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  • 应材Vatage快速升温系统出货达500台居市场龙头

    半导体设备大厂应用材料(AppliedMaterials)宣布，已为全球半导体厂出货第500套AppliedVantageR快速升温制程(RTP)系统，用于制造先进的存储器和逻辑芯片。应材指出，Vantage系统耐用、轻巧的设计以及一流的回火效能，于2002年首次上市时即迅速获得客户肯定，该平台在两年内便跃居市场龙头，领导地位仍维持至今。根据Gartner调查指出，应材是RTP技术的龙头，2009年这种以灯泡为基础的RTP应用居市场领先优势。除VantageRTP系统，应材已为全球客户安装超过500套的CenturaRRTP系统，成为业界过去10年用以制造微型芯片的首选。应材副总裁暨前端产品事业处总经理桑德·瑞玛摩希(SundarRamamurthy)表示，Vantage系统展现应材在单晶圆高温制造技术的领导地位，满足客户对于效能、生产力和可靠度的要求。应材将继续为Vantage平台开发新的RTP解决方案，例如开创性的VantageAstra毫秒级回火技术，以解决晶体管尺寸缩小的关键挑战。」Vantage架构是将两个RadiancePlus、RadOx或Astra制程反应室，直接与应用材料生产的工厂界面相连，以最小的洁净室空间将生产力提高到最大。该系统独特的弹性，让客户在经过生产验证的相同平台上，执行所有以灯泡和雷射为基础的升温制程步骤，包括毫秒级回火(millisecondanneal)、瞬间回火(spikeanneal)和长温回火(soakanneal)，以及多种氮化和氧化应用。整套系统以单机整合出货，装机时间可有效缩短于10天之内。

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  • 全球半导体联盟公布其2010年获奖者名单

    全球半导体联盟（Global Semiconductor Alliance，GSA）公布了其2010年获奖者名单。这些奖项每年颁发给全球的杰出半导体公司，这些公司已经通过在业界的成功、愿景和策略证明了他们的卓越能力。2010年的奖项已于2010年12月9日（星期四）在加州圣塔克拉拉的举行的GSA年度颁奖晚宴上颁发。 GSA最著名的奖项"张忠谋博士模范领袖奖"授予了斯坦福大学校长JohnHennessy博士。每年，这一领袖奖项会授予张忠谋博士（与该奖项同名）这样的杰出个人，以表彰他们为推动半导体行业的发展、创新、增长和长期机会所作出的杰出贡献。 半导体行业的成员根据产品、愿景和未来机会这些指标对业界最著名的公司进行投票，从而评选出"最受尊敬的新兴半导体上市公司和半导体上市公司奖项"获奖者。"年销售额达5亿美元至100亿美元的最受尊敬的半导体上市公司奖项"授予了Broadcom Corporation，而"年销售额达到或超过100亿美元的最受尊敬的半导体上市公司奖项"授予了英特尔公司（Intel Corporation）。"最受尊敬的新兴上市公司奖项"授予了NeTLogic Microsystems，Inc.，而由GSA评奖委员会评出的"最受尊敬的私营企业奖项"授予了Ambarella。 Altera Corporation荣获了"最佳财务管理公司奖项"，按照多个重要财务指标衡量，该公司展示了最佳整体财务绩效。 在截至2010年6月的连续8个季度中实现营收翻倍的私营公司有资格获得"私营半导体企业营收杰出成长奖项"。该奖项的两位获奖者是埃派克森微电子（ApEXoneMicroelectronics）和FulcrumMicrosystems，Inc.。 GSA的新兴公司首席执行官委员会、风险资本家和部分业内企业家评选出了"值得关注的初创公司奖项"，获得该奖项的公司需要展示出通过对半导体技术或者半导体技术新应用的创新运用来使其整个市场或行业发生积极改变的潜力。这一著名奖项授予了SandForce，Inc.。 作为一个全球联盟，GSA对总部位于欧洲/中东/非洲和亚太地区的公司进行表彰。这些获奖者由各个地区的领先委员会评选出，根据市场上的产品、愿景、领导力和成功这些指标衡量，他们是最出色的半导体公司。"亚太地区杰出半导体公司奖项"授予了展讯通信有限公司（SpreadtrumCommunications，Inc.），而"EMEA地区杰出半导体公司奖项"授予了DialogSemiconductor。 半导体财务分析师选出的最喜欢的半导体公司可以荣获"分析师最喜欢的半导体公司奖项"。分析师会根据历史和预估数据（例如估价、每股收益、预估营收和产品性能）作出决定。巴克莱资本（BarclaysCapital）选择的获奖者是QUALCOMMCDMATechnologies。德意志银行（DeutscheBank）选出的是SanDISkCorporation，而Needham&Company将其2010年奖项授予了AtherosCommunications，Inc.。 此次颁奖晚宴获得了以下赞助商的支持：冠名赞助商台积电；贵宾赞助商纳斯达克OMX（NASDAQOMX）；联谊酒会赞助商GLOBALFOUNDRIES；以及普通赞助商，包括Advantest、Amkor Technology、ARM、ASE Group、Atheros Communications、巴克莱资本、Broadcom、Cadence Design Systems、CSR、德意志银行、eSilicon、GLOBALFOUNDRIES、IBM、摩根大通（J.P.Morgan）、KPMG、Magna Chip Semiconductor、Marvell、MIPS Technologies、Mohawk ValleyEdge、摩根士丹利（MorganStanley）、Needham&Co.、NVIDIA、NetLogic Microsystems、普华永道会计师事务所（Pricewaterhouse Coopers）、QUALCOMM CDMA Technologies、三星半导体（Samsung Semiconductor）、SAP、Teradyne GSO和联华电子（UMC）。  

