的时间。从芯片的风险角度来讲，一旦芯片出现IP的质量问题，客户也无需为此而在各个IP供应商之间周旋。从成本角度，富士通半导体所提供的打包IP方案也会帮助节省客户初期的IP 投入。”   图6：富士通半导体可提供完整、经过制造验证的高品质IP 灵活的商业模式 此次CICE参展的不少IC设计服务公司都强调从spec-in阶段就或深或浅地参与到客户（即包括IC设计公司也有想自己开IC的系统公司）项目中，除了IP、后端设计，与Foundry和封装厂打交道的事儿，也可以大部分委托给这些专业IC设计服务公司，因而产品创新周期大大缩短，降低成本。灵活的商业模式在如今的市场环境下显得至关重要。   图7：传统的商业模式 图7展示了传统的COT和ASIC设计模式。传统的COT模式使得客户很难将所有的服务如Design、IP/ Library、Mask、Wafer Manufacture、Shuttle、Assembly、Test、Failure Analysis、E-Fab整合在一起。而传统的ASIC模式则表现出高成本，低灵活性。   图8：富士通半导体提供灵活的Foundry Biz模式。 显然，传统的商业模式已经不能适应现今市场对于IC设计服务的要求了。富士通半导体提供非常灵活的商业模式，从ASIC到COT之间有Pure ASIC、 TGD ASIC、 Foundry+（DS,FTK）、Foundry+（IP Support）、Pure Foundry这五种服务模式可供客户选择。 刘哲强调说：“富士通半导体将抛开传统IDM公司的业务模式，愿为中国本土IC设计公司的成长提供工艺、IP、设计等支持，并搭载灵活的商业模式，致力于成为本土半导体公司的强有力合作伙伴。”    

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  • 台湾半导体产业增幅大于平均 晶圆代工年增15%

    台湾资策会产业情报研究所28日发布最新预估，估今年全球半导体产值将达3061亿美元，增幅2%，台湾半导体受惠晶圆代工表现优异带动，估整体产值达1.54兆元，较2011年成长6%，整体产值增幅将大于全球产业平均，而晶圆代工估产值达6079亿元，年增15%，表现亮眼。 资策会表示，2012年第1季全球半导体市场从谷底回升，然而在终端产品销售成长趋缓之下，全年估仅与去年持平或小幅成长，不过台湾晶圆代工产业受益于先进制程业务成长，且台湾业者具客户与产能优势，因此有相对较高之成长潜力，在客户出货成长带动下，今年将呈现成长态势，全年产值可望达到6079亿元，年增15%。 台湾IC设计产业方面，资策会表示，受惠于中低价智慧型手机等市场成长，加上台湾业者在电视晶片市占率提升，第2、3季相关产品陆续配合客户新机上市量产，因此预期产值将温和成长4.2%，达4152亿元。 至于近期联发科合并晨星一事，资策会产业顾问洪春晖表示，两强携手后若可适当分工、整合资源，竞争力可望进一步提升，有利台湾厂商开拓中高阶行动电话晶片市场。 在封测产业方面，资策会指出，第2季封测业在晶圆代工的高成长带动下出现强劲反弹，展望下半年，封测业仍可维持温和成长的态势，预估全年封测营收可达3520亿元，年增3.9%。

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  • TI为何在上海设计MCU？

    许多跨国晶片公司会选择低调地将部份工作转移到中国，然而，也有一些业界领导公司选择更加深入中国市场，而且，他们从不避讳谈论其中国策略。德州仪器(TexasInstruments,TI)，就是一个很好的例子。德州仪器上海微控制器(MCU)设计中心最近刚完成了首款本地设计的晶片tapeout案例。虽然TI并不透露其上海设计中心团队规模，但TI微控制器副总裁ScottRoller在最近的一次接受《EETimes》采访时表示，“上海MCU设计中心是一个规模颇大的团队，有许多设计正在进行。”TI的上海MCU设计中心是在2011年初开始运作，除了TI位于德国、邦加罗尔和达拉斯以外，上海是目前最新一个设计中心。值得注意的是，TI在中国的工厂并不只是为了支援现有的MCU产品而存在。相反地​​，它主要负责一些来自中国的MCU产品线开发工作。“在中国，我们开发专门为中国市场而设计的微控制器，”Roller说。这个设计中心聚集了所有必要的工作人员，包括销售、应用软体开发、系统和处理器设计工程师，以及现场应用工程师等。“我们包含了前端到后端的完整流程，”Roller说。德州仪器微控制器副总裁ScottRoller。为何在中国设计？当被问及为何选在中国设计时，Roller给了我两个理由：“首先，你可以更灵活，速度更快。其次，选择在本地进行设计，将大幅减少因误解而出错的机率。”尽管理论上来说，此举可能深具意义，但并不是每一家跨国公司都愿意公开承诺他们将在中国进行设计。月前，在美国德州SanAntonio举办的飞思卡尔技术论坛(FreescaleTechnologyForum)上，飞思卡尔新任总裁暨执行长GreggLowe指出，中国市场正在从低成本的电子产品制造基地，转变为具备设计能力，可为当地广大内需市场开发所需产品的真正高科技枢纽。想在中国销售产品的晶片供应商，就必须在当地扎根，Lowe说。IC供应商并不一定要在中国设计产品，但他们必须在当地设有应用工程师和系统工程师，他表示。然而，ARM中国总裁吴雄昂说，中国的根本区别就在于中国的速度。就他观察，一般在中国的SoC设计周期会更短。“从设计开始到真正tapeout，有时只需要五到六个月。中国公司做决定的速度非常快，对市场的反应速度更迅速。”而在进行一款特殊设计时，跨国公司通常要回报总部做决定，这种做法并不适合中国本地市场，吴雄昂说。TI的Roller强调，出于成本考量，TI过去并没有在中国建立MCU设计中心。他指出，中国的工程技术人才可能会“便宜一点，但你不会真的省下很多钱。”而今，TI在中国成立设计中心的主因，是因为“我们希望能设计和生产出更贴近本地需求的产品。”对TI来说，现阶段中国MCU市场中一个最关键的领域，就是中国正在发展的国家电网计划所带动的智慧电表。TI已经推出了首款产品，目前已提供样品，Roller说。“这对我们来说，是非常庞大的商机。”TI在中国销售的两款主力MCU产品分别是超低功耗16位元微控制器MSP430，以及32位元的C2000微控制器。当问到还有哪些跨国公司也大力投入中国MCU市场时，Roller提到了飞思卡尔(Freescale)和瑞萨(Renesas)。飞思卡尔已进军中国多年，TI的Roller说。但他也表示，在新的CEO上任后，情况可能会改变。Roller口中的新任CEO指的是从TI跳到飞思卡尔的Lowe。飞思卡尔的Lowe任职于TI时，曾带领TI位在达拉斯的类比事业部。而TI已经在中国设立了数个类比设计中心。在飞思卡尔技术论坛中，飞思卡尔的Lowe在接受采访时承认，“设计决策将会逐渐转移。”他表示，“你不能只待在矽谷，还有其他重要的地方得去，但你必须了解客户的需求，才能设计出真正贴近客户的晶片。

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  • 第三季度半导体硅出货量有望增长 保持第二季度的势头