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  • 东芝联合苹果斥资12亿美元建液晶面板工厂

    东芝将投资大约1000亿日元(约合11.9亿美元)建设一座生产小型液晶面板的工厂，主要用于苹果iPhone。 据报道，东芝下属的东芝移动显示公司将在日本石川县建设这座工厂。这款低温显示面板能够显示高清图像。 据称，该工厂将于明年年初开工兴建，2011年上半年投产。目前，东芝移动显示在石川县已有一座工厂，每月产能达855万块液晶面板。新工厂投产后，预计这一数字将提高一倍以上。 苹果也将参与部分投资。  

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  • 三季度全球半导体制造设备出货额达111亿美元

    SEMI近日报告称，2010年第三季度全球半导体制造设备出货量达到111.2亿美元，该数字较第二季度增长了22%，较去年第三季度增长了148%。该数据是由SEMI和SEAJ联合从全球100多家设备公司每月发布的数据统计而来。 2010年第三季度全球半导体设备订单额为123.9亿美元，较去年同期增长113%，较第二季度增长6%。

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  • 2010年全球半导体封装产业盘点

    2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月，SEMI公布了关于铜引线键合的调查结果。调查结果显示，有41％的半导体厂商使用铜引线键合。封装技术相关展会“NEPCONJAPAN2010”，也指出了以铜引线键合为首的低成本封装技术的重要性。 走在此类低成本封装技术前列的，是日本国外的后工艺专业厂商。例如，在铜引线键合的购买比例中，台湾占到全球的39％，菲律宾占到全球的18％，日本仅占3％。先行者——台湾日月光集团（ASEGroup）表示，“采用铜引线键合的封装供货量截至2010年9月累计达到了10亿个，实现了不亚于金线的质量”。另外，台湾日月光集团预计2010年底的累计供货量将达到20亿个，年底之前将购买4000台铜引线键合装置。 日本也在推进铜引线键合的开发工作。例如，富士通半导体已经开始量产铜线产品，今后还准备扩大生产规模。不过，难以实现如同金线产品那样的稳定生产，因此富士通半导体表示“估计铜线产品的比例在2012年也只有几十个百分比的水平”。 TSV及三维技术也取得进展 另外，关于采用TSV的三维积层等前瞻技术，其技术开发工作也正在稳步推进中。例如，尔必达存储器为了量产采用TSV的新一代DRAM，正加速进行技术开发（参阅本站报道3）。尔必达存储器有两大目的。一个是通过积层多个DRAM内核来实现“超大容量DRAM”，另一个是实现以高带宽连接逻辑LSI和DRAM的“超宽I/O”。 关于后者，尔必达存储器已宣布将与台湾力成科技（Powertech Technology，PTI）和台湾联华电子（United Microelectronics，UMC）合作（参阅本站报道4）。此外，TSV开发方面的相关合作动向也引人注目，例如住友精密和法国CEA-Leti将就新一代TSV的技术开发合作等。 使用无线方式而非TSV连接积层间芯片的技术也广受关注。日本庆应义塾大学教授黑田忠广等人的研究小组，开发出了可以三维积层129个半导体芯片的磁场耦合技术。将该项技术用于内存卡的研究也正在进行之中。  