    21ic讯 据IHS iSuppli公司的半导体制造与供应市场追踪报告，由于半导体产业对过剩的渠道库存恢复控制，以及假日季节来临前厂商增加库存，第三季度半导体硅出货量有望继续增长，保持第二季度的局面。 预计第三季度总体硅出货量将达到25.7亿平方英寸，高于第二季度的25.1亿以及第一季度的22.9亿，如图2所示。第三季度营业收入预计为854亿美元，高于第二季度的780亿以及第一季度的744亿。第二和第三季度出货量增长，将帮助2012年全年硅出货量达到97.3亿平方英寸左右，比2011年的91.7亿增加6%。 硅制造领域在第一季度中期达到本轮周期的底部，但出货量到3月才开始出现改善。今年下半年，硅供应商必须继续密切关注两个重要问题：全球经济状况，以及集成器件制造商和无厂公司的半导体库存水平。 第一个问题的重要性在于，经济状况决定人们的可支配收入水平。消费者购买占半导体产业营业收入与硅需求的60%左右，所以消费需求放缓肯定会对该产业造成不利影响。结果将导致库存上升和硅需求情况恶化，可能意味着供应商陷入低迷处境，直到2013年第二季度。 第二个是供应链库存问题，也将是影响硅需求的一个关键因素。一方面，供应商必须对付产品过时问题并追踪产品寿命周期，以确保其在市场中的实用性。另一方面，供应商必须永远领先于消费者的购买模式——做好准备在第二和第三季度开始大批量生产，然后能够在第四至次年第一季度缩减生产，迎接传统的淡季阶段。 在制造方面，目前向12英寸制造转变，正在损害8英寸硅片的需求。因此，硅供应商应该考虑关闭产能或者整合制造业务，以便使利润最大化。下一波将是向18英寸水平转变，可能在2015年末具备条件：当这一天来临时，同样会损害12英寸的需求。 从短期和长期来看，面向消费者的电子产品继续促进硅产业的增长。增长最快的领域是无线，包括手机和平板电脑，无线领域的硅需求目前占产业总体需求的25%。 但是，存储元件仍然是硅的最大消费者。尤其是，面向存储领域的硅供应商希望今年能有好的行情——不仅是因为消费者对于超级本的需求预计增强，而且也因为媒体平板消费的NAND闪存增加。 即便如此，破产的日本尔必达记忆体公司的归宿仍然不确定，对未来的整体硅制造前景蒙上了阴影。这是因为，存储产品产能减少无疑是有利的，可以精简市场，但需求减少也会导致硅供应商的营业收入明显下降。

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  • 飞兆半导体全球移动资源中心提供产品测试帮助设计人员实现最终产品差异化

    随着移动系统设计周期缩短，能够及时验证产品成功的能力是开发过程中至关重要的步骤。第一步即正确设计和制造产品有助于缩短上市时间，并提供争取市场份额所需的竞争优势。为了帮助移动产品设计人员取得设计成功，全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)设立全球移动资源中心(Global Mobile Resource Center, GMRC)，让移动技术设计人员联系飞兆半导体的技术专家，获取兼容性测试资源和多样化的技术解决方案。 位于上海的全球移动资源中心具备先进的移动设备测试能力，能够提供个性化的客户体验。移动产品设计人员现在拥有支持早期产品设计的宝贵选择。GMRC工程技术人员将进行严格的实时测试，应对高速信号、模拟/数字音频和视频、RF无线通信、移动功率管理和其它移动应用的设计挑战。 观看中心优势和特色重点介绍视频，请访问网址 http://bcove.me/uql0w6ad。 飞兆半导体高级技术经理罗勇进表示：“与客户密切合作开发实用的解决方案，是飞兆半导体所有工作的目标。GMRC配备先进的测试设施和业界领先的工程技术人员团队，可为客户提供竞争优势。” GMRC提供的测试包括： · USB 2.0/3.0、HDMI™/ MHL™、MIPI®兼容性测试，以及TDR测试 · 序列逻辑分析、ESD和移动功率管理 · 模拟/数字音频和视频信号测试 · 移动RF设备的仿真器测试、基带与IP数据流量、RF功率和频谱测试 飞兆半导体全球移动资源中心的成立目标为提供创新的移动解决方案并成为移动设计工程师的重要工具，帮助快速改进设计并缩短上市时间。中心提供即时响应和优化的解决方案，能够减少产品退货情况，并进一步证实飞兆半导体积极扩大并提升客户支持的承诺。