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  • 飞思卡尔CEO称公司有望于2011年IPO

    飞思卡尔CEO里奇·拜尔(Rich Beyer)周二表示，2006年以176亿美元私有化的飞思卡尔有望于2011年IPO(首次公开招股)。 拜尔表示，飞思卡尔已经重组了债务并提升了业绩，赢得了市场信任。他还透露，如果经济持续复苏，而半导体市场明年也继续增长，该公司有可能具备上市条件。 他说：“相信我们将具备IPO的能力。我们拥有可行的资本结构。” 飞思卡尔是美国汽车厂商的最大芯片供应商。拜尔表示，该公司计划融资10亿多美元，偿还2014年到期的12亿美元债务。这些债务是在被黑石集团、Carlyle、Permira Advisers和TPG Capital私有化时积累的。拜尔表示，这些投资机构不会出售他们自己的股票，但是允许飞思卡尔通过新股发行融资。 飞思卡尔上季度净亏损额收窄至1.56亿美元，销售额则增长29%，达到11.5亿美元。截至上季度末，飞思卡尔共计拥有10.7亿美元现金，付息额为1.44亿美元。 该公司明年将有6亿美元债务到期，2014年为12亿美元，2016年则达到30亿美元。 拜尔表示：“(2016年前)将有许多机会偿还债务。我相信资本结构不会吓跑投资者。”  

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  • IDM加强与中国大陆厂技术合作 台封测厂压力渐增

    中国大陆IC封测技术已往高阶制程移动，并且藉著半导体群聚效应进行区域整并，竞争力逐渐提升，例如江苏长电已在2009年正式挤进全球前10大封测厂，加上整合元件厂(IDM)逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃发展期，台湾封测业者的经营压力将日益增加，绝不能轻忽大陆厂势力。 据了解，江苏新潮科技集团已开始整并江苏所在的长电科技等封测业者，逐渐形成规模经济基础。天水、乐山等地亦受到地方政府扶植，走向自主、整并之路，已形成具规模的产业聚落。 大陆沿海的封测业者因成本逐年提高与不获当地重视等负面因素，未来产能有向西转移的可能性，大陆封测业者可望藉半导体群聚进行区域整并。 全球产业链往大陆转移趋势仍在，提振封测产能逐水草而居，大陆自有IC产品出货逐年成长，有利于当地IDM和代工封测产能。全球半导体产业的轻资产和扩大委外比重策略将有助产值提升，全球IDM和封测业者随产能转到大陆带入先进技术，并培训人才，大陆封测业正加强外资替代和自有产品作为未来发展之道。 目前大陆IC封测技术已往高阶制程移动，竞争力不容小觑，尤其江苏长电在2009年正式挤进全球前10大封测厂，IDM厂逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃发展期。 此外，观察IDM与大陆封测厂合作的案例，包括东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)与大陆太极实业合资成立存储器封测厂海太半导体，总投资金额达3.5亿美元，以探针、封装为主要业务，规划以1GbDRAM为主，单月产量7,500万颗的封装测试能力，年营业额可达3亿美元，是大陆技术最领先的封测厂。 IDM厂持续西进也带动大陆封测业升级与转型，尤其日、韩与大陆合资封测厂趋势下，台湾IC封测业不能轻忽大陆封测业的实力。 整体而言，大封测产业正在崛起，2009年的营业额达到人民币498亿元，较2008年619亿元下滑近20%，预期2010年将可以恢复成长格局。  

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  • 今年IEDM论文数量大减 芯片厂商面临艰巨挑战

    12月6~8日于美国旧金山举行的2010年IEEE国际电子元件会议(International Electron Device Meeting，IEDM)，呈现了三个显著的主题趋势：首先，与技术相关的论文数量减少；其次，业界对于未来制程节点的下一代电晶体架构仍缺乏共识；第三，尽管有一大堆新奇的技术冒出头，芯片制造商还是坚持认为经济学与成本才是他们决定未来电晶体与制程技术的推手。 在过去，众家晶片制造商竞逐摩尔定律(Moore’sLaw)与先进制程技术的开发，也因此在IEDM上会有大量相关论文发表；而今日，先进晶片制造商越来越少，也导致今年该会议论文数大幅减少。IEDM大会主席、来自台积电(TSMC)的MeikeiIeong在会议期间表示："我并没有看到论文数量有回升的趋势。" IEDM论文数量减少也可能有其他原因；过去先进晶片制造商的态度较为开放，也常愿意针对即将问世的新技术提供暗示；例如IBM、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)、台积电与联电(UMC)等厂商，都会投稿大量论文发表其最新、最厉害的制程开发成果。 在今年的会议上，仅有少量论文提供了晶片供应商下一步发展的线索；许多先进晶片制造商的态度都转趋谨慎，也不想把技术发展方向透露给对手知道。今年IEDM上发表的论文以学术性质居多，或是在细节上透露不多，让部分参加者不太满意。 不过在今年的IEDM上，还是有不少传言讨论先进数位晶片制造商可能会在22/20奈米节点的电晶体架构上可能会采取的策略方向；大多数业界人士相信，先进晶圆代工厂可能会延长使用bulkCMOS制程技术。 其中有不少猜测是针对英特尔而来，有人认为该公司将延长使用bulkCMOS技术，其他人则认为该公司会采用全空乏(fully-depleted)──或称超薄绝缘上覆矽(extrathinSOI)；还有一个消息来源甚至指出，英特尔打算在22奈米或15奈米制程节点采用三闸(tri-gate)架构。 其他候选技术还包括采用矽穿孔(through-siliconvias，TSV)技术的3D晶片制程，这是不需依赖半导体制程的技术，而如果晶片制造商能够达成以合理成本量产矽穿孔3D晶片，该技术可能会成为半导体制程发展蓝图中半途杀出的程咬金。 目前，先进晶片制造商在32/28奈米节点所采用的，是传统bulkCMOS制程与平面架构的电晶体；但显然："对于20奈米节点到底将会是哪种电晶体出线，业界仍存在著忧虑。"市场研究机构VLSIResearch执行长G.DanHutcheson表示："在电晶体架构方面，较安全的赌注是将传统CMOS技术延伸使用到下一个世代。" SemicoResearch的分析师JoanneItow也同意以上节点，其理由是基于成本；Itow表示，试图在22/20奈米节点转用新奇的电晶体架构，不但代价太昂贵、风险也太高。只是，究竟晶片制造商还能把目前的bulkCMOS技术延伸使用多久，还是个未知数。 在22/20奈米节点之后，对于预期在2013年问世的16奈米逻辑制程节点之实际电晶体架构，晶片制造商之间的共识非常小；目前台面上也有不少候选技术，包括三五族半导体(III-V)、bulkCMOS、FinFET、全空乏SOI、多闸极(multi-gate)等等。 至于还有更远一段距离的16奈米以下制程节点，可能采用的技术范围更是完全开放，除了现有的技术，还有其他各种新奇的架构，例如三五族半导体、碳奈米管、石墨烯(graphene)、量子阱(quantumwell)FET等等。  