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  • 三星 挑战英特尔半导体龙头地位

    已在电视和智慧手机市场称霸的三星电子，接下来准备挑战英特尔的半导体制造商龙头地位。三星看好智慧行动装置中最重要的逻辑晶片需求将强劲成长，正大举投资。 野村证券的研究显示，到2014年底止，行动应用处理器(AP )需求每年可望成长40%，个人电脑中央处理器(CPU)仅有个位数成长。NH投资和证券公司估，到2015年前全球AP市场规模可望三级跳至330亿美元，CPU市场将萎缩逾10%至340亿美元。 这对三星、高通(Qualcomm)和德仪(TI)等大型AP制造商、及行动晶片设计商安谋(ARM)而言，是利多消息。英特尔在个人电脑CPU市占率高达80%，但在新兴的行动应用处理器市场却没有太大表现。 三星正将部分记忆体晶片生产线转为生产逻辑晶片，并在南韩投资近20亿美元建新逻辑晶片厂，反映三星预期，智慧手机和平板电脑将成为全球半导体市场的成长驱动力。 HMC投资证券公司的分析师葛雷格.卢说：「整体竞争态势将随着CPU和AP的界线模糊化而改变，英特尔正尝试打进行动晶片，安谋阵营的AP效能也改良到逼近CPU水准，三星的终极目标可能是挑战英特尔和高通。」 研究机构IHS iSuppli分析师希德可预估，三星有可能在半导体总产量超越英特尔、夺下市场龙头地位，但要在「三星AP产品除供应自己和苹果使用外，也向外扩大客户基础，而且英特尔错失行动晶片良机」的条件下，才可能发生。 三星已抢得市场先机，举凡iPad、iPhone和自家Galaxy系列产品，当前最畅销智慧手机和平板电脑所用的AP都来自三星。相较下，英特尔在AP市场才刚起步，首款搭载英特尔新Medfield处理器的智慧手机4月在印度推出，联想和摩托罗拉行动的部分智慧手机也将采用英特尔晶片，但仍无法和苹果、高通和三星等主流行动晶片相提并论。    

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  • 美国：莱迪思半导体下调第2季度营收预期

    据美国6月14日媒体报道，近日美国莱迪思半导体公司(LatticeSemiconductor)下调了2012年第2季度财务业绩预期，因为战略客户业务所得增幅被持续疲软的全球分销渠道(尤其是欧洲)所抵消。该公司目前预计第2季度营收将环比持平或下降3%，而此前该公司预测营收将较上季度持平或增长4%。不过，该公司仍维持第2季度总经营开支预期保持不变，仍为3950万美元，其中包括收购相关费用约100万美元。

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  • 日本扩张光伏投资 REC股价随之上涨

    6月18日，为削减对原子能的依赖性，日本政府正式公布光伏补贴费率。受此影响，挪威光伏产品制造商RenewableEnergyCorp.ASA(REC)的股价在奥斯陆证券交易所上涨至两周以来的最高点。REC公司总部位于桑维卡，公司股价上涨7.9个百分点，收于2.69挪威克朗，创下自6月1日以来的最高点。截至挪威当地时间下午1点20分，股价上涨5.6个百分点，成为当日挪威证券基准指数中最大的赢家。2011年日本福岛发生核灾难以后，日本计划削减对原子能的依赖，而原子能展该国发电量的30%左右。日本产业部长YukioEdano昨日公布最新的光伏优惠费率大约是目前传统电价的三倍。这将推动硅片及电池制造企业的需求量，其中包括REC、Solarworld和Q-Cells公司。据了解，今年REC公司的股价市值已蒸发99%。2007年9月，该公司股价盘中最高点曾触及224.017挪威克朗。目前该公司正关闭挪威Heroeya工厂的剩余硅片产量。