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  • 2010全球半导体收入超3千亿 十大厂商排名

    根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步调查，在经历了全球经济衰退之后，2010年全球半导体市场出现反弹，总收入达到了3,003亿美元，比2009年增长了31.5%。 Gartner 半导体研究总监Stephan Ohr先生表示：“2010年半导体市场受系统制造商因库存耗尽而争先恐后购买零件这种被抑制了的需求所推动。集成设备制造商(IDM)与晶圆代工厂商也都在积极扩大产能。第三季度，随着需求放缓及消费者信心减弱，交货时间放缓下来，库存慢慢开始累积。不过，半导体供应商正在努力解决积压订单，2010年将成为半导体行业标志性的一年。” 2010年，半导体市场与2009年下滑10%相比有一个反弹。2010年半导体行业整体收入增长了719亿美元，这是半导体行业在任何单一年份中最大的增长。历史上仅有1988年，1995年和2000年这3次在单一年份中收入增长超过 30%。今年半导体行业收入高达3,000亿美元，成为该行业里程碑式的业绩。 2010年，英特尔成为连续19年排名第一的厂商，但其市场份额从2009年的14.2%下降到今年的13.8%(见表1)。随着个人电脑市场在2010年下半年强劲的库存预期，英特尔在今年上半年出现强劲增长，但是随着消费者信心减弱，第三季度增长势头减弱。上网本的销售，英特尔这一一支独秀的领域，尤其令人失望。 表1：全球前十大半导体厂商收入预估排名(百万美元)。 2010 年，三星电子、东芝和德州仪器表现抢眼，在十大榜单中分别占据第二、第三和第四的位置。由于三星在蓬勃发展的DRAM和NAND闪存市场上表现活跃，该公司年度增长强劲。内存销售占据该公司80%的销售份额。东芝在用于移动设备和离散、ASIC和ASSP业务的NAND闪存业务上获得增长。2010年是德州仪器收获颇丰的一年，该公司半导体业务整体收入增长35.2%，模拟业务收入增长超过41%。 新进入前十大榜单的瑞萨电子在今年排名第五，该公司是NEC电子与瑞萨科技于2010年4月1日合并而成。此外，在前十大榜单中，美光科技上升了5个排名，以第八位的身份跻身榜单，这主要归功于其收购了Numonyx，这使得该公司在2010年能获得Numonyx后三个季度的销售。

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  • 18寸晶圆技术热度升高，英特尔证实开发计划

    针对市场的谣传纷纷，英特尔(Intel)已经证实，该公司将在美国兴建的新晶圆厂，将会支持18寸晶圆技术。据业界消息，英特尔将在美国奥勒冈州Hillsboro新建一座研发晶圆厂，并将该公司其它位于美国的晶圆厂升级至22纳米制程，总投资额约60~80亿美元。 英特尔位于奥勒冈州的研发晶圆厂代号为D1X，规划在2013年开始运作。早在数周前业界就已谣传，该公司将在位于Hillsboro的自家Ronler Acres园区兴建新晶圆厂；有人猜测该座新厂将是12寸甚至 18寸(450mm)晶圆厂，但英特尔表示，新厂是一座研发晶圆厂(development fab)。 近日有分析师指出，英特尔的新厂会是“准 18寸”晶圆厂，意味着一旦相关设备开发就绪，该厂就能支持18寸晶圆生产。而英特尔在美国时间12月7日也证实，D1X会准备好支持18寸晶圆技术；“英特尔对18寸晶圆技术兴趣浓厚。”该公司资深院士暨制程架构与整合部门总经理Mark Bohr表示：“D1X将兼容于18寸晶圆制程。” 半导体设备业界现在对 18寸晶圆技术的热度也升高了；过去曾经有一度，那些业者并不想投入 18寸晶圆设备的开发，因为成本实在是太高。而现在，市场的气氛开始不同；根据Bohr的说法：“我感觉到有部分设备供货商对18寸晶圆技术有兴趣。” 18寸晶圆技术有开始活络的趋势；“我很惊讶地发现，不只是SIT (Samsung、Intel与Toshiba)阵营开始支持这项技术；我是第一次听到以上三家厂商之外的芯片业高层，转向谈论该技术问世的时间点，而非是否会问世。”VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson表示，目前有超过九成的半导体设备供货商都已涉足18寸晶圆技术开发，但大多数都没有公开。 Hutcheson指出，18寸晶圆设备领域还有许多有待完成的工作，可能最快要等到2018年才会看到18寸晶圆厂出现。  

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  • 基于TSV技术的3D芯片成本该是多少?

    要实现基于TSV(through-siliconvia)技术的3D芯片大规模生产所需要克服的最大困难是什么？困难其实还有很多，但是成本或许是这其中最大的问题。 Synopsys公司执行小组高级副总裁兼总经理AntunDomic表示，一个基于TSV技术的3D设备成本为150美元/晶圆，这相当于300mm晶圆总成本的5%。 其他方面的消息指出，这只不过是九牛一毛。研究机构TechSearchInternational公司的总裁E.JanVardaman认为，150美元仅仅只能说是TSV技术的演练费用。这并不包括加工、封装和其他费用。 还有人表示，3D芯片的TSV技术甚至是传统IC成本的20倍以上。VLSI研究公司的首席执行官G.DanHutcheson说：“它的成本是2美分/根焊线，相比之下，基于TSV技术的3D芯片成本则高达20美分/根焊线。” 专家们定义一个真正的3D封装，应该是将各种芯片垂直堆叠在一起，然后通过部署TSV进行连接。其目的是缩短芯片之间的互连，减小芯片尺寸，提高器件的带宽。 到目前为止，芯片制造商们正在准备发布基于TSV的3D设备，主要是CMOS图像传感器、微机电系统(MEMS)，以及某些功率放大器。关于TSV技术的几个问题：缺乏EDA设计工具、设计的复杂性、集成组装和测试、成本，以及缺乏标准。 一些专家得出了相同的结论，关于基于TSV技术的3D芯片：现在还没有为其黄金时间做好准备。  

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  • 英飞凌CEO预计2011财年公司营收将同比涨10%

    根据国外媒体报道，欧洲第二大芯片制造商英飞凌(Infineon Technologies AG)CEO彼得鲍尔表示，在截至2011年9月的财年内，该公司的营业收入有望实现接近10%的增长。而本财年的销售目标可能会“偏保守”，因为公司的订单十分充足。 鲍尔称：“如果整体经济保持强劲，我们的预期可能就会有些保守。但是在当前的情况下保持谨慎不是坏事，毕竟没有人知道下半年的经济会如何发展。”鲍尔还于上个月表示，该公司计划为上一财年每股派发10美分的股息红利，这将是近十年来该公司首次派发红利。 英飞凌的芯片广泛用于汽车、手机和其它电子设备。而自2008年6月就任CEO以来，鲍尔始终坚持英飞凌为客户量身定做芯片的发展战略，并使该公司克服了业内价格和需求不断变化所带来的一系列不利影响。 上周鲍尔在位于德国慕尼黑南部城市纽必堡的公司总部接受记者采访时表示，在逐渐退出利润率相对较小的个人电脑和手机芯片市场后，“英飞凌的企业风险预测目前处于相对较低的水平。” 德国资产管理公司Aramea基金经理鲍里斯伯姆(Boris Boehm)称：“英飞凌实现了惊人的扭转，从一家表现最差的德国大型企业，变成了盈利增长迅速且业绩稳定的企业。他们现在处于正确的市场，并且采取了正确的管理方式。”伯姆管理着10亿欧元(约合13.4亿美元)资产，并持有英飞凌股票。  

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  • 全球晶圆产能2011年增长预期保守

    根据SEMI发布的最新全球晶圆厂预测(World Fab Forecast)，预估全球晶圆产能在2010和2011年将分别有8%的成长，而2012年将成长9%；相较于2003~2007年的每年两位数成长，SEMI对明后年的预估相对审慎保守。 若从产业区隔来观察2004年以来的产能年成长率，LED产业表现最突出，过去六年来都以两位数的速度疾速成长。而过去由内存产业带领产业成长的局面已经改变，内存产业的成长率由过去是晶圆代工厂的两倍，到2012年将维持和晶圆代工厂相当。 在制程技术升级和持续扩产的需求驱动下，晶圆厂支出在2011年将成长18.3%，2012年再成长9.5%。其中又以内存、晶圆代工和MPU支出最为明显。2011年的晶圆厂投资中，在建厂方面的支出减少11%，由于各家厂商目前没有宣布明确的新厂建置计划，2012年的建厂支出尚未明朗。 相对于建厂支出的减少，2011年晶圆厂在制程相关设备的投资金额预估将提高23%，达到400亿美元，超越2007年的水准，创下19年来的最高纪录。2010年半导体设备支出前三名的领域别则为内存、晶圆厂和MPU。 但是报告也指出，未来两年半导体新厂的建置计划明显锐减，SEMI资深产业研究经理曾瑞榆表示：“由于新厂需要18~24个月的规划、建置、设备装机、认证和试营运，如果上线时间太慢，担心两年后半导体产业的成长动能可能会不足。” 值得注意的是，消费者对于许多新应用和电子装置的需求让NAND成为成长最快速的市场之一，NAND的价格下降则更加速市场需求和成长。  