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  • 新西兰太阳能发电产业期待政府大力倡导

    新西兰可持续能源机构负责人日前表示，随着太阳能电池组件成本的下降和发电成本的上升，政府是时候开始认真考虑支持家用太阳能发电系统的配套安装了。新西兰电力协会主席(SEANZ)BrendanWinitana也强调，新西兰的家庭目前正面临冬季取暖费用的增加，现在必须做出相应的举措来减轻民众的负担。Winitana还陈述说，过去的18个月时间里，太阳能发电系统的价格下降了50%，这使得太阳能发电逐渐成为一种经济实惠的新途径。新西兰电力协会期待政府能够在倡导太阳能发电方面起到领导作用，并呼吁大力发展分布式太阳能发电。Winitana表示，太阳能发电可以与其他某种发电方式结合发展。“地方政府已经在支持太阳能热水系统和太阳能发电系统方面做出了很好的典范，中央政府应该多向地方政府学习。”利用太阳能分布式系统不但可以降低家用能源的整体成本，还能就多余的电力送入电网。根据新西兰电力协会调查的数据，去年全国家庭太阳能电力系统的安装量达到了400个，而之前一年的数字为180。Winitana说，在这些家庭太阳能发电系统中，只有不到200个接入了电网，可以将多余的电力出售给电力公司。新西兰的2011-21能源战略规定了政府要实现到2025年，90%的能源需求来自于可再生能源。新西兰能源效率和环境保护管理局(EECA)执行主席MikeUnderhill说，目前新西兰最便宜的大规模可再生能源是风能和地热能。他说：“新西兰可再生能源潜力巨大，目前已有3000MW的可再生能源项目获得批准，足以满足15年的增长需求，还有大批项目在调查中。”MikeUnderhill还表示，新西兰目前还是过多地依赖集中式能源发电，电力传输设施的建设和维护成本过高，以后的方向时集中发电和分布式发电之间的更好的组合。现在太阳能电力系统价格不断下降，越来越多的家庭会考虑投资。MikeUnderhill说，这是市场趋势，也是人们喜好所决定的。

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  • 高通收购电源管理解决方案商Summit

    6月19日消息，据国外媒体报道，高通今日宣布，公司已经收购了位于美国加州桑尼维尔市的领先可编程电源集成电路开发商和供应商SummitMicroelectronics。有了Summit的专业技术和产品，高通的电源管理计划将得到显著增强。完成这项收购交易之后，高通就能提供一套更完备的电源管理解决方案，满足客户们的各种需求，解决产品设计上的许多难题。Summit的所有员工已经加入高通旗下的CDMA技术部门。随着具备先进计算能力、高分辨率显示屏和高级连网技术（比如4GLTE）的各种智能设备越来越多，客户们对电源管理解决方案提出了更高和更严格的要求。SummitMicroelectronics是电源管理解决方案领域的领先供应商，它提供的电源管理解决方案灵活性强、集成度高、还可通过单芯片上的数码控制技术精确调整电源。另外，高通的快速充电解决方案已经被应用于各种领先的手机、平板电脑和电子阅读器中。高通总裁兼首席运营官史蒂夫莫兰科夫（SteveMollenkopf）表示：“SummitMicroelectronics带来了重要的专家、技术、产品和设计，这项收购交易可增强高通芯片组解决方案的竞争力，让我们可以为客户们提供行业领先的电源管理和充电解决方案。”高通没有透露这项收购交易的具体财务条款。

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  • 太阳能光伏市场 日本将超越德国？

    日本“皈依”太阳能也许对该国不是好消息—但是对于世界市场将带来积极的影响。在日本福岛核灾难后，日本开始转移注意力，远离核武器而转向可再生能源，到目前为止，日本已经关闭其所有核能源的发电设施。虽然日本首相最近下令重新使用两个核反应堆，但是同时还推出了非常远大的方案，以支持可再生能源的利用。工业部长由纪夫枝野已拟定的支付给太阳能发电系统业主的价格水平，据彭博新能源财经表示，3.2GW的太阳能光伏装机容量将推动至少达96亿美元的投资。日本公用事业公司须以每度42日元（52.4美分）的代价向生产太阳能电力者买电20年。新能源财经表示，按照去年全球新增光伏发电装置数据，日本排在第六位，且2013年的安装量将介于3.2至4.7GW之间-可提供一百万日本家庭清洁和安全电源的使用。彭博社预测，在太阳能光伏发电容量增长方面，日本将超越过去的德国和意大利。而只有中国排在它前面。关于这些消息，日本的太阳能产业是可以理解为让人欣喜若狂的。增加新能源的利用不只能看到太阳能企业的利润，而同样伴随竞争的同时，加大投资力度也会导致研究和开发的增加-推动太阳能电池板，光伏逆变器以及相关设备的创新和价格的下降。关于福岛灾难受影响的核电厂运营商仍在挣扎。据上《福岛新闻》发布的一份报告显示，东京电力公司说，还未能从反应堆中找到一种新的方法停止放射性水泄漏，在停运的道路上还需要完成一个关键步骤。

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  • 跨国半导体巨头在中国市场赖以生存的四大规则

    瑞迪科微电子公司CEO戴保家表示，跨国半导体巨头将难以在消费电子IC业务和中国无晶圆芯片厂商抗衡，它们已经“玩完”了！建立于2004年的瑞迪科微电子，并在2010年11月份在纳斯达克交易所正式上市。瑞迪科微电子是中国领先的无晶圆IC厂商，主要为中国本土手机制造商研发应用于手机及无线通信的RF和混合信号芯片。瑞迪科（以下简称RDA）为中国移动手机市场主要供应商之一。根据IHSiSuppli预估数据显示，瑞迪科微电子在国内白色家电的功率放大器、蓝牙、调频调谐器和DVB-S等市场处于领先地位。然而，要和类似博通这些巨头在全球半导体市场展开竞争，RDA还有很长的路要走。可是，戴保家表示，在中国做领导者却无疑是一个很好的选择。RDA令人艳羡的一个增长预期，该公司将会主导全球电子市场，戴保家指出。他引用知名国际巨头，ADI和德州仪器（TI）退出中国基带芯片业务来进行说明。当没有中国内地的芯片公司在技术上的与之抗衡，台湾联发科（MediaTek）和Mstar利用资本杠杆在中国获取主要市场。确实，正如戴保家提出的预期，留给国际芯片巨头的日子已经是屈指可数了，特别是在中国移动手持设备和机顶盒市场。他指出，因为在中国的供应链中，毛利不可能达到50%。当谈及代工、设计、封装和系统OEMs原厂整个产业生态时，戴保家指出“要想做大市场蛋糕，首先必须本土化”。在中国市场赖以生存的四大规则规则1：中国手机制造商“周期”非常短。在国外，通常需要花六个月（诺基亚则需要一年）去完成新手机设计，中国的手机制造商则是三个月。规则2：中国手机厂商不会提供市场需求信息给芯片供应商。规则3：芯片制造商必须在较低的毛利中挣扎求得生存。规则4：在中国的系统厂商一般不懂技术。跨国巨头在与中国同行们竞争时，在为期半年的新系统开发中会抽出100个人进行研发，而中国只需5到10个人，开发周期只需三个月。外国公司不光是在他们的产品升级换代中显得反应迟缓，在应对消费者的投诉问题也是很久才得到处理。外国芯片厂商离“gameover”还会远吗？