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  • 东芝日本厂跳电受影响产能恐达20%

    华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次的跳电事件可能影响未来2个月的产能，减少20%的产出。东芝与新帝(SanDisk)合资生产，总产出约占市场产能的3分之1，出货量仅次于排名全球第1的三星电子(SamsungElectronics)。接下来几个月，全球的快闪存储器市场的供给将受到明显冲击。不过，快闪存储器消耗特别多的苹果(Apple)跟多家供应商都签有长期供应合约。分析师表示，这次产能受到干扰正不是时候，因为刚好有许多厂商准备要推出新的平板计算机来挑战iPad。部分业者将面临供应吃紧的问题，正当要加紧增产时可能得面临快闪存储器价格上涨。ThinkEquity分析师KrishnaShankar表示，这个时机真的是再糟也不过了。根据中部电力(ChubuElectricPower)表示，供电不稳是从2010年12月8号早上开始，当时供电的电压突然间下降，造成东芝在四日市的厂房出现0.07秒的断电。虽然断电时间十分短暂，但因为生产线复杂的机械设定，其实还是会造成很大的影响，就像突然拔掉计算机主电源插头一样。基于这个原因，许多芯片厂都会特别注意预防措施，包括安装不断电系统。东芝发言人表示，这次四日市厂房的不断电系统没有发挥应有的功效，是因为中断的电力已经超过系统的负荷值了。分析师指出，芯片制程中发生跳电事件，通常会伤及矽晶圆片，一般而言，矽晶圆的制程需时约8~12周。制程中间若出现断电，矽晶圆片通常都会毁坏，只有储存中及在不同机械间转移的晶圆片可以逃过跳电一劫。偶尔出现空气清净机或空调系统跳电问题则有可能污染需维持无尘环境的晶圆。晶圆厂跳电就象是手术中途人工心脏断电一样，结果就是病人命都丢了。根据东芝的估计，这次跳电事件对产能造成的影响可能延续到2011年2月，出货量最多可能少掉2成。研究机构iSuppli分析师MichaelYang指出，按东芝的市占率来看，这次跳电可能让受影响期间的NAND全球供给量骤减7.5%，不过，相对于2011年全年则比重会小许多，所以大概只会让NAND存储器短期价格大涨，这种事情过去就有前例。2007年8月时，三星靠近首尔的芯片厂也曾经被迫中断部分生产线，当时芯片价格也因此上涨了好几个月。巴克莱资本(BarclaysCapital)分析师TimothyLuke估计，这次东芝跳电事件应该会让2011年的NAND供给量少3~5%，随后的涨价效应可能让对手三星跟美光科技受益。唯一值得庆幸的是，1、2月的产能减少对于全年而言影响算是相对小的，应该会减少缺货的机会。不过，NAND的需求量最近增加速度相当异常，因为智能型手机及平板计算机对其需求大增，iSuppli日前曾估计过，2011年全球的NAND出货量可能会成长70%。

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  • 英特尔确认22nm新工厂可生产450mm晶圆

    让整个产业猜测了一次又一次之后，Intel今天终于官方确认，他们的新工厂已经在为下一代450mm晶圆做着准备。 450mm(18英寸)指的都是硅晶圆的直径，就像现在最普遍使用的300mm(12英寸)，以及早被淘汰的200mm(8英寸)、150mm(6英寸)。晶圆尺寸越大，生产芯片的效率也就更高，直接结果就是单位成本更低、利润空间更大，但是晶圆尺寸所需要的研发和制造成本也是天文数字级别的，往往需要整个半导体产业的携手合作，而晶圆尺寸每一次扩大也都需要长达11年左右的周期。 根据此前报道，Intel将投资60-80亿美元，一方面在俄勒冈州希尔斯伯勒市兴建一座新的研发晶圆厂“D1X”，2013年投入研发工作，另一方面对美国境内的多座晶圆厂进行升级，共同迎接22nm工艺。 Intel高级院士、工艺架构与集成总监Mark Bohr今天确认说：“Intel对450mm(晶圆)非常感兴趣。D1X从建筑伊始就兼容450mm。……我感觉一些设备供应商也对450毫米很感兴趣。” VLSI Research Inc. CEO G. Dan Hutcheson也在最近的一份报告中称：“现在，90％以上的设备供应基础都在某种程度上涉及了450mm(晶圆)的开发，指示其中大多数都在悄悄进行而没有公开。” 尽管整个产业都对450mm晶圆翘首以盼，但真正投产还有很漫长的路要走，450mm晶圆厂最早也要到2018年才能开张，Intel D1X兼容新晶圆也只是在做着前期准备而已。  

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