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  • 以碳纳米管为基础的全晶片数字电路首次研制成功

    据物理学家组织网6月15日（北京时间）报道，最近，美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法，首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路，即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下，整个线路仍能工作。碳纳米管（CNTs）超越了传统的硅技术，在能效方面有望比硅基线路提高10倍。第一个初级纳米管晶体管诞生于1998年，人们期望这将开启一个高能效、先进计算设备新时代，但受制于碳纳米管本身固有的缺点，这一愿景一直未能实现。“作为未来的密集型高能效集成电路，碳纳米晶体管极具吸引力。然而当人们想把它们用在微电子领域时，却遭遇到巨大的障碍。最主要的就是它们的位置和电属性的变化。”IBM托马斯·瓦特森研究中心物理科学部主管苏布拉迪克·高华说。在碳纳米管能变成一种有现实影响力的技术之前，至少还要克服两大障碍：第一，研究已证明，要造出具有“完美”直线型的纳米管是不可能的，而扭曲错位的纳米管会导致线路出错，以致功能紊乱；第二，迄今还没有一种技术能生产出完全一致的半导体纳米管，如果线路中出现了金属碳纳米管，会导致短路、漏电、脆弱易受干扰。针对这两大难题，研究人员设计了一种独特的“缺陷-免疫”模式，生产出第一个全晶片级的数字逻辑装置，能不受碳纳米管线向错误和位置错误的影响。此外，他们还发明了一种能从线路中清除那些不必要元素的方法，从而解决了金属碳纳米管的问题。他们的设计方法有两个突出特点，首先是没有牺牲碳纳米管能效，其次还能与现有的制造方法和设施兼容，很容易实现商业化应用。他们的研究最近还被作为国际电子设备大会（IEDM）的邀请论文，以及美国电器与电子工程师协会（IEEE）会报集成线路与系统计算机辅助设计方面的“主题论文”。下一步，研究人员将尝试造出数字集成系统的基本组件：计算线路与序列存储，以及首个高度一体化的整体三维集成电路。

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  • 无晶圆厂／晶圆代工模式还能存活好久

    两个月前，英特尔(Intel)高层MarkBohr指“无晶圆厂经营模式快不行了”的说法，引发不少热烈讨论；以下这篇由顾问机构InternationalBusinessStrategies(IBS)执行长HandelJones所撰写的分析文章，或许可以提供一些反驳论点。 目前半导体产业面临的挑战究竟有哪些？ 1.28奈米制程节点的参数良率尚未到达预期水准： 在28奈米节点，包括随机掺杂扰动(randomdopantfluctuations)、线宽、线间距变动，以及导孔电阻值(viaresistance)等会影响RC相关时序的种种问题，为目标规格带来不可预知且低落的参数良率。这种制程变异带来不断增加的漏电、功耗与良率等冲击，而晶圆代工业者与无晶圆厂晶片供应商所面临的挑战如下图所示。 为了弭平图中所示的鸿沟，晶圆代工厂的制程技术团队与无晶圆厂晶片供应商设计团队之间，需要有一个IDM形式的沟通介面。大型无晶圆厂晶片业者与晶圆代工厂，具备建立该种介面的财源，也能合作解决问题；但是较小型的厂商将会面临财务挑战。不过关键是，谁应该负责建立那种IDM形式的沟通规则，并支付所需成本？是无晶圆厂业者、晶圆代工厂，还是两边都要负担？看来其中有很多都是需要双方共享的。 半导体制程演进过程中，晶圆代??工厂与无晶圆厂业者之间的技术鸿沟越来越深 2.要成为晶圆代工产业龙头，所需支出的资本越来越高： 台积电(TSMC)的2012年资本支出为80亿美元，也就是每1万片晶圆需要10亿美元成本，以因应每月8万片晶圆的28奈米与20奈米制程额外产能。三星(Samsung)的非记忆体业务2012年资本支出金额也在80亿美元左右(官方公布为65亿美元)，大约也是供应每月8万片的额外产能。 Globalfoundries则是正在提升Malta晶圆厂的产出，计划在目前Dresden晶圆厂每月8万片晶圆产能之外，再增加每月3万片晶圆的额外产能。至于联电(UMC)，其2012年资本支出金额为20亿美元，并宣布其Fab12厂将筹资80亿美元。只有很少数的半导体厂商有能力在14奈米节点投资更大产能所需的成本，因此无晶圆厂晶片供应商也会去选择最佳的合作对象。 3.随着晶片微缩，制程技术复??杂度也更高： 无论是对IDM厂商或是晶圆代工业者来说一个很大的问题是，随着晶片微缩，开发先进制程技术的成本也越来越高，如下方图所示。在20奈米节点，主要的成本来自于bulkCMOS技术，但到了14奈米节点则是FinFET(已知英特尔在22奈米节点就使用FinFET)。 开发新一代制程技术所需成本 据估计，要成为领导厂商，开发FinFET制程技术所需成本约在20至30亿美元，若不想落后太多最起码也要投资18亿美元；以研发成本占据总营收10%的比例来计算，需要达到90亿美元的营收才够，而且技术开发时间超过2年。而在14奈米节点，要拥有适合的晶圆制程技术以及厂房设备，以每月4万片晶圆产能计算，成本将超过50亿美元。 若要升级18寸晶圆，以每月4万片晶圆产能计算，则需要100亿美元的额外投资，不过每年也有达到100亿美元营收的潜力。因此有能力投入18寸晶圆领域的，会是那些能取得庞大资金来源的厂商；但对晶圆代工厂来说，如果能建立适当的业务模式，回收也会不错。这么样一个高风险、高回收的产业环境，如果晶圆代工厂与无晶圆厂晶片供应商之间能建立IDM形式的沟听介面，其效益没理由会比一家IDM厂来得差。 下图是在不同半导体制程节点的晶圆代工市场规模；估计到2018年，整体晶圆代工市场将达630亿美元。一家拥有40%全球市占率的晶圆代工业者，2018年的营收规模可达252亿美元；拥有越高市占率的晶圆代工厂，也能确保高利润(这也会成为厂商继续参与晶圆代工业务的动力)。 不同半導體製程節點的晶圓代工市場規模 不同半導體製程節點的晶圓代工市場規模(列表) 那些有能力弭平设计与制造之间鸿沟的晶圆代工业者可获得庞大的财务回收，但前提是需要开发能拉近设计与制造部门之间距离的介面与沟通桥梁。在14奈米这样的先进制程节点，大概只有两家──或者最多三家──晶圆代工厂能拥有大量晶圆产能(每月5万片以上)，这些业者还需要开发能让他们获利的业务模式。 那么，类似IDM的晶圆代工厂与无晶圆厂晶片供应商关系是怎样的呢？无晶圆厂业者需要提供更详细的设计资讯给晶圆代工伙伴，晶圆代工厂则需要有专门团队与无晶圆厂晶片供应商的设计团队合作，好让客户的产品能顺利在晶圆厂生产。晶圆代工厂也需要在设计布建阶段，与策略性无晶圆厂客户在程式库、IP等支援上有更紧密的合作。无论是晶圆代工厂或无晶圆厂内部的技能都必须强化，并应该建立一种类IDM的运作架构。 到20奈米与14奈米技术节点，晶圆代工业务模式还能生存；但未来制程节点的演进，等待时间会越来越长。前面说的两年时间是不切实际的，未来进展至每个制程节点的新产品开发周期，会需要适应更长的制程演进时间。英特尔虽在晶圆制造领域扮演领导者角色，但关键问题是英特尔将如何利用其领导地位优势；英特尔有许多种选项，该公司正遭遇十字路口。 晶圆代工与无晶圆厂晶片供应商的业务模式，虽然会遭遇投资与技术方面的挑战，但那些问题在14奈米节点之后都能被解决。然而在FinFET的时代过去之后，半导体产业将会经历一段非常阴霾的时期，那对无晶圆厂/晶圆代工业务模式，以及IDM厂商来说，将是另一个挑战的开始。

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